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肉桂酸酯聚噻吩薄膜的电子束光刻
依靠双光子过程来实现高分辨率，因此需要在写入焦点处具有高激光强度。因此，DLW 需要材料具有高光学透明度。这排除了大多数有机半导体的 DLW，因为它们由于电荷传输 p 电子系统而固有地带有颜色。相反，电子束光刻 (EBL) 的高分辨率为光处理的微型设备提供了机会。当用电子照射时，有机薄膜会交联并发生局部溶解度的变化。9,10 Persson 等人用 EBL 构造聚（3-辛基噻吩），并用氯化铁 (III) 掺杂所得结构。11 Hikmet 等人图案化聚（对苯乙烯基）衍生物 (PPV) 用于多色有机发光二极管 (OLED)。9 在
薄膜光刻和图案化工艺
技术转让和工业接口部 (TTID)、PPG 空间应用中心 (SAC)、ISRO、Ambawadi Vistar、艾哈迈达巴德 - 380 015 电子邮箱：ttid@sac.isro.gov.in 传真：079-26915817 https://www.sac.gov.in/SAC_Industry_Portal
光与物质共同构造的多光谱光刻
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Abigail Nieves Delgado b i o g r a p h y
在这项工作中，我们展示了如何使用A-Lith来制造悬浮的单层石墨烯。通过热蒸发在第二个金属沉积步骤中添加了介电材料（SIO 2），并用作牺牲层。单层CVD石墨烯在金属/介电堆栈上传递的铜箔上生长的cVD石墨烯是在牺牲层的缓冲氧化物蚀刻之后通过临界点干燥步骤释放的。制造过程利用了A-Lith和光刻学，以对大底物上的一系列悬浮石墨烯结构进行模板，其中实现了沟槽宽度与沟槽深度约10的宽高比。这种悬浮的石墨烯设备可以用作机电开关，气体传感器和压力传感器[4]。在以前的工作中，考虑单层石墨烯的屈服强度阻碍了可靠性，这种系统通常依赖于多层石墨烯。基于机电设备的理论模型的沟渠纵横比的仔细设计允许更高的产量，而可以实现的几何形状与低压驱动石墨烯开关兼容[4，5，6]。
用于紫外线、激光和灰度光刻的正性光刻胶
1) N. Gerges、C. Petit-Etienne、M. Panabière、J. Boussey、Y. Ferrec、C. Gourgon；优化的紫外线灰度处理，用于光谱成像仪的高垂直分辨率；J. Vac. Sci. Technol. B 39 (2021)；doi：10.1116/6.0001273
2022 年下半年的 EUV 光刻胶筛选活动
EUV 光刻胶材料对于实现下一代光刻技术至关重要，该技术旨在实现 5 nm 以下节点的大批量制造 (HVM)。在本研究中，我们报告了 EUV 光刻胶的广泛性能表征，用于未来的高 NA EUV 光刻。我们在 Paul Scherrer 研究所和 ASML 合作的框架内，使用瑞士光源 (SLS) 的 EUV 干涉光刻工具研究了各种光刻胶的性能。本文介绍了 2022 年下半年开展的工作的主要成果。本研究考虑的重要性能特征是分辨率或半节距 (HP)、剂量与尺寸比 (DtS) 和线宽粗糙度 (LWR)。为了评估光刻胶的整体性能，我们使用了 Z 因子。我们研究了化学放大光刻胶 (CAR) 和非 CAR 材料。两家供应商的 CAR 实现了低至 11 nm 半节距的分辨率，而多触发光刻胶 (MTR) 达到了 13 nm 的分辨率。相比之下，MTR 由于其高灵敏度而表现出更好的 Z 因子值。此外，我们研究了底层对金属有机光刻胶 (MOR) 性能的影响。最后，我们讨论了近年来光刻胶性能的总体进展。我们观察到多个光刻胶平台的稳步改进，这对全球 EUV 光刻胶向高 NA EUVL 的发展是令人鼓舞的。
