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宽带隙半导体市场的氧化镓技术经济分析：预印本
目前，超过 30% 的电能经过电力电子设备，据推测未来十年这一比例可能会增长到 80%。宽带隙半导体市场在 2019 年已经接近 10 亿美元，预计到 2028 年将达到近 70 亿美元。尽管成本高昂，但由于尺寸更小、效率更高，SiC 在某些应用（如混合动力汽车和电动汽车）中开始取代现有的 Si 技术。我们回顾并报告了 IHS Markit 对宽带隙半导体技术的市场预测，并重点介绍了 Ga 2 O 3 晶片制造成本的技术经济分析结果。具体而言，我们关注使用当前的制造方法 Ga 2 O 3 比 SiC 更具经济优势的潜力，然后确定可以进一步降低 Ga 2 O 3 晶片批量成本的研究机会。
3R电池：基于液体镀耐电极
每年将在不久的将来生产数十亿个一次性薄膜电子产品，用于智能包装，物联网和可穿戴生物监测贴片。在这些情况下，传统的刚性电池在形式和人体工程学方面也不是最佳的，也不是生态方面的。迫切需要使用薄，可拉伸，弹性且可回收的新型储能设备。在此，提出了一种新型的材料和制造技术结构，允许完全3D打印的软性薄膜电池对机械应变有弹性，如果可修复，可充电，可回收，并且可以在其寿命结束时回收。通过利用数字可打印的超易碎液态金属电流收集器和新型的镀具有镀碳碳阳极电极，AG 2 O-Gallium电池可快速打印并根据应用程序定制。通过优化镀具有耐碳碳复合材料的性能，获得了26.37 mAh cm-2的创纪录的面积容量，在100％应变时10个周期后改善了10.32 mAh cm-2，而前所未有的最大应变耐受性为≈200％。部分损坏的电池可以治愈自己。通过创新的冷蒸气刺激来治愈严重损坏的电池。一个用印刷传感器来监控心脏的数字印刷，泰勒制造的电池健康监控贴片的示例，并证明了呼吸。
氮化镓 MEMS 谐振器：残余应力如何影响设计和性能
摘要 — 从硅上外延生长的氮化镓 (GaN) 开始，设计、制造并表征了集成压电换能器的预应力微谐振器。在夹紧梁中，众所周知，拉伸应力可用于增加谐振频率。在这里，我们计算了预应力梁中平面外弯曲模式的模态函数，并推导出一个模型来预测谐振频率和压电驱动因子。我们表明，理论和实验结果之间可以获得良好的一致性，并推导出机电转换的最佳设计。最后，我们的模型预测了由于拉伸应力导致的品质因数增加，这已通过真空下的实验测量得到证实。这项研究展示了如何利用外延工艺产生的材料质量和初始应力。
用于卫星通信系统的50GHz砷化镓电光调制器阵列的设计
本文介绍了用于空间数据链路应用的 GaAs 行波电光调制器阵列的设计注意事项。调制器设计的核心是低损耗折叠光学配置，可在设备的一端提供直接的直线射频 (RF) 接入，而所有光纤端口均位于另一端。此配置是多通道应用所需的密集单片调制器阵列的关键推动因素。它还可以实现更紧凑的封装、改进的光纤处理，并通过消除 RF 馈电装置中的方向变化来实现高调制带宽和低纹波。单个 Mach-Zehnder (MZ) 和单片双并行 (IQ) 调制器都已评估高达 70 GHz，带宽约为 50 GHz，低频开/关电压摆幅 (V π ) 为 4.6 V（电压长度乘积为 8.3 Vcm）。折叠式设备比传统的“直线式”调制器要紧凑得多，而适度的设备阵列（例如 × 4）可以容纳在与单个调制器尺寸相似的封装中。讨论了独立寻址 MZ 调制器单片阵列（每个都有自己的输入光纤）的设计考虑因素，并提出了实用配置。
定量蛋白质组学揭示了麦芽盐的甘露糖诱导铁的应力反应，并降低了铜绿假单胞菌的群体感应
摘要基于凝胶剂的药物已被重新定义为抗菌治疗候选物，并显示出对抗药性病原体的替代治疗选择的巨大潜力。凝固膜的活性（Ga 3+）是其与铁铁（Fe 3+）的化学相似性，并取代了铁依赖性途径。ga 3+在典型的生理环境中是氧化还原性的，因此使铁代谢对细菌生长至关重要。麦芽盐（GAM）是一种众所周知的凝胶水溶性配方，由中央凝胶阳离子组成，该中央凝胶配位与三个麦芽糖配体配位，[GA（Maltol -1H）3]。这项研究实施了一种无标记的定量蛋白质组学方法，以观察GAM对细菌病原体Pseudomonas铜绿菌的影响。将铁替换为镀具有模拟铁限值的反应，如与铁采集和储存相关的蛋白质的增加所示。还发现了与法定感应和蜂群运动相关的蛋白质的丰度。这些过程是细菌毒力和传播的基本组成部分，因此暗示了GAM在治疗铜绿假单胞菌感染中的潜在作用。
用于碳化硅和氮化镓电子设备的高介电常数二元氧化物薄膜的结构和绝缘行为
