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电子束lithograpy（EBL）
蚀刻设置 - up。尖端可以用作纯发射器作为纯发射器或在氧化物添加氧化涂层时以热效率/ Schottky模式操作。超出尖端的其他应用（尖端直径<100 nm）包括用作STM探针或纳米流动器。可以使用电流 - 电压特性，通过发射模式观察，通过测量液压和电子束的稳定性来分析隧道尖端性能。可以在我们的FI ELD发射显微镜中进行原位进行无涂层尖端的激活和Thermal-Fi ELD发射器（或Schottky发射器）的测试。A.Knápek等。 ： - “ STM尖端电化学制备和超偏用发射阴极的可编程设置”，微电动工程学，2017年，173：42-47 A.Knápek等。 ： - “聚合物石墨铅笔作为经典导电SPM探针的便宜替代品。”纳米材料，2019，9.12：1756。 A.Knápek等。 ： - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜，2019，204：49-54。A.Knápek等。： - “ STM尖端电化学制备和超偏用发射阴极的可编程设置”，微电动工程学，2017年，173：42-47 A.Knápek等。： - “聚合物石墨铅笔作为经典导电SPM探针的便宜替代品。”纳米材料，2019，9.12：1756。A.Knápek等。 ： - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜，2019，204：49-54。A.Knápek等。： - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜，2019，204：49-54。
用于紫外、激光和电子束光刻的负性光刻胶
主要应用 • 通过 DLW 和 2PP 进行快速非接触式原型制作 • 微系统技术中的光学应用 • 用于湿法和干法蚀刻工艺的蚀刻掩模 • 用于电镀的模具 • 用于印章制造/模板制造的模具
用于纳米制造的X射线光刻技术：有未来吗？
在X射线光刻（XRL）过程中，一些对X射线敏感并在特定溶剂中照射后改变溶解速率的材料（称为抗蚀剂）通过掩模暴露于X射线源并被图案化。掩模由重Z元素（Au，W等）组成，用作吸收区，而载体基板由低衰减元素（Si，Be，金刚石，SiC，SiNx等）组成（Tormen等人，2011年）。 XRL 的概念最早由 H. Smith 和 Spears 于 1972 年提出（Spears and Smith，1972；Smith 等，1973），由于其波长更短、穿透深度更大（比传统紫外光刻技术更短），引起了微纳米制造界的关注，为构建具有高深宽比、厚光刻胶和几乎垂直侧壁的微型器件提供了新的可能性（Maldonado 等，1975；Maydan 等，1975）。XRL 是 LIGA 工艺 [德语缩写 Lithographie Galvanoformung Abformung，意为光刻电沉积、成型（Becker 等，1986）] 的基本步骤，包括在显影的光刻胶结构中电沉积金属，以获得模具或电极，用于后续的复制工艺，如成型或电火花加工。 X 射线可分为软 X 射线和硬 X 射线（或深 X 射线），软 X 射线的能量范围为 150 eV 至约 2 keV，硬 X 射线（或深 X 射线）的能量则大于 5 keV。软 XRL 适用于光刻胶厚度有限的高分辨率结构（< 50 nm）。深 XRL（DXRL）通常用于 LIGA 工艺及照射厚光刻胶（数百微米）。目前，同步辐射设备中已有 XRL 技术。半导体行业对 XRL 的兴趣与技术节点的定义有关。该术语指的是特定的半导体制造工艺及其设计规则：最初，节点号定义了栅极长度或半节距（HP），而目前（22 nm 以下）它与采用特定技术制造的特定一代芯片有关。由于波长比紫外线更短，XRL 有可能确保所有技术节点的“分辨率储备”。此外，它不需要像紫外光刻那样在每个技术节点上都使用不同的设备。然而，该技术的潜力尚未得到充分发挥，因为人们首先关注的是紫外光刻，然后是极紫外光刻（Tormen 等人，2011 年）。最近，XRL 引起了 Next 2 节点（10 纳米技术节点以外）及以后的新关注，这主要是由于软 X 射线干涉光刻的潜力（Wu 等人，2020 年，Mojarad 等人，2015c 年）。
亚微米面板级封装的光刻解决方案
摘要 逻辑、存储器、光子、模拟和其他增值功能的异构集成是提高电子系统效率、性能和带宽同时有助于降低总体制造成本的一种方法。为充分利用异构集成的优势，设计人员需要更精细分辨率的重分布层图案和更大的封装尺寸，以最大限度地提高系统级封装集成的可能性。大封装电子系统的生产非常适合面板级封装 (PLP)，而在整个矩形面板上实现均匀的亚微米图案化是一项关键的光刻挑战。为应对这一挑战，佳能开发出第一台能够在 500 毫米面板上实现亚微米分辨率的光刻曝光系统或步进机。步进机具有面板处理系统，可处理最大尺寸为 515 mm x 515 mm 的面板，还配备了宽视场投影镜头，其最大数值孔径为 0.24，像场为 52 mm x 68 mm。本文将报告使用面板步进机的亚微米 PLP 工艺的评估结果，并介绍高分辨率 PLP 工艺的挑战，包括翘曲面板处理。将报告覆铜板 (CCL) 基板的工艺结果，包括图案均匀性、相邻镜头拼接精度和包含扇出工艺中常见的芯片放置误差的基板上的叠加精度。关键词先进封装、扇出、面板级封装、步进机、亚微米、光刻、系统级封装
