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特刊——宽带隙半导体材料...
宽带隙 (WBG) 半导体材料，例如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 或氧化镓 (Ga2O3)，使电力电子元件比硅基 (Si) 元件更小、更快、更可靠、更高效。目前，全球约有一半的总能源消耗是电力，预计到 2030 年，80% 的电力将通过电力电子设备流动。然而，基础科学和材料科学还有很大的发展空间；宽带隙材料确实无处不在；几乎整个地壳都是由宽带隙氧化物形成的，还有许多硫族化合物、卤化物、有机和生物材料也是宽带隙材料，还有许多其他可能性。本期特刊是一系列文章的集合，报告了最近获得的结果的简要评论以及在这一广泛研究领域产生的新发现。
激光诱导的galfenol嵌入式多层石墨烯 -
提出的工作证明了首次在水基溶液中直接在水基溶液中直接烧蚀甘芬醇直接合成了纳米材料包裹的激光诱导的几层石墨烯。激光诱导的多层石墨烯 - 氧化物（GO）嵌入了galfenol（gallium – Inroy Alloy）纳米颗粒（NPS）（NPS）是通过直接在Deionization（DI）水中的散装galfenol直接铭文（DI）水中用flestoctecond laser laser烧蚀而产生的。通过在1040 nm处辐射近红外（IR）飞秒激光器在溶液中浸没在溶液中的溶液和较小浓度（5％/wt。） 聚乙烯基吡咯烷酮的，然后在纯di水中进行第二次消融。 结果显示，纳米颗粒的平均直径约为30 nm，嵌入了go板中，可见折叠的折叠折叠在约0.63 nm处。 在激光消融过程中，铁和凝胶移位的组成少于2％，而几层GOETS的组成表现出与散装石墨相似的拉曼峰。，然后在纯di水中进行第二次消融。结果显示，纳米颗粒的平均直径约为30 nm，嵌入了go板中，可见折叠的折叠折叠在约0.63 nm处。在激光消融过程中，铁和凝胶移位的组成少于2％，而几层GOETS的组成表现出与散装石墨相似的拉曼峰。
发光二极管（LED）
构造LED（发光二极管）是使用半导体磁盘（如砷化衣或硝酸甘油）构建的。它包含一个具有正电荷载体和带负电荷载体的N型区域的P型区域，形成了P-N连接。该连接促进了从N型到P型区域的电子10次，从而导致重组和光子发射。发射的光子根据半导体的能量带隙创建可见光，LED的设计影响了效率和方向性。LED的工作原理1.血管导向器结构：LED由一个半导体组成，该半导体具有P型（带正电荷）和N型（负电荷）区域。当跨P-N连接施加电压时，电子从N型移动到P型区域。2.电子孔重组：电子和孔（缺少电子）在连接处相遇并重组。此过程释放
Selective Growth of GaP Crystals on CMOS-Compatible Si Nanotip Wafers by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
ABSTRACT: Gallium phosphide (GaP) is a III − V semiconductor with remarkable optoelectronic properties, and it has almost the same lattice constant as silicon (Si). However, to date, the monolithic and large-scale integration of GaP devices with silicon remains challenging. In this study, we present a nanoheteroepitaxy approach using gas-source molecular-beam epitaxy for selective growth of GaP islands on Si nanotips, which were fabricated using complementary metal − oxide semiconductor (CMOS) technology on a 200 mm n-type Si(001) wafer. Our results show that GaP islands with sizes on the order of hundreds of nanometers can be successfully grown on CMOS-compatible wafers. These islands exhibit a zinc-blende phase and possess optoelectronic properties similar to those of a high-quality epitaxial GaP layer. This result marks a notable advancement in the seamless integration of GaP- based devices with high scalability into Si nanotechnology and integrated optoelectronics. ■ INTRODUCTION
先进半导体器件技术
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术正在彻底改变现代国防射频和电子战系统。该技术能够以高线性度和高效率在高频下提供高功率。由于这些优势，它被广泛应用于雷达、卫星通信和军事地面通信等各种应用中。基于 GaN 的 HEMT 技术比现有的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 具有显著优势，尤其是在射频功率应用方面。这主要是因为 GaN 器件具有非常高的击穿场，因此能够在更高的电压下工作。此外，GaN 器件的阻抗要高得多，因此在射频功率放大器集成电路中对匹配网络的要求就更低了。总体而言，与竞争对手的射频相比，GaN 技术可以将射频 IC 的尺寸缩小十倍甚至更高
乌克里电池生态系统资金案例研究
AI人工智能ASIC应用特定的集成电路AQNMOL先进的量子纳米材料和光电实验室B2B业务B2C业务向消费者CS COS复合半导体CSA CSA复合半导体应用CPU CPU中央处理单位CMOS辅助金属氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化型。dbt商业和贸易系科学系，创新和技术部DRAM动态随机记忆EDA电子设计自动化EIS企业投资计划ETRI电子和电信研究所欧洲欧盟欧盟FET FET国内生产总值HBM高带宽内存HBT异质结双极晶体管IC集成电路ICT信息和通信技术IIT工业Internet
第57 ssag的分钟，19.06.2024
15。项目编号sntmom/1171/2024项目名称从钛和铁矿石工业浪费机构中提取甘露批准机构CSIR-国家跨学科科学与技术研究所，Thiruvananthapuram＆Jawaharlal Nehru Nehru Nehru铝铝研究开发与设计中心
新闻稿
欧盟研究：氮化镓制成的节能芯片可提高效率并减少二氧化碳排放量 菲拉赫，2022 年 11 月 23 日——欧洲研究团队开发了由半导体材料氮化镓制成的紧凑、低成本节能芯片。这为电动汽车无线充电、将可再生能源整合到电网以及实现可持续的 5G 部署开辟了能源效率的新维度。紧迫的能源转型、减少二氧化碳排放和不断增长的能源需求是我们这个时代的挑战性话题。效率比以往任何时候都更加重要。高效地产生、控制和使用能源是数字化和脱碳的关键杠杆。智能技术和氮化镓 (GaN) 等新型半导体材料在这里发挥着关键作用。GaN 功率半导体可在小空间内提供更多功率，节省能源，从而最大限度地减少二氧化碳排放量。在“UltimateGaN”研究项目中，来自科学和工业领域的团队已将任务设定为使 GaN 技术的优势可用于许多应用。结果是开创性的。材料和工艺技术的进一步发展使得未来能够以具有全球竞争力的成本提供高效、紧凑的GaN节能芯片。许多应用都可以从中受益——从电动汽车的无线充电到太阳能低损耗、平稳接入电网，再到5G网络的快速、经济高效扩张。例如在能源效率方面，为电动汽车无线充电开发的原型能够以96%的效率传输能量。相比之下，目前市场上的系统的效率最多为93%。能源效率提高3%，到2030年每年可以减少约170万吨二氧化碳，这大致相当于约一百万辆内燃机汽车的排放量。英飞凌科技奥地利公司首席执行官 Sabine Herlitschka 表示：“能源效率是节约能源和减少二氧化碳排放的全球最大资源之一。氮化镓功率半导体是可持续发展的真正领跑者。结果表明，欧洲的研究对能源效率做出了决定性的贡献。每一个百分点都很重要，是
钱德勒市半导体和电子制造公司
NXP：位于钱德勒上城区的园区拥有约 1,700 名员工。NXP 最近投资 1 亿美元，将其工厂打造成世界上最先进的氮化镓半导体工厂之一。该工厂支持多种用途，目前已具备为新兴 5G 应用提供组件的能力。