摘要：高κ电介质是介电常数高于二氧化硅的绝缘材料。这些材料已经在微电子领域得到应用，主要用作硅 (Si) 技术的栅极绝缘体或钝化层。然而，自过去十年以来，随着宽带隙 (WBG) 半导体的广泛引入，如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，后硅时代开始了，这为高κ材料在这些新兴技术中的应用开辟了新的前景。在此背景下，铝和铪的氧化物（即 Al 2 O 3 、HfO 2 ）和一些稀土氧化物（例如 CeO 2 、Gd 2 O 3 、Sc 2 O 3 ）是有前途的高κ二元氧化物，可用作基于 SiC 和 GaN 的下一代大功率和高频晶体管的栅极介电层。本综述论文概述了用于后硅电子器件的高介电常数二元氧化物薄膜。特别地，重点关注通过原子层沉积在 WBG 半导体（碳化硅和氮化镓）上生长的高 κ 二元氧化物，无论是非晶态还是晶体膜。讨论了沉积模式和沉积前或沉积后处理的影响。此外，还介绍了这些薄膜的介电行为，并报告了一些应用于 SiC 和 GaN 晶体管的高 κ 二元氧化物的示例。强调了这些技术的潜在优势和当前的局限性。
自下而上设计可调铟镓锌氧化物薄膜原子层沉积的超循环配方
摘要：我们提出了一种自下而上的成功方法，设计了一种通用的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 超循环配方，以在 150°C 的相对低温下生长具有可调成分的高质量铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜。原位实时椭圆偏振表征与非原位互补技术相结合，已用于优化薄膜的沉积工艺和质量，方法是识别和解决生长挑战，例如氧化程度、成核延迟或元素组成。开发的超循环方法通过调整超循环过程中的子循环比，可以轻松控制目标成分。与其他产生非晶态薄膜的低温沉积技术相比，我们在 150°C 下的 PEALD-IGZO 工艺可产生近乎非晶态的纳米晶态薄膜。通过超循环 PEALD 方法在低温下制备 IGZO 薄膜可以控制厚度、成分和电性能，同时防止热诱导偏析。关键词：IGZO、PEALD、超循环、XPS 深度剖析、电流密度
使用接近索引匹配的固体浸入透镜
半导体材料中的颜色中心是非经典光子状态的有前途的来源。由于它们的局部能级嵌入了宿主的大块电子带隙内，因此它们将单个原子的光学特性与固态环境的scal骨结合在一起。的确，宽带半导体中的中间隙能级产生的增强的电子配置可以在室温及以上启用单个光子发射。1已经发现了许多这样的颜色中心，包括在钻石中，1-8碳化硅（SIC），9,10氮化铝（ALN），11枚硝酸盐（GAN），12-14和六边形的硝酸盐（H- BN）。15这些颜色中心的发现导致了量子技术的令人印象深刻的恶魔，包括纳米级磁性感应，4纳米级量子量子温度计，16个量子中继器，17
用于高性能深紫外光电探测的微米厚氧化镓薄膜中的定向载流子传输 张文瑞, 1,2 * 魏瓦
微米级氧化镓薄膜中的定向载流子传输用于高性能深紫外光电探测 张文瑞 1,2 * 王伟 1 张金福 1 张谭 1 陈莉 1 王刘 1 张宇 3 曹彦伟 1 季莉 3 叶吉春 1,2 * 1 中国科学院宁波材料技术与工程研究所，浙江省能源光电子材料与器件工程研究中心，浙江 宁波 315201 2 甬江实验室，浙江 宁波 315201 3 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室，上海 200433 关键词：紫外光电探测器，宽禁带半导体，氧化镓，载流子传输，缺陷
illuccix-处方信息.pdf
给药 • 抽取和给药 Gallium Ga 68 Gozetotide 注射液时，请使用无菌技术和辐射屏蔽。 • 根据校准时间和所需剂量计算所需给药量。 • 给药前，目视检查 Gallium Ga 68 Gozetotide 注射液中是否有颗粒物和变色。仅使用清澈、无色或最多略带黄色且没有可见颗粒的溶液。 • Gallium Ga 68 Gozetotide 注射液可以用无菌 0.9% 氯化钠注射液 USP 稀释。 • 在给患者给药前立即使用剂量校准器测定最终剂量。 • 注射 Gallium Ga 68 Gozetotide 注射液后，用无菌 0.9% 氯化钠注射液 USP 进行静脉冲洗，以确保完全输送剂量。 • 按照适用法规以安全的方式处理任何未使用的药物。 • 除非有禁忌症，否则可以在注射放射性示踪剂时使用预计在吸收时间内起作用的利尿剂，以潜在地减少放射性示踪剂在膀胱和输尿管中积累造成的伪影。