*通讯作者:托比亚斯·海因德尔(Tobias Heindel),柏林技术大学固态物理研究所,Hardenbergstraße36,10623柏林,德国,电子邮件:tobias.heindel@tu-berlin.de。https://orcid.org/0000-0003-1148-404x Lucas Rickert,Daniel A. Vajner,Martin von Helversen,Sven Rodt和Stephan Reitzenstein,固态物理学研究所lucas.rickert@tu-berlin.de(L。Rickert)。https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L.Rickert)。 https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A. vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L.Rickert)。https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A. vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A.vajner)。https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0002-9566-6635(Z.Niu)PawełWyborski,弗罗克瓦夫(Wroclaw)的实验物理学系,斯坦尼斯·威斯皮亚斯基(StanisławWyspiański)27,50-370-Poloclaw,poloclaw,poland,wroclaw Unive Science of Science of Science of Science of Science and Inive Science of Science and Inive Science of Science and Technology of Science of Science and Technoic丹麦技术大学电气和光子学工程系,2800,KGS,Lyngby,Denmark Grzegorzsęk和AnnaMusiał,AnnaMusiał,弗罗克瓦夫科学与技术大学实验物理系,StanisławWyspiański海岸,Poland,50-370 Wroclaw。
RicardaTörner将于2025年加入UZH,将在本质上的研究中增加解决方案
光力学晶体腔(OMCC)是广泛现象和应用的基本纳米结构。通常,此类OMCC中的光力相互作用仅限于单个光学模式和独特的机械模式。从这个意义上讲,消除单个模式约束(例如,通过添加更多的机械模式)应启用更复杂的物理现象,从而产生多模光学相互作用的背景。然而,仍然缺少一种以控制方式以多种机械模式产生多种机械模式的一般方法。在这项工作中,我们提出了一条途径,将多种GHz机械模式限制在与OMCC工程相似的光学耦合率(最高600 kHz)的相同光场的途径。本质上,我们在腔中心和镜像区域之间的绝热过渡中增加了单位细胞的数量(由圆形孔在其两侧的圆形孔中穿孔)。值得注意的是,我们的空腔中的机械模式位于完整的语音带隙内,这是在低温温度下实现超高机械Q因子的关键要求。使用标准的硅纳米技术在完整的语音带隙中的多模bevavior和实现的简单性使我们的OMCC对在经典和量子领域中的应用高度吸引人。
• AESA 雷达 • 电信 • 仪器仪表 描述 CGY2170YHV/C1 是一款在 X 波段工作的高性能 GaAs MMIC T/R 6 位核心芯片。该产品有三个 RF 端口,包括三个开关、一个 6 位移相器、一个 6 位衰减器和放大器。它的移相范围为 360°,增益设置范围为 31.5 dB。移相器和第一放大器级之间还有一个电压可变衰减器,用于增益控制。它覆盖的频率范围为 8 至 12 GHz,并在 10 GHz 时提供 5.8 dB 的增益。带有串行输入寄存器的片上控制逻辑最大限度地减少了控制线的数量,并大大简化了该设备的控制接口。该芯片采用 0.18 µm 栅极长度 ED02AH pHEMT 技术制造。 MMIC 采用金焊盘和背面金属化,并采用氮化硅钝化进行全面保护,以获得最高水平的可靠性。该技术已针对太空应用进行了评估,并被列入欧洲航天局的欧洲首选部件清单。
摘要CCAT PRIME项目的Fred Young Simbillimimeter望远镜上的主要CAM接收器旨在通过敏感的宽带,极性计和光谱测量来解决重要的天体物理和宇宙学问题。开发中的主要频率频段包括对极化敏感的宽带通道的280、350和850 GHz,对于光谱仪来说包括210-420 GHz。微波动力学电感检测器(MKID)是探测器技术的自然选择,在这些高频下,大格式阵列所需的多种式读数的简单性。我们在这里提出了FeedHorn耦合280 GHz极化MKID阵列的初始实验室表征,并概述了后续MKID阵列的计划以及测试台的开发以表征它们。
图表 图 1 接收器架构 [7] .................................................................................................... 6 图 2 用于生成 S 参数的输入和输出端口。 [8] ........................................................... 6 图 3 体 CMOS 与 FD-SOI 结构 [9] .............................................................................. 8 图 4 共栅极放大器(左)共源放大器(右) ........................................................ 10 图 5 级联电感退化 CS LNA 原理图 ........................................................................11 图 6 测试台设置 ......................................................................................................................... 14 图 7 Cpad 的参数扫描 ............................................................................................................. 15 图 8 理想元件的 S11 行为 ............................................................................................................. 16 图 9 所需频带的 S21 行为宽度 ............................................................................................................. 17 图 10 S21 带宽 ............................................................................................................................. 18 图 11 理想元件的噪声系数 ............................................................................................................. 19 图 12 增益(单位为 dBm) ............................................................................................................. 20 图 13 非理想元件的 S11 行为 ............................................................................................................. 21 图 14 非理想元件的 S21 行为........................................................................... 22 图 15 S21 带宽 ...................................................................................................................... 23 图 16 非理想元件的噪声系数 ...................................................................................................... 24 图 17 功率增益 ...................................................................................................................... 25 图 18 完整布局 ...................................................................................................................... 26 图 19 电阻器 MOSFET 和电容器的放大布局。 ............................................................. 27
1 Institute of Solid State Physics, Technical University Berlin, Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin, Germany 2 Department of Optics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeże Stanisława Wyspiańskiego 27, 50-730 Wroclaw, Poland 3 State Key Laboratory for Superlattice and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy中国北京100083科学,北京4材料科学与光电工程中心,中国科学院,北京大学100049,中国100049,中国5个实验物理学系,弗罗克劳夫科学技术系,Wybrze问StaniSławaWyspiańskiego27丹麦,2800,公斤。Lyngby,丹麦 *通讯作者:lucas.rickert@tu-berlin.de,zcniu@semi.ac.cn,tobias.heindel@tu-berlin.deLyngby,丹麦 *通讯作者:lucas.rickert@tu-berlin.de,zcniu@semi.ac.cn,tobias.heindel@tu-berlin.de
摘要 本文研究了一种具有可变增益控制的 60 GHz 低功耗宽带低噪声放大器 (LNA)。为了证明这一概念,该电路采用 22 nm 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) CMOS 技术实现。它通过增益峰值(增益分配)技术支持 60 GHz 的宽带操作。通过调整放大器的一些关键匹配网络,每级的峰值增益被分配到不同的频率,从而产生整体宽带频率响应。该电路由三个级联共源共栅放大器级组成。匹配网络针对带宽和噪声系数进行了优化。晶体管背栅用于 LNA 设计,以将电路切换到低功耗待机模式。这避免了基于前栅的切换在电压击穿和电路稳定性方面的问题。此外,通过背栅实现了在如此高频率下同时实现可变增益控制。与基于前栅的相比,基于背栅的可变增益控制可以实现增益的连续微调,同时对控制电压的精度或分辨率要求较低。在测量中,增益通过背栅成功从 20 dB 调低至 − 25 dB。在 1 V 标称电源的 8.1 mW 直流功率下,LNA 提供 20 dB 的峰值增益、18.5 GHz 的带宽和 3.3 dB 的最小噪声系数。当偏置在 0.4 V 的降低直流电源下时,所给出的电路仅消耗 2.5 mW 的直流功率,并且仍然提供 10 dB 的功率增益和约 4.5 dB 的最小噪声系数。通过切换到待机模式,LNA 在标称电源下消耗 850 µ W 的直流功率,在降低电源下消耗 240 µ W 的直流功率。与之前报告的设计相比,LNA 表现出色,具有最低的噪声系数以及具有竞争力的增益、带宽和直流功率。据作者所知,这是第一款通过单独的背栅偏置具有联合可变增益控制和切换功能的 60 GHz LNA。
遥感或地球观测 (EO) 卫星监测地球表面、地下和自然现象。在过去三十年中,EO 能力不断增强。截至 2023 年 5 月,约有 1,200 艘 EO 政府和商业航天器投入运营。[3] 但它们正面临威胁。即将召开的 2027 年国际电信联盟 (ITU) 世界无线电通信大会 (WRC-27) 正在考虑允许在以下当前分配和使用的 EO 频率中部署国际移动电信 (IMT)、未来第六代 (6G) 移动和固定服务 (IMT-2030):7125-7235 MHz;7235-7250 MHz;和 8025-8400 MHz(7/8 GHz 或 X 波段)。目前,EO 社区在这些关键频率上运营。为了保留这些主力 EO 频率用于当前和未来的部署,本白皮书建议反对在 7125-7235 MHz、7235-7250 MHz 和 8025-8400 MHz 频段进行任何 IMT 识别。
摘要 - 我们提出了220 GHz Mi-lowAve动力电感检测器(MKID)像素的更新设计,用于SPT-3G+,这是South Pole望远镜的下一代相机。我们显示了具有平均诱导质量因子Q I = 4的63像素阵列的暗测试结果。8×10 5,铝电感器过渡温度t c = 1。19 K和动力敏感分数αk = 0。32。我们将微带耦合和CPW耦合的谐振器视为光学表征,并发现两者都具有接近预测的光谱响应,光效率为η〜70%。然而,我们发现频带下边缘的光学响应略低于所预测的,而相邻的黑暗检测器在该区域显示出更多的响应,尽管相对于光学检测器的频率低于5%的频率一致。检测器显示出与期望一致的极化响应,两个检测器取向的交叉响应约为10%。