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APN311 27-31 GHz GaN 功率放大器 - 诺斯罗普·格鲁曼
初步信息：本文档中包含的数据描述了处于开发采样或预生产阶段的新产品，仅供参考。诺斯罗普·格鲁曼保留更改适用于本产品的特性数据和其他规格的权利，恕不另行通知。本数据表所代表的产品受美国出口法（EAR 法规中规定）的约束。
APN226 13.5-15.5 GHz GaN 功率放大器
初步信息：本文档中包含的数据描述了处于开发采样或预生产阶段的新产品，仅供参考。诺斯罗普·格鲁曼公司保留更改适用于本产品的特性数据和其他规格的权利，恕不另行通知。本数据表所代表的产品受美国出口法，包含 EAR 法规
APN318 47.2-51.4 GHz GaN 功率放大器
推荐组装说明 1. 旁路电容应为 100 pF（大约）陶瓷（单层），放置位置距放大器不超过 30 mil。 2. 在输入和输出上使用 <10 mil（长）x 3 x 0.5 mil 的带状线可获得最佳性能。 3. 必须按照指示从两侧偏置部件。 4. 如果漏极电源线干净，则不需要 0.1uF、50V 电容器。 如果要使用设备的漏极脉冲，请勿使用 0.1uF、50V 电容器。 安装过程
APN236 34.5-35.5 GHz GaN 功率放大器
频率 GHz S11 角度 S11 角度 S21 角度 S21 角度 S12 角度 S12 角度 S12 角度 S22 角度 S22 角度 27.0 0.062 -129.237 0.551 90.459 0.010 177.923 0.116 160.920 27.5 0.077 -125.081 0.649 76.292 0.005 -126.794 0.113 141.866 28.0 0.089 -124.663 0.761 61.180 0.007 171.615 0.114 139.036 28.5 0.106 -125.311 0.902 45.683 0.007 -17.647 0.107 126.936 29.0 0.117 -130.964 1.065 29.516 0.017 67.959 0.070 111.208 29.5 0.128 -130.821 1.249 12.396 0.006 -1.088 0.062 103.935 30.0 0.143 -136.975 1.476 -4.753 0.009 -8.184 0.049 96.472 30.5 0.149 -142.520 1.751 -22.671 0.009 -29.238 0.039 86.803 31.0 0.154 -145.023 2.077 -41.829 0.012 61.068 0.036 90.848 31.5 0.163 -149.449 2.479 -61.162 0.022 -38.946 0.022 90.737 32.0 0.157 -158.027 3.009 -81.541 0.009 -39.383 0.042 68.986 32.5 0.156 -156.492 3.673 -104.231 0.010 -36.304 0.076 44.451 33.0 0.175 -166.626 4.510 -129.040 0.008 -38.664 0.097 24.045 33.5 0.158 -169.736 5.423 -157.652 0.005 -73.290 0.166 -7.068 34.0 0.171 -172.923 6.199 171.300 0.009 170.415 0.206 -33.959 34.5 0.170 -179.975 6.789 138.762 0.007 162.191 0.287 -57.177 35.0 0.163 170.699 6.843 104.802 0.005 -44.847 0.285 -88.319 35.5 0.133 159.436 6.597 72.388 0.002 -169.966 0.288 -114.610 36.0 0.099 160.157 5.923 41.110 0.002 -152.664 0.200 -131.942 36.5 0.096 176.977 5.214 11.642 0.019 97.367 0.148 -151.591 37.0 0.097 174.694 4.457 -14.876 0.007 -64.029 0.135 -143.436 37.5 0.098 173.890 3.794 -39.019 0.013 90.975 0.101 -140.993 38.0 0.103 170.171 3.254 -62.351 0.001 -124.170 0.109 -124.125 38.5 0.091 163.837 2.792 -84.302 0.005 53.455 0.104 -119.409 39.0 0.080 159.494 2.428 -105.377 0.016 25.244 0.108 -120.721 39.5 0.053 165.906 2.147 -125.734 0.013 15.571 0.127 -126.500 40.0 0.050 -166.535 1.912 -146.866 0.015 -40.561 0.116 -140.360 40.5 0.056 -156.522 1.704 -167.600 0.017 117.350 0.145 -129.641 41.0 0.084 -150.528 1.553 171.997 0.019 73.426 0.146 -138.203 41.5 0.106 -158.190 1.443 150.600 0.005 -23.626 0.184 -133.685 42.0 0.121 -168.906 1.381 127.874 0.008 72.289 0.201 -139.224 42.5 0.133 169.169 1.348 100.131 0.006 126.788 0.188 -141.730 43.0 0.105 162.178 1.254 66.104 0.023 165.530 0.197 -136.312
