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硅在电力设备中的最后一场战斗：超界...
Florin Udrea是半导体工程学的教授，也是剑桥大学高压微电子和传感器实验室的负责人。Florin Udrea教授自1998年以来一直是剑桥大学工程系的学者。他目前正在领导一个在过去30年中赢得国际声誉的电力半导体设备和固态传感器的研究小组。UDREA教授在期刊和国际会议上发表了500多篇论文。他在电源半导体设备和传感器中拥有200多个专利。Prof. Florin Udrea founded five companies, Cambridge Semiconductor (Camsemi) in power ICs – sold to Power Integrations, Cambridge CMOS Sensors (CCS) in the field of smart sensors – sold to ams, Cambridge Microelectronics in Power Devices, Cambridge GaN Device in high voltage GaN technology and Flusso in Flow and thermal conductivity sensors.由于他对英国工程的杰出贡献，他获得了皇家工程学院的银牌。2015年，弗洛林·乌德雷（Florin Udrea）教授当选为皇家工程学院的院士。在2018年，Udrea教授获得了几项主要奖项，包括皇家学会的穆拉德勋章。 在2020年，他获得了Ohmi奖，作为ISPSD硅碳化物鳍片的合着者。 在2021年，他被《商业周刊》（Business Weekly）授予英国年度学术企业家。 在2022年，他第二次获得了OHMI奖，作为SIC FinFET Power Devices中的第一篇论文。在2018年，Udrea教授获得了几项主要奖项，包括皇家学会的穆拉德勋章。在2020年，他获得了Ohmi奖，作为ISPSD硅碳化物鳍片的合着者。在2021年，他被《商业周刊》（Business Weekly）授予英国年度学术企业家。在2022年，他第二次获得了OHMI奖，作为SIC FinFET Power Devices中的第一篇论文。在同一会议上，他还获得了与Cambridge Gan Devices Ltd的Icegan Smart Power设备开发的最佳海报奖。
InGaAs-SOI 界面缺陷的可靠性调查...
这项工作研究了铟镓砷 (InGaAs) SOI-FinFET 中界面缺陷在高性能应用中的可靠性。In 0.53 Ga 0.47 As 是一种很有前途的下一代晶体管材料，因为它具有高电子迁移率，这对于高速和高频应用至关重要。然而，界面陷阱电荷 (ITC) 的存在会严重影响器件的性能和可靠性。我们全面分析了 InGaAs SOI-FinFET 中的 ITC，研究了它们对线性性能参数（如 VIP2、VIP3、IIP3、IMD3、HD2 和 HD3）的影响。所有结果表明，优化界面质量对于提高 InGaAs SOI-FinFET 的可靠性和性能至关重要。这项工作为缺陷机制提供了宝贵的见解，并为改进制造工艺以实现更可靠的高性能 InGaAs-SOI-FinFET 提供了指导。因此，基于 InGaAs 的 FinFET 是最适合下一代使用的高性能半导体器件。 InGaAs 具有优异的电子迁移率和高饱和速度，为高频和高速应用提供了显著的优势，使其成为硅的理想替代品。
英特尔定制代工厂宣布赞助 MOSIS MPW
南加州大学信息科学研究所运营 MOSIS（金属氧化物半导体实施服务），提供金属氧化物半导体 (MOS) 芯片设计工具和相关服务，使大学、政府机构、研究机构和企业能够高效且经济地制作芯片原型。 MOSIS 服务正在与英特尔公司合作，通过英特尔定制代工厂为微电子设计社区提供 22nm FinFET 低功耗 (22FFL) 工艺技术。为了鼓励参与英特尔多项目晶圆 (MPW) 制造运行的 MOSIS 服务产品，国防部研究与工程副部长办公室 (OUSD(R&E)) 可信和保证微电子 (T&AM) 计划旨在潜在地赞助政府财政年度 (GFY)-2020 和 GFY-2021 的 MPW 运行。如果这些设计和/或设计工作与 T&AM 增强美国微电子开发能力的目标相辅相成，那么符合 R&E 微电子路线图对最先进 (SOTA) 技术需求的项目将被考虑进行补贴制造。
技术和可靠性
• 为提高性能，晶圆工艺技术的快速发展推动了 HKMG 和 FinFET 等可靠性极限。 • 晶圆上新材料的加速引入：铜、超低 k ILD、气隙、氮化氧化物、高 K 栅极电介质和新互连 • 先进的封装和凸块技术：fcBGA、fcCSP、WLCSP、无铅凸块、铜柱、铜线、微凸块、多层 RDL、TSV/Interposer、3D/2.5D、FanOut WLP 封装和 SiP • 新封装材料：增材制造基板、超低损耗电介质、底部填充材料、塑封材料、基板表面处理、无铅和铜凸块等 • 多级应力相互作用使可靠性失效机制变得复杂 • 日益严格的客户要求和应用 • 快速上市需要可靠性设计以减少认证/批量生产时间
53 GBPS光学链接，带有共同设计的DSP和集成的EAM驱动程序，异质融合
