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温度对双极晶体管特性影响的研究
摘要。电子电路板的温度升高会对电子电路产生明显的影响，从而导致电路元件的基本参数发生一些变化。本文旨在研究和分析高温对双极晶体管静态和动态特性的影响。这项研究是通过在不同温度下研究和分析 NPN BJT 晶体管 2SC2120 的几个参数进行的实验。结果表明，随着温度从 25 °C 升高到 130 °C，集电极电流从 0.19 A 显著增加到 0.23 A，电流增益从 0.14 显著增加到 0.22。至于阈值电压，发现其值从 0.6 伏降低到 0.4 伏。结果还表明，对于动态特性，随着温度升高到 130 °C，发射极-基极结的扩散电容从 10.1 nF 增加到 45.02 nF。最后发现，在相同的温度范围内，栅漏结的反向电容从41.4 pF增加到47.3 pF。
Coso Junction PM10 维护计划 SIP 提交通知
1987 年，在 PM 10 标准通过后不久，瑟尔斯谷规划区（瑟尔斯谷）就被认定为未达标区域。瑟尔斯谷的边界包括三个空气区的部分区域：圣贝纳迪诺县空气污染控制区（现为莫哈维沙漠空气质量管理区）的特罗纳规划区、大盆地统一空气污染控制区（区）的科索交界处规划区和克恩县空气污染控制区（现为东克恩空气污染控制区）的印第安维尔斯谷规划区（印第安维尔斯谷）。联邦《清洁空气法案》（法案）第 110(a)(1) 条要求在 1988 年之前向美国环保署提交一份 PM 10 达标计划，美国环保署将该截止日期延长至 1991 年 11 月。1991 年 11 月 25 日，三个空气区联合通过了瑟尔斯谷的 PM 10 未达标计划。
双旋转磁性隧道接线设备的微磁建模
自旋转移扭矩磁盘磁盘随机访问存储器（STT-MRAM）已成为一种有希望的非挥发记忆技术，与闪存相比，可提供可扩展性，高耐力和更快的操作[1，2]。它与SRAM竞争的能力有可能彻底改变未来信息存储。MRAM电池的核心是由COFEB磁参考层（RL），MGO隧道屏障（TB）和COFEB游离磁性层（FL）组成的磁性隧道连接（MTJ）。具有垂直磁化的FL和RL（PMTJ）的设备可实现大量的足迹，并为高密度MRAM溶液打开了路径。一直在不断努力提高STT-MRAM设备的切换性能，目的是实现子纳秒（子NS）切换时间。虽然自旋 - 轨道扭矩（SOT）设备显示了子NS开关性能，但与STT设备的两端结构相比，从技术的角度来看，它们的三端设备结构并不理想[3]。在PMTJ设备中掺入钼（MO）已显示出胜过常规TA的PMTJ，而TA则用垂直磁各向异性（PMA），热耐受性和开关性能作为COFEB电极的缓冲/帽/帽[4]。双磁隧道连接（DMTJ），具有额外RL和第二个TB的MTJ，已被研究为常规MTJ设备的有效替代方案，最多两倍的开关效率提高了开关效率[5，6]。但是，结构导致TMR值较低，到期
基于 La 掺杂 BiFeO3 结的随机存取多级非易失性存储器
电阻开关器件由于其出色的性能、简单性和可扩展性而成为下一代非易失性存储器的有希望的候选者。其中，开发多级电阻开关因其在显著提高信息存储密度且不消耗额外能量的潜力而引起了广泛关注。尽管在许多金属氧化物和有机材料中已经观察到连续多级电阻开关 (CMRS)，但实际应用仍然迫切需要实现高速和可靠的随机存取多级非易失性存储器 (RAMNM)。在这里，我们成功地制造了一种基于高性能脉冲宽度调制忆阻铁电隧道结 (FTJ) 的 RAMNM，其 Pt/La 0.1 Bi 0.9 FeO 3 /Nb:SrTiO 3 在室温下具有超过 4 × 10 5 的巨大开关比。
英国移民当局可以使用DNA指纹识别
，我们在超导电路中提出了一个循环函数的方案，该电路由三个约瑟夫森交界环和三个函数组成。在这项研究中，我们通过从基本边界条件中得出有效潜力来获得系统的精确拉格朗日。随后我们表明，我们可以选择性地选择在执行循环器函数的三个连接的分支的电流方向。此外，我们将此循环函数用于Majorana零模式（MZM）的非Abelian编织。在系统的分支中，我们引入了一对MZM，这些MZM通过三个阶段相互相互作用。循环器函数确定了三个函数的相位，从而确定MZM之间的耦合以产生编织操作。我们修改了系统，以便将MZMS耦合到外部系统以在可扩展设计中执行量子操作。