采用 130 nm SiGe BiCMOS 技术的适用于通信应用的宽带 300 GHz 功率放大器
摘要 — 介绍了一种用于 300 GHz 左右高速通信的宽带三级伪差分 SiGe 互连双极晶体管 (HBT) 功率放大器 (PA)。该放大器采用实验性的 130 nm SiGe BiCMOS 技术制造，ft / f max 为 470/650 GHz。建议使用非对称耦合线变压器在所有放大器接口处进行器件电抗补偿，以促进宽带阻抗变换。该放大器的最大小信号功率增益为 23.0 dB，P sat /OP 1 dB 分别高达 9.7/6.7 dBm。它在小信号操作中显示 63 GHz（239-302 GHz）的 3-dB 带宽，在饱和时显示 94 GHz（223-317 GHz）的 3-dB 带宽。该放大器在 3 V 电源电压下消耗大约 360 mW，在 260 GHz 时产生 1.95% 的峰值功率附加效率 (PAE)。
Frank Herzel*、Thomas Mausolf 和 Gunter Fischer 一种用于低抖动多 GHz 频率合成的新型架构
摘要：提出了一种由晶体振荡器和自由运行介质谐振器振荡器 (DRO) 驱动的锁相环 (PLL) 级联。为了最大限度地降低相位噪声、杂散音和抖动，使用较低 GHz 范围内的可编程 PLL1 来驱动具有固定倍频因子的毫米波 (mmW) PLL2。相位噪声分析得出两个 PLL 的两个最佳带宽，以使级联的输出抖动最低。通过分频 PLL1 的输出频率并通过由 DRO 驱动的单边带 (SSB) 混频器对其进行上变频，可以进一步降低 PLL1 中的相位噪声和杂散音 (杂散)。通过将 SSB 混频器纳入 PLL1 的反馈环路中，可以避免手动调整 DRO，并且可以采用低噪声自由运行 DRO。本文介绍了 SiGe BiCMOS 技术中的一种示例设计。
美国-泰国 6 GHz 频谱
约翰·布雷登斯坦是一名职业高级外交官，于 2019 年 8 月开始担任美国驻曼谷大使馆商务公使衔参赞和东盟地区高级商务官员。在担任现职之前，约翰曾任美国驻欧盟代表团商务公使衔参赞和欧洲高级商务官员（2015-2019 年）；驻伦敦商务公使衔参赞（2011-2015 年）；美国驻墨西哥埃莫西约总领事（2008-2011 年）；欧洲和欧亚地区主任（2006-2008 年）；以及美国驻墨西哥城大使馆商务参赞（2003-2006 年）。在 2002 年被任命到美国驻阿富汗喀布尔大使馆从事重建相关工作之前，约翰曾在以下地点任职：土耳其安卡拉（1997-2002 年）；乌兹别克斯坦塔什干（1994-97 年）；科威特科威特城（1991-93 年）和德国慕尼黑（1990-91 年）。在 1990 年加入外交部门之前，约翰曾在迈阿密大学（1987-88 年）和柏林自由大学（1988-89 年）学习国际关系，并在纽约市和亚特兰大的国际纸业公司担任客户经理（1984-87 年）。约翰于 1984 年毕业于北卡罗来纳州戴维森学院，与墨西哥马萨特兰的 Judith Valdes 结婚。他们有三个孩子——维克多·曼努埃尔、索菲亚·格雷斯和约翰·戴维。
400 MHz 带宽的 2.4 GHz LNA 的设计
摘要 ：低噪声放大器 (LNA) 是接收器最重要的前端模块。LNA 的噪声系数 (NF) 和散射参数影响整个接收器电路的整体性能。如今，在 5G 技术时代，传输数据的质量得到了提高。因此，需要更高的带宽来以更高的速度传输数据。在这种情况下，通信模块需要更新。这项研究是为了推动 LNA 的发展。LNA 设计的主要目标是降低噪声系数和回波损耗。本文旨在设计一个带宽为 400 MHz 的 2.4 GHz LNA。该电路是借助单短截线微带线设计的。我们试图将微带线的长度保持在尽可能短的范围内。这项工作中使用了晶体管 ATF-21170 砷化镓场效应晶体管 (GaAs FET)。该电路在 Keysight Advance Design System (ADS) 中进行了仿真。该放大器采用标准方法手工设计。LNA 在 2.2 GHz 至 2.6 GHz 的频率范围内无条件稳定。为了构建放大器的阻抗匹配电路，使用了史密斯图。观察到 LNA 增益 (S21) 大于 15.3 dB，NF 小于 1.2 dB，输入回波损耗 (S11) 小于 -13.3 dB，输出回波损耗 (S22) 小于 -17.1 dB，带宽为 400 MHz，范围从 2.2 到 2.6 GHz。据作者所知，这在文献中从未出现过。
高效 142–182-GHz SiGe BiCMOS 功率...
摘要 — 本文提出了一种高效宽带毫米波 (mm-Wave) 集成功率放大器 (PA)，该放大器采用了基于低损耗槽线的功率组合技术。所提出的基于槽线的功率合成器由接地共面波导 (GCPW) 到槽线的过渡和折叠槽组成，可同时实现功率合成和阻抗匹配。该技术提供了一种宽带并联-串联合成方法，可增强毫米波频率下 PA 的输出功率，同时保持紧凑的面积和高效率。作为概念验证，我们在 130 nm SiGe BiCMOS 后端 (BEOL) 工艺中实现了紧凑的四合一混合功率合成器，从而使芯片面积小至 126 µ m × 240 µ m，测量的插入损耗低至 0.5 dB。3 dB 带宽超过 80 GHz，覆盖整个 G 波段 (140-220 GHz)。基于此结构，采用 130 nm SiGe BiCMOS 技术制作了高效毫米波 PA。三级 PA 实现了 30.7 dB 的峰值功率增益、40 GHz 的 3 dB 小信号增益带宽（从 142 GHz 到 182 GHz）、测量的最大饱和输出功率为 18.1 dBm，峰值功率附加效率 (PAE) 在 161 GHz 下为 12.4%。极其紧凑的功率合成方法使核心面积小至 488 µ m × 214 µ m，单位芯片面积的输出功率为 662 mW/mm 2 。
使用间隙波导技术实现 140 GHz 微带至波导的转换
2 理论 3 2.1 电磁辐射基础 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . ...