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高NA EUV光刻的吸收材料的观点和权衡
摘要。下一代极端紫外线（EUV）系统具有0.55的数值，具有提供低于8 nm的半程分辨率的潜力。在较小的特征尺寸下，随机效应的重要性增加了扫描仪和掩模以提供高对比度图像的进一步需求。我们使用严格的面膜衍射和成像模拟来了解EUV掩模吸收器的影响，并确定用于高NA EUV成像的最合适的光学参数。对各种用例和材料选项的仿真表示两种主要解决方案类型：高灭绝材料，尤其是针对线条空间，以及可以提供相移遮罩溶液的低折射率材料。euv相掩码的行为与DUV的相移面膜大不相同。精心设计的低折射率材料和口罩可以为高对比度的边缘打开新的道路。©作者。由SPIE发表在创意共享归因4.0未体育许可下。全部或部分分发或重新分配或重新分配本工作，需要完全归因于原始出版物，包括其DOI。[doi：10.1117/1.jmm.m.19.4.041001]
混合玻璃中稳定量子点的三维直接光刻
摘要 半导体量子点 (QDs) 作为高性能材料，在当代工业中发挥着重要作用，这主要是因为它们具有高光致发光量子产率、宽吸收特性和尺寸相关的光发射。使用 QDs 作为微光学应用的构建块来构建定义明确的微/纳米结构至关重要。然而，制造具有设计功能结构的稳定 QDs 一直是一个挑战。在这里，我们提出了一种在具有特定保护性能的混合介质中对所需 QDs 进行三维直接光刻的策略。丙烯酸酯功能化的混合前体通过超快激光诱导多光子吸收实现局部交联，实现超越衍射极限的亚 100 纳米分辨率。印刷的微/纳米结构具有高达 600 ◦ C 的热稳定性，可以转化为体积收缩的无机结构。由于 QDs 封装在密集的硅氧分子网络中，功能结构表现出良好的抗紫外线照射、腐蚀性溶液和高温稳定性。基于混合三维纳米光刻技术，可制备双色多层微/纳米结构，用于三维数据存储和光学信息加密。本研究为制备所需的量子点微/纳米结构提供了一种有效的策略，支持开发稳定的功能器件应用。
配体辅助的直接光刻和非线性光子学的雪崩纳米颗粒
摘要：向上转换纳米颗粒（UCNP）具有独特的非线性光学特性，可以在显微镜，传感和光子学中利用。然而，形成具有较大填充分数的UCNP的高分辨率纳米和微分简单仍然具有挑战性。此外，人们对纳米颗粒模式化学的形式如何受粒径影响有限。在这里，我们使用形成新离子链接的配体或在UCNP之间（uviolet（uv），eleton- beam（e -elethir）（e -beam）（e -beam）（e -beam）和附近（nir）和附近（nir -nir）和附近（nir -nir）（nir）和附近（nir -extrare）（extrife）（ybem extruared（e -beam），我们探索了6-18 nm tm 3+ - ，yb 3+ /tm 3+ - 和yb 3+ /er 3+基于yb 3+ /er 3+的UCNP。 我们研究UCNP大小对这些图案方法的影响，发现6 nm UCNP可以用紧凑的离子配体进行图案化。 相比之下，对较大的UCNP进行构图需要长链，可交叉的配体，这些配体可提供足够的颗粒间距，以防止在膜铸造时进行不可逆的聚集。 与使用可交联液体单体的方法相比，我们的图案方法限制了与沉积在薄膜中沉积的UCNP上的配体的交联反应。 这种高度局部的照片 - /电子引发的化学能力可以制造具有高分辨率的密集包装的UCNP图案（约为1μm，紫外线和NIR暴露； <100 nm，具有E型束）。 我们的上转换nir光刻方法证明了将廉价连续波激光器用于胶体材料的高分辨率2D和3D光刻的潜力。我们探索了6-18 nm tm 3+ - ，yb 3+ /tm 3+ - 和yb 3+ /er 3+基于yb 3+ /er 3+的UCNP。我们研究UCNP大小对这些图案方法的影响，发现6 nm UCNP可以用紧凑的离子配体进行图案化。相比之下，对较大的UCNP进行构图需要长链，可交叉的配体，这些配体可提供足够的颗粒间距，以防止在膜铸造时进行不可逆的聚集。与使用可交联液体单体的方法相比，我们的图案方法限制了与沉积在薄膜中沉积的UCNP上的配体的交联反应。这种高度局部的照片 - /电子引发的化学能力可以制造具有高分辨率的密集包装的UCNP图案（约为1μm，紫外线和NIR暴露； <100 nm，具有E型束）。我们的上转换nir光刻方法证明了将廉价连续波激光器用于胶体材料的高分辨率2D和3D光刻的潜力。沉积的UCNP模式保留了它们的上转换，雪崩和照片处理行为，可以在模式的光学设备中利用这些行为，以用于下一代UCNP应用程序。
用于细胞研究的 SU-8 聚合物结构的电子束光刻制造
