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欧盟研究：氮化镓制成的节能芯片可提高效率并减少二氧化碳排放量 菲拉赫，2022 年 11 月 23 日——欧洲研究团队开发了由半导体材料氮化镓制成的紧凑、低成本节能芯片。这为电动汽车无线充电、将可再生能源整合到电网以及实现可持续的 5G 部署开辟了能源效率的新维度。紧迫的能源转型、减少二氧化碳排放和不断增长的能源需求是我们这个时代的挑战性话题。效率比以往任何时候都更加重要。高效地产生、控制和使用能源是数字化和脱碳的关键杠杆。智能技术和氮化镓 (GaN) 等新型半导体材料在这里发挥着关键作用。GaN 功率半导体可在小空间内提供更多功率，节省能源，从而最大限度地减少二氧化碳排放量。在“UltimateGaN”研究项目中，来自科学和工业领域的团队已将任务设定为使 GaN 技术的优势可用于许多应用。结果是开创性的。材料和工艺技术的进一步发展使得未来能够以具有全球竞争力的成本提供高效、紧凑的GaN节能芯片。许多应用都可以从中受益——从电动汽车的无线充电到太阳能低损耗、平稳接入电网，再到5G网络的快速、经济高效扩张。例如在能源效率方面，为电动汽车无线充电开发的原型能够以96%的效率传输能量。相比之下，目前市场上的系统的效率最多为93%。能源效率提高3%，到2030年每年可以减少约170万吨二氧化碳，这大致相当于约一百万辆内燃机汽车的排放量。英飞凌科技奥地利公司首席执行官 Sabine Herlitschka 表示：“能源效率是节约能源和减少二氧化碳排放的全球最大资源之一。氮化镓功率半导体是可持续发展的真正领跑者。结果表明，欧洲的研究对能源效率做出了决定性的贡献。每一个百分点都很重要，是
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