颞顶联合区在心理化过程中介导自我与他人融合的因果作用
这篇早期发布的文章已经过同行评审并被接受，但尚未经过撰写和编辑过程。最终版本在风格或格式上可能略有不同，并将包含指向任何扩展数据的链接。
金刚石 pn 结二极管贝塔伏打电池性能的温度依赖性
摘要 — 评估了金刚石 pn 结贝塔伏特电池能量转换效率的温度依赖性。我们制造了伪垂直金刚石 pn 结二极管，并表征了其在 5-300 K 电子束辐照下的能量转换效率。金刚石 pn 结二极管在 150-300 K 时的能量转换效率为 18-24%，是硅 PiN 二极管的两倍多。另一方面，在 100 K 以下，由于金刚石的串联电阻增加，二极管的能量转换效率显着下降。在 150K 以上，金刚石 pn 结二极管的能量转换效率的温度依赖性小于硅二极管，这将使金刚石 pn 结贝塔伏特电池成为一种有前途的装置，用于在除低温区域以外的宽温度范围内进行遥感设备的能量收集。
佐贝妥昔单抗治疗不可切除和转移性胃及胃食管连接部腺癌：文献综述
本文全面回顾了佐贝妥昔单抗的作用、疗效和安全性。佐贝妥昔单抗是一种开创性的嵌合单克隆抗体，旨在靶向 Claudin 18.2 (CLDN18.2)，这是一种紧密连接蛋白，在各种胃肠道癌症中经常过表达，包括胃腺癌 (G) 和胃食管连接部腺癌 (GEJ)。这种药物在治疗不可切除和转移性 G/GEJ 癌症方面引起了关注，尤其是对于肿瘤表达 CLDN18.2 的 HER2 阴性患者。佐贝妥昔单抗是一种与 CLDN18.2 结合的药物，其结合可启动免疫反应，攻击和杀死癌细胞。它通常与氟嘧啶和含铂化疗联合使用。该药物（以前称为 IMAB362），商品名为 Vyloy，由日本东京的 Astellas Pharma 开发。经过多轮临床试验，它被美国食品药品监督管理局（FDA）批准作为局部晚期、不可切除癌症的一线治疗方案，成为晚期G/GEJ癌症的一种有希望的选择。
隧道结钝化接触概念在柔性 CIGS 太阳能电池中的实现
在众多可再生能源技术中，铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）、有机和钙钛矿太阳能电池是技术成熟且经过现场验证的技术。[1–6] 这些技术用于各种场合，如光伏发电厂、光伏建筑一体化、室内能源、电动汽车和小型移动电源。[7–11] 自20世纪50年代初以来，c-Si一直是全球光伏产业的主流产品。[12–14] c-Si太阳能电池的核心结构是在p（或n）型硅衬底上扩散n（或p）型发射极形成的pn同质结。 [15] 在 c-Si 太阳能电池中，这种 pn 同质结至今仍在使用，并且可以通过众所周知的钝化发射极和背面电池及相关架构（例如钝化发射极局部扩散电池和钝化发射极背面全扩散电池）实现约 25% 的高功率转换效率 (PCE)。[16–18] 与 c-Si 太阳能电池不同，CIGS 太阳能电池器件基于 p 型 CIGS 和 n 型 CdS 层之间形成的 pn 异质结。[19–22]
超快速激光诱导的cofeb/mgo/cofeb磁性隧道连接的磁光响应
对超快自旋动力学的理解对于将来的超快和能量效率磁性记忆和存储应用至关重要。我们研究了COFEB/MGO/COFEB磁性隧道连接点（MTJ）的超快激光诱导的磁光反应，当时用短激光脉冲令人兴奋，这是磁性配置和泵送的函数。MTJ的超快速磁化在0.33–0.37 PS的时间尺度上迅速下降，这是由电子旋转散射和旋转转运相互驱动的。随后，通过电子– Phonon和Spin -Phonon相互作用分别以1.5-2.0和5.0–15.0 ps的时间尺度转移到电子和自旋储层的能量转移到晶格中。我们的结果表明，COFEB/MGO/COFEB的界面自旋方向可以调节自旋和声子之间的相互作用常数。这些发现提供了对MTJ接口在自旋动力学中的作用的洞察力，这将有助于Opto-Spintronic Tunnel Junction Junction堆栈设计和应用。