摘要 — 用微结构和纳米结构装饰的平面是生物医学研究中的重要工具，用于控制细胞形状，研究机械传导、膜力学、细胞迁移以及细胞与纳米结构表面的相互作用。现有的制造表面结合纳米结构的方法通常受分辨率、纵横比或吞吐量的限制。在这项工作中，我们探索了基于电子束光刻的玻璃基板上环氧抗蚀剂 SU-8 的结构。我们专注于系统地研究工艺参数，并确定制造工艺的极限，包括空间分辨率、结构纵横比和制造吞吐量。所述方法能够直接在透明基板上生产高纵横比、表面结合纳米结构，其高度范围为 100 nm 至 4000 nm，平面分辨率低于 100 nm。制造的纳米结构表面可以与生物医学研究的常用技术相结合，例如高数值孔径光学显微镜。此外，我们还展示了如何使用所述方法在同一表面上制造具有多种高度的纳米结构，这是使用其他制造方法无法轻易实现的。我们的研究为制造纳米结构表面并应用于生命科学研究开辟了一条替代方法。
带有多场缝线的大面积包装的细节线/空间光刻
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对美国领先制造商的半导体光刻设备开发和采购实践进行基准测试
半导体光刻设备行业已经发展到仅凭技术知识不足以在市场上生存的地步。要充分了解光刻行业的动态，必须具备一套跨学科的技能。了解基础技术、制造设备市场的管理问题以及行业赞助的联盟的作用对光刻行业都至关重要。20 世纪 80 年代中期，半导体光刻设备市场发生了巨大转变，引发了美国政界的愤怒。从 20 世纪 70 年代末到 80 年代末，美国公司的市场份额从近 90% 下降到不到 20%。半导体市场的快速扩张，尤其是在日本，再加上美国光刻供应商对客户要求的明显反应迟钝，为尼康和佳能提供了机会之窗。此外，制造光刻设备所需的技术专长日益迫使全球半导体制造商从供应商处购买设备，而不是内部开发。在 20 世纪 90 年代，美国半导体制造商已经适应了光刻设备采购的新市场条件。光刻技术对半导体制造过程仍然至关重要。由于只能从供应商处购买光刻设备，制造商被迫制定有效的技术供应链管理策略。在技术开发周期的推动下，半导体公司有四年的时间来学习和不断改进其采购策略。由于依赖供应商，半导体公司的设备采购策略已调整为最大限度地提高供应商转换灵活性，同时最大限度地减少资本支出。这种方法促使许多制造商建立首选供应商关系和工具，以确保供应商之间的竞争行为。行业目标：确保尖端光刻技术的持续发展。本报告对各公司如何组织其设备开发和采购实践及其各自的优点进行了基准测试。
全力关注太空：蔡司 SMT 收购 RUAG International 的光刻业务
RUAG International 和 ZEISS SMT 已签署收购光刻部门的合同，包括与位于瑞士苏黎世和德国科斯维希的两个生产基地相关的所有员工和资产。“自 2001 年以来，我们就一直在光刻应用方面积累经验，并与我们的主要客户 ZEISS SMT 成功合作。2022 年 10 月将光刻部门作为独立实体成立是一项战略举措，旨在巩固我们的市场地位，同时继续作为独立的单一来源供应商为 ZEISS SMT 生产专用组件。今天，我为我们的光刻团队所取得的成就感到无比自豪，”RUAG International 首席执行官 André Wall 说道，并总结道，“ZEISS SMT 拥有卓越的市场地位。有了新的所有权，我们为光刻部门提供了理想的环境，以进一步发展我们多年来积累的卓越能力。”
在200/300 mm飞行员线环境中，水溶性生物源抗DUV光刻
壳聚糖是由114批量的Mahtani壳聚糖提供的，其乙酰化度（DA）为2％，由1 H NMR确定，质量平均摩尔质量（m w）为619 kg/mol，分散剂（ð）的分散剂（1.6），由尺寸 - 1.6，通过尺寸 - 散发性切除率确定。壳聚糖以1、2-丙二醇和ACOH（50/50 V/V）的水醇混合物中的0.5％（w/v）以0.5％（w/v）的形式进行乙酰基壳。在剧烈的机械搅拌下将壳聚糖（GLCN）单位的静态藻类添加到D-葡萄糖（GLCN）单元中，并混合18小时以达到靶向DA。然后将壳溶液通过纤维素膜过滤，孔径从3 µm降低至0.45 µm。乙酰化的壳聚糖最终用NH 4 OH沉淀，用去离子水洗涤并冷冻干燥。乙酰化的壳聚糖，DA为35％，M W的693 kDa和1.8的分散性。
通过使用一步的所有电子束光刻升降过程
超导量子计算是由于其出色的性能，可伸缩性和可靠性而实现量子至上的最有希望的平台之一[1，2]。为了推动量子计算机的计算能力，一个最终目标是增强超导电路量子电动力学（CQED）的某些特性特性，例如分解和倾向时间（分别为t 1和t 2）。在包括材料[3-5]，电路设计[6-8]和制造技术[9-11]在内的不同方面的改进是必不可少的，所有这些实践都依赖于大量和及时的设备制造。因此，一种适当的制造方法，可以迅速生产设备，同时简化以避免降解，这对于开发超导量子计算技术是重要的。