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用于测量电 - ...
光频率梳（OFC）参与了大量应用，例如计量，电信或光谱。在过去的几年中，已经探索了不同的技术。使用电气调制器（EOM），可以生成完全可调的OFC，该OFC通过应用的电气射频（RF）信号的频率设置了光学重复速率。为了实现芯片OFC发电机，Silicon Photonics是一项非常合适的技术，受益于大规模制造设施，并且有可能将电子设备与EOM整合在一起。但是，重复速率低于10 GHz的OFC可能具有挑战性，因为此类间距小于基于光栅的光谱分析仪的典型分辨率。为了克服这个问题，使用了基于异差检测技术的两种替代解决方案来对电气RF域上的OFC进行成像。第一种技术包括在调制器上同时应用两个频率，并观察结果的两个梳子之间的跳动。另一种方法是观察OFC和输入激光器之间的跳动，一旦该输入激光器的频率通过Acousto-Oc-Oc-Octic调制器从OFC的中心移动。基于两种测量技术，已观察到包含超过10条线的OFC，重复速率从100 MHz到15 GHz。它们是使用基于4毫米的硅耗尽耗尽的手动马赫 - Zehnder调制器（MZM）生成的，其波长为1550 nm。
利用动态异质冗余到...
摘要深度学习（DL）模型的快速发展伴随着各种安全和安全挑战，例如对抗性攻击和后门攻击。通过分析当前有关DL攻击和防御的文献，我们发现攻击和防御之间的持续适应使得无法完全解决这些问题。在本文中，我们建议这种情况是由DL模型固有的AWS引起的，即非泄露性，不识别性和非身份能力。我们将这些问题称为内源性安全和保障（ESS）问题。为了减轻DL中的ESS问题，我们建议使用动态异质冗余（DHR）体系结构。我们认为，引入多样性对于解决ESS问题至关重要。为了验证这种方法的效果，我们跨DL的多个应用领域进行了各种案例研究。我们的实验结果证实，基于DHR体系结构构建DL系统比现有的DL防御策略更有效。
气候变化对发病率的异质影响
本文使用覆盖匈牙利人口的50％的行政数据来研究温度对急诊科（ED）访问的影响，并从2009年到2017年进行了352万次访问。结果表明，当平均温度超过10°C时，ED访问率会增加，这主要是由不导致住院的轻度病例驱动的。更高的湿度会放大热效应，这在连续炎热的日子后也更强。这些发现进一步表明，气候变化的影响 - 当前和未来 - 都是巨大的。在2009年至2017年之间，ED访问的0.66％归因于1950 - 1989年期间的温度变化。此外，到2050年代，与21世纪的前15年相比，根据气候情况，年度ED访问率预计将上升1.24％–1.70％。异质性分析表明，高温和气候变化的未来影响的影响在低收入地区，一般从业者密度较低的地区以及年轻人中的影响不成比例。
Moiré-type I型和II型频带对准的Moiré-tanble定位在Mose 2 /ws 2 Heterobilayer Jiaxuan Guo 1，Zachary H. Withers 2,3，< /div>
摘要：可以通过扭曲角度精确控制的空间变化带对齐和电子和孔定位的Moiré杂波，已经成为研究复杂量子现象的令人兴奋的平台。虽然大多数过渡金属二甲化元素（TMD）的异质分子具有II型带对齐，但引入I型带比对可以实现更强的轻度耦合和增强的辐射发射。在这里，我们通过第一原则GW和贝尔特萨蛋白方程（GW-BSE）的计算以及时间和角度解决的光发射光谱（TR-ARPES）测量的结合，与先前的理解相反，与先前的理解相反，MOSE 2 /WS 2杂波在大型型号和类型IS型构建型和同样的区域均与II的类型II型构建型和相似的区域相反。在不同的高对称区域中以小扭曲角度重建。在Tr-arpes中与我们的计算一致，仅在摩西2中观察到长寿命的电子种群，对于具有较大扭曲角的样品，而在具有小扭曲角的样品中，观察到来自两个不同长寿命的激子的信号。此外，尽管这两层的传导带几乎是堕落的，但仍未发生激发杂交，这表明先前观察到的这种材料中的吸收峰来自晶格的重建。我们的发现阐明了Mose 2 /ws 2异质结构中的复杂能量景观，其中I型和II型带对齐的共存为Moiré-Tonable可调光电设备打开了带有内在的侧面异质结的门。
