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液体基准的机械能源诱导的二氧化碳转换
我们报告了一种绿色碳捕获和转换技术，可为CO 2排放提供可扩展性和经济可行性。该技术利用镀至液体金属的悬浮液将CO 2降低到碳质固体产品中，在近室温下将O 2减少到O 2中。液体镀和式易碎的性质允许固体产物即时去角质，从而使主动位点可访问。银色棒的固体共同构件可确保循环可持续过程。总体过程依赖于机械能作为输入，从而驱动了纳米尺寸的落下底润纤维化学反应。使用以7：1的质量比以7：1的质量比例来创建反应材料时，在230 kW h的低输入能量下获得了92％的效率，以捕获和转化一吨CO 2。这项绿色技术为CO 2排放提供了一种经济的解决方案。
高性能的可编程光子芯片可以改变雷达和通信系统
一张焦点堆积的宏观照片，该照片具有多个螺旋形波导和其他测试结构的磷化磷化物光子芯片。芯片宽度仅为0.55厘米。由于磷化磷酸盐的高非线性，其高折射率及其可忽略不计的两光子吸收，使用此芯片可实现S，C和L光学通信带的极有效的光学参数扩增和频率转换。
Zeiss Orion Nanofab三离子梁，可增强少于10 nm的柔韧性
用猎户座纳米式机速度和精确地制造子10 nm纳米结构。使用其霓虹灯梁以极高的速度机器纳米结构并获得高吞吐量。使用氦束创建细腻的低于10 nm的结构，需要极高的加工保真度。为您的Orion Nanofab配备了可选的镀耐型纤维柱，它成为一种：世界上唯一涵盖了使用炮，霓虹灯，霓虹灯和氦离子光束整合到单个仪器中的微加工到纳米机械应用的系统。
对可再生能源系统中极端环境条件下弹性电力电子的严格审查
鉴于这些限制，电力电子器件多年来不断发展，体积小、功率密度高，在极端温度环境和大热循环中具有额外的运行优势。因此，研究人员正在努力开发有效的热系统以提高其可靠性。例如，随着以宽带隙半导体为中心的研究的发展，氧化镓 (Ga 2 O 3) 已发展成为半导体技术发展的前沿。这种材料具有良好的固有特性，即临界场强、广泛可调的电导率、迁移率和基于熔体的块体生长，被广泛用于高性能电力电子器件，有望成为硅基功率器件的替代品。这种材料具有一系列直到最近才在一个系统中观察到的特性。这些特性包括：低热导率。最后，β-Ga 2 O 3 具有近 5 eV 的超宽带隙（Green 等人，2022 年）。因此，在不久的将来，SiC 很有可能被 Ga2O3 取代。氧化镓（III），通常称为氧化镓，已成为电力电子设备的新型半导体材料。另一项新发现是氮化镓（GaN）。GaN 具有高电子迁移率的吸引人的特性，可实现高开关迁移率。此外，金刚石具有高开关性能、高温操作、辐射硬度、高输出功率，并且可以合成用于电子设备（Javier 等人，2021 年）。
InP和GaAs双栅极MOSFET的设计与分析
摘要 本文分析了一种由III族材料（铟、镓）和V族材料（磷化物、砷化物）统一构成的新型双栅极MOSFET（DG MOSFET）。由于其对短沟道效应的免疫、漏电流的减少和更高的扩展潜力，DG MOSFET成为低功耗应用最舒适的器件之一。在本文中，我们研究了基于磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）的DG MOSFET通过取代基于硅的传统DG MOSFET对最佳性能和漏极电流特性的影响。晶体管的沟道长度设定为20纳米。这两种器件都使用NanoHub模拟器建模，并使用Matlab检查了特性。通过相应的绘图结构对特性进行了描述性分析——能带结构、ID vs V GS特性、ID vs V GS特性、跨导。从提供的结果来看，基于 InP 的 DG MOSFET 器件提供的导通电流为 10 -3 A，优于基于硅和砷化镓 (GaAs) 的 DG MOSFET 器件。关键词：DG MOSFET、GaAs、InP、导通电流、关断电流
绘制中国出口管制图表
2024 年 12 月，中华人民共和国宣布全面禁止向美国出口镓、锗和锑。1 这项禁令是继美国为阻止中国发展先进半导体而实施管制之后颁布的，这两项行动都代表着中美贸易紧张局势的显著升级。过去几年，中国对出口管制法规和法律机制进行了稳步调整，使该国与美国进行战略竞争的工具多样化。2024 年 12 月的禁令是继 2023 年 7 月首次宣布对镓和锗实施管制之后的又一个升级阶段。尽管近年来，美国限制中国获取半导体的出口管制措施得到了广泛报道，但这一单方面控制几种相对不为人知的材料的行动最初并没有引起太多关注。然而，中国对这些关键材料的管制（从风力涡轮机磁铁到半导体等各种产品）随后在今年晚些时候又对高端石墨和稀土元素永磁体制造技术实施了额外的管制。值得注意的是，根据 2024 年 9 月可用的贸易数据，自 2023 年 7 月宣布对镓实施出口管制以来，没有记录到任何中国向美国或荷兰公司出口过任何产品。
EPOWERS 研究小组：高效电力电子、动力传动系统和能源解决方案
Si-硅、SiC-碳化硅、GaN-氮化镓、MPC-模型预测控制、PSO-粒子群优化、IFOC-间接磁场定向控制、DTC-直接扭矩控制、DSP-数字信号处理、FPGA-现场可编程门阵列
EPOWERS 研究小组：高效电力电子技术...
Si-硅，SiC-碳化硅，GaN-氮化镓，MPC-模型预测控制，PSO-粒子群优化，IFOC-间接磁场定向控制，DTC-直接扭矩控制，DSP-数字信号处理，FPGA-现场可编程门阵列
利用 GaAsSb、GaAsSbN 和 GaAlAs 进行带隙工程以用于 NIR 应用
摘要 带隙工程是开发光电器件的关键方法，特别是对于近红外 (NIR) 应用，其中精确控制材料的电子和光学特性至关重要。本研究探讨了三种 III-V 半导体合金——砷化镓锑 (GaAsSb)、砷化镓锑氮化物 (GaAsSbN) 和砷化镓铝 (GaAlAs)——在定制带隙以满足 NIR 器件特定需求方面的潜力。GaAsSb 通过调整锑含量提供可调带隙，使其成为 NIR 光电探测器和激光二极管的多功能材料。GaAsSbN 中的氮进一步降低了带隙，增强了其对长波长应用的适用性，并提供与 GaAs 基板更好的晶格匹配。GaAlAs 以其稳定性和与 GaAs 的兼容性而闻名，可用于形成异质结和量子阱，从而实现高效的载流子限制和发射控制。通过改变这些合金的成分，工程师可以实现精确的带隙调节，从而优化一系列 NIR 波长范围内的器件性能。本摘要强调了成分变化、应变工程和量子阱设计在开发先进 NIR 光电器件中的重要性。尽管存在材料质量和热管理等挑战，但这些材料的持续改进对电信、医学成像和传感技术中的下一代 NIR 应用具有重要意义。简介 带隙工程是半导体技术中的一项基本技术，可以精确操纵材料的电子和光学