DSP芯片是在高级填充过程中制造的，具有电吸附调制器驱动程序单一集成并与TX PHY输出共同设计。发射灯SIPHO 4通道粗波长度多路复用（CWDM）光子积分电路（PIC）是在塔中的半导体PH18DA过程中制造的[4]。图中显示了制造流的概念图。1（b）：SOI晶圆是用光子设备模式的，然后将III-V模具粘合到晶片的顶部表面，并去除IIII-V模具底物。III-V设备区域进行了进一步处理和图案。最后，形成了线金属互连的后端。通过此过程，单个硅光子晶片可以支持多种类型的III-V设备功能。在此示例中，III-V增益区域用于形成可调激光器，并使用单独的IIII III III III-V电吸附状态形成异质硅/III-V电吸附调制器。将TX PIC翻转到金属有机底物上。低损坏的边缘耦合辫子工艺被用来将图片从图片中的光线搭配到SMF纤维，如图2a。
国际电气与计算机工程杂志（IJECE）
基于鳍式场效应晶体管 (FinFET) 的模拟电路正逐渐取代基于金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的电路，因为其稳定性和高频操作而变得越来越重要。构成大多数模拟电路子块的比较器是使用运算跨导放大器 (OTA) 设计的。OTA 采用新的设计程序设计，比较器电路是将子电路与 OTA 集成在一起设计的。设计并集成了比较器设计的构建块，例如输入电平转换器、带有共源共栅级的差分对和用于输出摆幅的 AB 类放大器。在反馈路径中使用折叠共源共栅电路来将共模输入值保持为常数，以便差分对放大差分信号。比较器的增益达到 100 dB 以上，相位裕度为 65°，共模抑制比 (CMRR) 高于 70 dB，输出摆幅从轨到轨。该电路提供 5 GHz 的单位增益带宽，适用于高采样率数据转换器电路。
耐变异感测放大器电路的设计
摘要 在 DRAM 和 SRAM 等深亚微米存储器中，准确感测位线电压变得非常具有挑战性，因为制造工艺的固有变化导致晶体管特性失配，这带来了严重的挑战，导致电路故障和产量下降。本文解决了这些问题，并将补偿方案应用于各种感测放大器的原理图，从而对工艺引起的变化具有很高的容忍度。使用 DGFinFET 设计的原理图利用增强的自补偿技术来克服物理晶体管特性的差异。使用蒙特卡罗技术重建晶体管失配（阈值电压，V t ），表明即使在 40-50mV 的严重 V t 失配下，所提出的 CCLSA 原理图也能正确运行。将这些结果与文献中报道的相应电路进行了速度、面积和产量的比较。与未补偿的设计相比，该设计还提供了高达 20-30% 的产量，并且降低了电路和性能的复杂性。这些电路在 45nm 和 32nm 技术节点上很容易实现。关键词：补偿、工艺变化、DRAM、FinFET 感测放大器、稳健性
MOBI2的计算定向发现
摘要 - 综合技术特征缩水增加了计算系统对单事件效应的敏感性（请参阅）。虽然建模查看故障至关重要，但综合的程序范围使物理上正确的建模在计算上可以棘手。没有有用的模型，对断层耐受性方法的硅前评估是不可能的。要在系统范围内合并精确的晶体管级效应，我们提出了一个多尺度的仿真框架。（i）设备级的电荷收集确定（ii）电路级瞬态持续时间和状态上集的可能性。电路效应反过来效果（III）寄存器 - 转移级体系结构状态腐败在（IV）系统级别上可见。因此，在HPC模拟器上执行的大规模系统中SE的物理准确效应可用于通过设计驱动跨层辐射硬化。我们通过两个案例研究证明了该模型的功能。首先，我们在14NM FinFET技术的晶体管水平上确定了D频率的灵敏度，从而验证了针对已发表的横截面的模型。第二，我们在各向同性太空环境中追踪和估计ADAMS 90％最差环境的MIPS处理器中的故障
标题：半导体设备制造的有效多尺度建模
近年来，传统的晶体管缩放率发生了急剧过渡。不是平面晶体管的相对简单收缩，而是重新设计了整个几何形状。垂直填料现在是一个全面的（GAA）晶体管设计，该设计允许从栅极偏置对通道区域进行更大的静电控制。也很明显，硅缩放量已经达到其末端，并且正在研究新材料，包括用于高级晶体管节点和广泛的专业应用（例如，宽带的功率设备的宽带隙半导体）。仅使用实验来评估设备制造的可行性非常昂贵且耗时，这就是为什么过程模拟在当今的微型和纳米电子设计周期中必不可少的原因。在本演讲中，我将介绍一个有效的多规模过程模拟框架VIENNAP，我们正在开发该框架，以满足现代半导体制造的需求。如今，必须从所有尺度上处理问题：从原子室到反应堆室本身。
印度信息技术设计与制造学院 Kancheepuram 是印度政府教育部建立的技术教育和研究卓越中心，致力于设计和制造导向
Navakanta Bhat 教授，印度班加罗尔印度科学研究所纳米科学与工程中心 (CeNSE) 教授 Navakanta Bhat 博士自 1999 年起就在印度班加罗尔印度科学研究所任教，目前是该所纳米科学与工程中心的教授。他在纳米电子学和传感器技术领域做出了重大贡献。他是班加罗尔印度科学研究所国家纳米制造中心的创建者，该中心的设施堪称世界一流。他于 2002 年以优异成绩毕业于德国慕尼黑联邦国防军大学，获得学士学位。2001 年至 2006 年，他在比利时鲁汶大学间微电子中心工作，研究 FinFET、金属栅极和逻辑技术中的高 κ 集成。自 2006 年起，他一直在印度理工学院孟买分校电气工程系任职，目前担任该系教授。