L2O-ILT：学习优化逆向光刻技术
一、引言 随着技术节点的不断缩小，邻近效应和光学衍射变得不可忽略，严重影响集成电路的成品率。分辨率增强技术（RET）是为了减少光刻过程中的印刷误差而开发的。光学邻近校正（OPC）是广泛使用的RET之一，通过校正掩模版图案形状和插入辅助特征来补偿光刻邻近效应。典型的OPC方法包括基于模型的方法[1]、[2]、[3]和基于逆光刻技术（ILT）的方法[4]、[5]、[6]、[7]、[8]、[9]。对于基于模型的 OPC，首先将掩模中的多边形边缘划分为段，然后在光刻模拟模型的指导下移动这些边缘。基于 ILT 的方法将掩模表示为逐像素函数 [4] 、 [5] 、 [6] 、 [7] 、 [10] 或水平集函数 [8] 、 [9] 、 [11] 、 [12] 。然后，将 OPC 过程建模为逆问题，可以通过优化
L2O-ILT：学习优化逆向光刻技术
I. 引言 随着技术节点的不断缩小，邻近效应和光学衍射变得不可忽略，严重影响集成电路的成品率。分辨率增强技术（RET）被发展用来减少光刻过程中的印刷误差。光学邻近校正（OPC）是广泛使用的RET之一，它通过校正掩模版图案形状和插入辅助特征来补偿光刻邻近效应。典型的OPC方法包括基于模型的方法[1]，[2]，[3]和基于逆光刻技术（ILT）的方法[4]，[5]，[6]，[7]，[8]，[9]。对于基于模型的OPC，首先将掩模版中多边形的边缘分成几段，然后在光刻仿真模型的指导下移动这些边缘。基于 ILT 的方法将掩膜表示为像素函数 [4]、[5]、[6]、[7]、[10] 或水平集函数 [8]、[9]、[11]、[12]。然后，将 OPC 过程建模为逆问题，可以通过优化
用于光刻的 EUV 光学系统，分辨率低于 10 纳米
一直遵循摩尔定律，根据该定律，通过光刻生产的集成电路的集成度会翻倍。到目前为止，这些微芯片主要采用波长为 193 nm 的光学光刻技术制造。为了实现 10 纳米以下的结构尺寸，必须使用极紫外光 (EUV)：这可以实现更好的光学分辨率。然而，EUV 光刻面临着许多挑战。EUV 光被强烈吸收，因此必须在真空中进行曝光，并且在照明和成像系统中，必须将带透镜的折射光学器件替换为带镜子的反射光学器件。对要开发的光学器件的要求很高：它们需要高水平的研究和开发，以显著改善表面质量、材料成分、尺寸和形状。
飞秒两杆3D灯场光刻-NSF-PAR
基于我们在去年所证明的成功的单光子3D光场光刻学，我们将方法扩展到了飞秒3D光场光刻。与我们以前的单光子与紫外线LED光的工作相比，使用飞秒光和3D光场光刻中相关的两光子光吸收可以仅在3D空间中设计的Voxel位置周围固化光线剂。这样的两光子方案可以防止在到达设计的体素位置之前，在我们以前的基于UV LED LED的单光子3D灯场光谱术中观察到，在到达设计的体素位置之前，光孔物的光孔疗法固化。飞秒两杆3D光场光刻的实验方案从将均匀的飞秒激光脉冲传递到空间光调节器开始。设计的像素映射显示在空间灯调制器上，然后传递到Microlens阵列中以在自由空间中构造3D虚拟图像。通过使用显微镜系统在光构仪层中压缩3D虚拟图像，我们可以成功生成不同的显微镜3D模式，而无需像传统的3D光刻一样依赖扫描过程。在这项研究中，我们介绍了（a）为使用飞秒光的3D模式开发的（a）算法的初步结果，当使用飞秒光线时，该算法应满足其他约束，并且（（b）具有fletoResists生成的3D模式，具有flemtosecond femtsecond thepsocond Photon 3D 3D Light Field Field Field Figh Figh Figh Figh Figh Field Littionshophation。