探索获得性脑损伤后认知触发性异质性：提示理解的聚类分析
Natacha Cordonier，Marion Fossard，YvesTillé，Maud Champagne-Lavau。探索获得性脑损伤后认知务实的异质性：提示理解的聚类分析。《美国语言病理学杂志》，2023，32（6），第2752-2767页。10.1044/2023_AJSLP- 22-00389。hal-04330850
用于 mmW 应用的 C 掺杂 AlN/GaN HEMT 与 AlN/GaN/AlGaN 双异质结构的比较
摘要 — 我们报告了使用两种缓冲层用于毫米波应用的超薄（亚 10 nm 势垒厚度）AlN/GaN 异质结构的比较结果：1) 碳掺杂 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 和 2) 双异质结构场效应晶体管 (DHFET)。观察到碳掺杂 HEMT 结构表现出优异的电气特性，最大漏极电流密度 I d 为 1.5 A/mm，外部跨导 G m 为 500 mS/mm，最大振荡频率 f max 为 242 GHz，同时使用 120 nm 的栅极长度。C 掺杂结构在高偏压下提供高频性能和出色的电子限制，可在 40 GHz 下实现最先进的输出功率密度（P OUT = 7 W/mm）和功率附加效率 (PAE) 组合，在脉冲模式下高达 V DS = 25V 时高于 52%。
机器学习异质催化的原子间潜力
尽管现代催化行业的发展很快，但催化剂设计仍主要基于反复试验的实验手段。结果，催化剂开发和商业化的时间表可能需要10到20年。[1]理解催化中所述的微观机制被认为是催化行业的重要方面，即缩短开发新的异质催化剂的时间范围，其中在催化过程中涉及多个阶段。为促进催化剂，原子建模的结构 - 特性关系的理解，例如，基于力场的依赖计算和经典分子动力学（MD）模拟，已广泛用于探索催化机制和新型异构催化剂的催化机制和设计。在许多情况下，催化过程的原子建模取决于构成催化系统的多体系统的大量能量和力评估。需要考虑明确溶剂的效果，或者需要对纳米颗粒催化剂的尺寸依赖性特性进行建模时，问题就会变得更加复杂，这可以使基于密度功能理论（DFT）基于模拟的模拟可行。[2]因此，我们看到了MLIP在催化研究中的相对较高的应用，例如用于研究催化剂的吸附性能，结构预测和动力学。[3–5]
人类胰腺导管腺癌中的克隆异质性及其对肿瘤进展的影响
（未通过同行评审认证）是作者/资助者。保留所有权利。未经许可就不允许重复使用。该预印本版的版权持有人于2025年2月15日发布。 https://doi.org/10.1101/2025.02.11.637729 doi：Biorxiv Preprint
侧翼序列共转换在调节扭曲...
替换术语[y i | θΩm，ω]，带有φ（z im）δi[1 -φ（z im）] 1 -δi，其中z im = log t i -µ -µ -µ im -µ im -f m（x i）
基于机器学习的评估制造过程对电池电极异质性的影响
电极制造过程强烈影响锂离子电池特性。电极浆料特性和涂料参数是影响电池性能和寿命的电极异质性影响的主要因素。然而，由于可以在此过程中可以调整的大量参数，因此很难对电极制造参数对电极异质性的影响进行分析。在这项工作中，开发了一种数据驱动的方法，以自动评估参数的影响，例如浆料中的配方和液体与固定比，以及用于电流收集器上电极异质性的涂层的差距。通过实验测量产生的数据集用于训练和测试机器学习（ML）分类器，即高斯naives贝叶斯算法，用于预测电极是否均质或异质性，具体取决于制定量参数。通过2D表示，详细评估了制造参数对电极异质性的影响，为优化下一代电池电极的强大工具铺平了道路。