紫外线，激光和灰度光刻的阳性光倍师
1）N。Gerges，C。Petit-Etienne，M。Panabière，J。Boussey，Y。Ferrec，C。Gourgon；优化的紫外线灰度工艺，用于应用于光谱成像仪的高垂直分辨率； J. Vac。SCI。 技术。 b 39（2021）; doi：10.1116/6.0001273SCI。技术。b 39（2021）; doi：10.1116/6.0001273
RF前端模块比较2021 - 卷。 1yoledévelopment-超过摩尔2021的光刻和粘合设备 - 样品
Lithography equipment 117 o Lithography adoption in MtM devices 123 o Lithography equipment benchmark 124 o Maskless lithography 140 o MEMS and sensors lithography 148 o Trends and requirements o Substrate material and size o Market assumptions and forecast o Power devices lithography 165 o Trends and requirements o Substrate material and size o Market assumptions and forecast o RF devices lithography 179 o趋势和需求o基材材料和尺寸o市场假设和预测o CMOS图像传感器光刻195 O趋势和要求o基材材料和尺寸o市场假设和预测o高级包装光刻209 o趋势和要求o趋势和需求o集中在面板级包装o小组级包装o面板级包装o层次包装o层次包装o晶状体设备市场预测258 >>
通过使用一步的所有电子束光刻升降过程
超导量子计算是由于其出色的性能，可伸缩性和可靠性而实现量子至上的最有希望的平台之一[1，2]。为了推动量子计算机的计算能力，一个最终目标是增强超导电路量子电动力学（CQED）的某些特性特性，例如分解和倾向时间（分别为t 1和t 2）。在包括材料[3-5]，电路设计[6-8]和制造技术[9-11]在内的不同方面的改进是必不可少的，所有这些实践都依赖于大量和及时的设备制造。因此，一种适当的制造方法，可以迅速生产设备，同时简化以避免降解，这对于开发超导量子计算技术是重要的。
带有多场缝线的大面积包装的细节线/空间光刻
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飞秒两杆3D灯场光刻-NSF-PAR
基于我们在去年所证明的成功的单光子3D光场光刻学，我们将方法扩展到了飞秒3D光场光刻。与我们以前的单光子与紫外线LED光的工作相比，使用飞秒光和3D光场光刻中相关的两光子光吸收可以仅在3D空间中设计的Voxel位置周围固化光线剂。这样的两光子方案可以防止在到达设计的体素位置之前，在我们以前的基于UV LED LED的单光子3D灯场光谱术中观察到，在到达设计的体素位置之前，光孔物的光孔疗法固化。飞秒两杆3D光场光刻的实验方案从将均匀的飞秒激光脉冲传递到空间光调节器开始。设计的像素映射显示在空间灯调制器上，然后传递到Microlens阵列中以在自由空间中构造3D虚拟图像。通过使用显微镜系统在光构仪层中压缩3D虚拟图像，我们可以成功生成不同的显微镜3D模式，而无需像传统的3D光刻一样依赖扫描过程。在这项研究中，我们介绍了（a）为使用飞秒光的3D模式开发的（a）算法的初步结果，当使用飞秒光线时，该算法应满足其他约束，并且（（b）具有fletoResists生成的3D模式，具有flemtosecond femtsecond thepsocond Photon 3D 3D Light Field Field Field Figh Figh Figh Figh Figh Field Littionshophation。
可溶解模板纳米压印光刻
图 1. (a) DT-NIL 制造工艺示意图，显示 1) 在模板表面沉积 0.1 mL/cm 2 的丙烯酸树脂，2) 以 500 rpm 的速度旋涂丙烯酸树脂 60 秒（可选，参见支持信息 S.2），3) 在室温下干燥丙烯酸树脂，4) 从母版表面脱模模板，5) 得到可溶解的丙烯酸树脂模板。 (b) 原始（母版）Neotibicen pruinosus 蝉翅膀的照片，(c) 原始翅膀上纳米柱特征的相应扫描电子显微照片 (SEM)，使用原子力显微镜 (AFM) 测量，平均柱高 (hav g) = 332 ± 28 nm 和平均直径 (dav g) = 148 ± 8 nm。 20 (d) 从 (b) 中所示的原始翼母版压印的可溶解模板的照片，对应的 (e) SEM 显示用 AFM 测量的 h avg = 337 ± 32 nm 和 d avg = 146 ± 8 nm。 (f) 用 AFM 获得的原始翼上的纳米柱和在模板上创建的纳米孔的高度和 (g) 直径分布。