XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemGaN
垂直 GaN-on-GaN 肖特基势垒二极管中的深能级瞬态傅里叶光谱 (DLTFS) 和等温瞬态光谱 (ITS)
P. Vigneshwara Raja、Christophe Raynaud、Camille Sonneville、Hervé Morel、Luong Viet Phung 等人。垂直 GaN-on-GaN 肖特基势垒二极管中的深能级瞬态傅里叶光谱 (DLTFS) 和等温瞬态光谱 (ITS)。微纳米结构，2022 年，172，第 207433 页。�10.1016/j.micrna.2022.207433�。�hal-04032160�
超高光明绿色Ingan在硅上
总部位于中国的研究者报告说，硅（SI）上的高光泽绿色依赖二氮（INGAN）发光二极管（LED）[Haifeng Wu等人，Light：Science＆Applications，V13，V13，P284，2024]。将外延材料以1080x780格式的7.5μm螺距下的正常大小的LED和5µm像素的阵列。30x30阵列在1000a/cm 2电流注入时达到1.2x10 7 cd/m 2（nit）的亮度，声称是此类微型LED的最高报告。来自匈牙利大学的研究团队，Innovision Technology（Suzhou）Co Ltd，Lattice Power（Jiangxi）Corp，中部南大学，北京数字光学设备IC Design Co Ltd和Hunan Normal University，认为Spectrum的绿色部分对于“准确的色彩再现和整体图像质量”特别重要。微主导的显示被视为在虚拟/增强真实环境中具有即时应用的关键下一代视觉接口。研究人员使用金属有机化学蒸气
基于薄膜氮化镓 (GaN) 的声流体镊子
志勇、苍怀兴和杨鑫 2020. 基于薄膜氮化镓 (GaN) 的声流体镊子：建模和微粒操控。超声波 108，106202。10.1016/j.ultras.2020.106202
全球首款仅使用 GaN 和 SiC 的 AI 数据中心 8.5 kW PSU
Navitas 推出全球首款纯 GaN 和 SiC 新一代 8.5 kW 人工智能数据中心电源，符合 OCP 指南并符合 ORV3.0 标准。这款完整的 GaN 和 SiC 宽带隙解决方案可实现 12 kW 以上的高功率密度解决方案。
GaN HEMT 器件的 AI 辅助场板设计
摘要 GaN HEMT 在高功率和高频电子器件中起着至关重要的作用。在不影响可靠性的情况下满足这些器件的苛刻性能要求是一项具有挑战性的工作。场板用于重新分配电场，最大限度地降低器件故障风险，尤其是在高压操作中。虽然机器学习已经应用于 GaN 器件设计，但它在以几何复杂性而闻名的场板结构中的应用是有限的。本研究介绍了一种简化场板设计流程的新方法。它将复杂的 2D 场板 2 结构转换为简洁的特征空间，从而降低了数据要求。提出了一种机器学习辅助设计框架来优化场板结构并执行逆向设计。这种方法并不局限于 GaN HEMT 的设计，可以扩展到具有场板结构的各种半导体器件。该框架结合了计算机辅助设计 (TCAD)、机器学习和优化技术，简化了设计流程。
9.2 ns 至 1 ms 数字控制多调谐死区时间优化，实现高效的 GaN HEMT 功率转换器
摘要 —本文介绍了一种可调的新型死区控制电路，为电源转换器优化提供最佳延迟。我们的方法可以减少死区损失，同时提高给定电源转换器的效率和功率密度。该电路提供了一个可重构延迟元件，可为具有不同负载和输入电压的不同电源转换应用产生宽范围的死区。推导出降压转换器的最佳死区方程，并讨论了其对输入电压和负载的依赖性。实验结果表明，所提出的电路可以提供宽范围的死区延迟，范围从 9.2 ns 到 1000 ns。针对不同的电容负载 (CL ) 和工作频率 (fs ) 测量了所提出的电路的功耗。在 CL = 12 pF、V dd = 3.3 V 和 fs = 200 kHz 时，该电路在测得的死区范围内消耗的功率在 610 µW 到 850 µW 之间。当选择最小死区时间为 9.2 ns 时，所提出的死区发生器可以运行高达 18 MHz。所提出的电路占用面积为 150 µ m × 260 µ m。将制作的芯片连接到降压转换器以验证所提出的电路的运行。与死区时间为 T DLH = T DHL = 12 ns 的固定转换器相比，具有最小 T DLH 和最佳 T DHL 的典型降压转换器在 I Load = 25 mA 时的效率提高了 12%。
国际 GaN4AP 研讨会：用于先进电力应用的 GaN
研讨会目标 本次活动是一个科学论坛，将汇集来自大学、研究中心和行业、在氮化镓 (GaN) 技术不同领域工作的顶尖专家。研讨会将讨论 GaN 技术的进步及其在电力电子不同领域的应用。特别是，研讨会的目的是讨论电力电子先进技术和材料开发的最新成果，以及电力转换器的 GaN 解决方案。此次研讨会是在正在进行的欧洲项目“用于先进电力应用的 GaN (GaN4AP)”下组织的。这一独特的特点将使致力于 GaN 技术互补方面的不同社区能够互动，从而成为欧洲进一步发展 GaN 研究的有效推动力。
高压 GaN 的科学应用 2024 年 9 月
Integra 的独立托盘功能继续改变 SSPA 格局。随着 SWaPC 2 的飞跃，我们看到之前购买系统的主要人员开始设计自己的系统，因为 Integra 的 HV GaN 大大降低了系统复杂性
GAN微毫无疑问激光器中的多模发射
量子井纳米层通常显示单模激光，因为增益饱和抑制了其他模式的排放。相比之下，对于带有gan量子井的低语画廊模式的微台面激光器作为活性材料，观察到高于阈值的多模激光发射。这种有趣的发射特征表现出了以下事实：几种模式同时在激光开始时显示了输入 - 输出曲线中的特征扭结。纳米层的量子理论用于支持实验发现，并在存在增益饱和的情况下分析这种行为。在相邻模式之间的耦合效应被鉴定为多模磁力的起源，该构图通过类似于经典波浪混合效应的种群脉动在模式之间启动光子交换。降低了这种类型的模式耦合，并显示了增加模式间距。结果可以为在集成光子电路中的多模层应用铺平道路。
GaN 电机……更小、更快、更精确
EPC9147B 是一款接口板，可接受 TI LAUNCHXL 开发套件（例如 F28379D 或 F28069M，该套件具有 TI C2000 微控制器），并连接到兼容的三相 eGaN® FET/IC 电机驱动逆变器板，如右图所示。该接口板允许用户利用现有的 TI InstaSPIN_UNIVERSAL GUI 资源以及 EPC 专用文件来编程控制器板，并使用无传感器磁场定向控制和空间矢量脉冲宽度调制来控制由 eGaN FET/IC 三相逆变器供电的电机。