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AlN/GaN/AlN 高电子器件中 94 GHz 时为 2.2 W/mm
通过AlGaN/GaN/InGaN结构实现8 W mm 1，通过N极性GaN HEMT实现94 GHz时8 W mm 1 [3]。这些结果对于商业（5G及以上、汽车雷达）和国防（SATCOM、雷达）应用越来越重要，所有这些应用都在向毫米波频率范围（30 – 300 GHz）推进。为了进一步提高GaN HEMT的优势，我们的研究小组在氮化铝（AlN）缓冲层上引入了HEMT。[4 – 6]通过用AlN替换AlGaN顶部势垒并用AlN替换典型的GaN缓冲层，AlN/GaN/AlN异质结构具有更高的热导率、改善了薄GaN通道（<30nm）的载流子限制，并且与其他传统顶部势垒材料（如AlGaN或InAlN）相比，顶部势垒具有出色的垂直可扩展性。其他研究小组也展示了基于AlN 的器件的有希望的结果，包括基于AlN 衬底的HEMT，在X 波段实现15 W mm 1 [7] ，AlN 缓冲区击穿功率为 5 MV cm 1 [8] 。已经展示了使用AlN 顶部势垒的HEMT，包括GaN HEMT 记录f T = f max 为454/444 GHz，[9 – 11] PAE 为27% ，相关输出功率为1.3 W的W 波段功率放大器，[12] 噪声系数小于2的K a 波段低噪声放大器，[13] 以及40 GHz 时为4.5 W mm 1 [14] 。所有这些器件都基于AlN/GaN/AlGaN 异质结构。 AlN/GaN HEMT 已显示出 Ga 极性 HEMT 在 W 波段的创纪录输出功率，在 94 GHz 时 P out ¼ 4 W mm 1。[15] 除了射频 (RF) HEMT 之外，氮化铝还具有单片集成大电流 GaN/AlN p 型场效应晶体管 (pFET) [16 – 18] 和晶体 AlN 体声波滤波器 [19] 的潜力，这两者都是通过 AlN 缓冲层实现的。SiC 衬底以衬底集成波导 (SIW) 和天线的形式实现了进一步的集成。[20] 这种集成生态系统被称为 AlN 平台，使高功率氮化物互补金属氧化物半导体 (CMOS)、RF 滤波器、单片微波集成电路 (MMIC) 以及 RF 波导和天线共存于一个单片芯片上。[21]
CMOS前端用于插入自旋式霍尔纳米振荡器，用于GHz范围的神经形态计算
摘要：自旋效应的纳米振荡器在当前可用的CMO设备之外有望，并且有可能用于模仿计算神经元系统中神经元的功能。当它们在4-20 GHz范围内振荡时，它们有可能用于构建高速加速的神经硬件平台。然而，由于它们的产出极低的信号水平和高阻抗以及其微波范围的工作频率，因此，当使用CMOS技术实施其状态读出电路时，SHNO是否振荡是否会带来巨大的挑战。本文介绍了第一个CMOS前端读出电路，该电路在180 nm上实施，以shno振荡频率高达4.7 GHz，设法辨别了100 µV的SHNO SHNO幅度，即使对于障碍物的障碍也达到300ω，并且噪声效果高达300ω，并且噪声效果为5.3 db db 300ω。提出了该前端的设计流以及其每个块的架构。对低噪声放大器的研究在设计中的固有困难中加深了深化，满足了SHNOS的特征。
10 GHz 光电探测器
EOT 的 <10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管，利用光伏效应将光能转换为电流。当端接至示波器上的 50 Ω 时，可以测量激光的脉冲宽度。当端接至频谱分析仪上的 50 Ω 时，可以测量激光的频率响应。
氮化硅上的 UTC 光电二极管可实现 300 GHz 的 100 Gbit/s 太赫兹链路
简介：下一代无线网络将依靠更小的蜂窝和更大的带宽来增加容量。通过保持无线电头硬件简单，光纤无线电技术可以实现这种密集的基站网络。利用硅光子技术实现基站硬件的小型化，可以降低尺寸和成本。对于微波光子应用，氮化硅 (SiN) 平台提供损耗极低的波导和一些最好的集成滤波器。然而，随着转向更高的载波频率，在毫米波和太赫兹频段，对光电二极管带宽的要求也会增加。当前的 SiN 平台缺少这种光电二极管，因此阻碍了高频微波光子应用。[1] 我们展示了一种 300 GHz 的通信链路，该链路由 SiN 上的异构集成单行载波 (UTC) 光电二极管作为发射器中的光电换能器实现。
具有 110 fs 抖动的 56 GHz 小数 N PLL
I. 引言随着通信系统追求更高的性能，低抖动时钟生成问题变得更具挑战性。例如，以 112 Gb/s 或 224 Gb/s 运行的 PAM4 发射器可以结合 56 GHz 锁相环 (PLL) 进行多路复用。这样的应用对设计提出了三个条件。首先，对于 224 Gb/s 的数据速率，PLL 抖动必须远低于符号周期，例如约 100 fs。其次，PLL 最好实现为小数 N 环路，以便以不同的晶体频率运行并可能纠正晶体误差。第三，多通道系统使得每通道使用低功耗、紧凑的 PLL 设计成为可取的，而不是在通道和长互连上分配 56 GHz 时钟。在此频率范围内，先前的小数 N 分频设计已实现 200 至 500 fs 的均方根抖动，同时功耗为 31 至 46 mW，所需芯片面积为 0.38 至 0.55 mm2 [1], [2], [3]。本文提出了一种小数 N 分频 PLL 架构和多种电路技术，可实现 110 fs 的均方根抖动和 23 mW 的功耗。实验原型采用 28 纳米 CMOS 技术制造，占用有效面积为 0.1 mm2。第二部分介绍了这项工作的背景。第三部分介绍了所提出的有限脉冲响应 (FIR) 滤波器和
2.45 GHz 电磁场暴露对大鼠认知功能及脑电图记录的评估
空间记忆负责记录和处理有关环境的信息，而记忆则对获得的信息进行编码、存储和检索（3）。空间记忆是记忆的一部分，负责记录和处理有关生物体环境的感觉数据，主要使用视觉和本体感受。哺乳动物通常需要具有特定功能的海马体 CA1 区来创建空间属性和数据。空间记忆需要 N-甲基-D-天冬氨酸 (NMDA) 和 α-氨基-3-羟基-5-甲基-4-异恶唑丙酸酯 (AMPA) 受体。NMDA 受体用于强化信息，而 AMPA 受体用于回忆信息。NMDA 受体在中枢神经系统 (CNS) 的突触功能中起着至关重要的作用 (4,5)。电磁场已被证明会导致去甲肾上腺素和多巴胺减少
ALP291 71–86 GHz 低噪声放大器
初步信息：本文档中包含的数据描述了处于开发样品或预生产阶段的新产品，仅供参考。诺斯罗普·格鲁曼保留更改适用于本产品的特性数据和其他规格的权利，恕不另行通知。本数据表所代表的产品受 EAR 法规中所含的美国出口法的约束。
采用脊基片集成波导的宽阻带 220 至 330 GHz 歧管三工器
摘要 — 本文报道了一种三通道、非连续、流形多路复用器，工作频率为 220 至 330 GHz，工作带宽为 40%。该结构采用一组脊状基片集成波导 (SIW) 进行设计和实现。与传统 SIW 设计相比，脊状 SIW 提高了阻带带宽，并将整体结构尺寸缩小了 35%。三工器采用英特尔开发的有机封装基板技术，具有四层厚铜金属层和连续沟槽通孔代替标准通孔围栏，可显著降低脊状 SIW 波导的欧姆损耗。在三工器结构的开发中采用了电磁电路建模和协同设计技术。使用带状毫米波晶圆探测测量制造的三工器，通带中的插入损耗为 3 ∼ 7 dB，每个通道滤波器的平均回波损耗优于 10 dB。测得的三个通道的阻带衰减均优于 27 dB。
论文 用于可重构量子网络的 GHz 脉冲纠缠光子源
摘要 纠缠是量子网络中的通用资源，但纠缠光子源通常是为特定用例定制的。多功能性（包括状态调制和光子时间特性的可调谐性）是灵活网络架构和加密原语的关键，这些原语超越了量子密钥分发。本文，我们报告了一种灵活的源设计，可在连续波和 GHz 速率脉冲操作模式下产生高质量纠缠。利用现成的光学元件，我们的方法使用基于光纤的 Sagnac 环以高效率和高于 0.99 的保真度在电信波长下产生偏振纠缠光子。在产生纠缠态之前，高达 GHz 的相位调制也是可能的，以实现快速纠缠态切换。我们展示了 100 MHz 的相位调制，平均保真度为 0.95。此外，源 60 nm 光谱带宽与完全可重构的波长复用量子网络完全兼容。
APN244 24 – 28 GHz GaN 功率放大器
i. 施加负栅极电压 (-8 V) 以确保所有器件均已关闭 ii. 将漏极偏压升高至约 10 V iii. 逐渐增加栅极偏压电压，同时监测漏极电流，直到达到工作电流的 20% iv. 将漏极升高至工作偏压 v. 逐渐增加栅极偏压电压，同时监测漏极电流，直到达到工作电流 e. 要安全地对 GaN 器件进行去偏压，请先对输出放大器级进行去偏压（如果适用）：