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L2O-ILT：学习优化逆向光刻技术
I. 引言 随着技术节点的不断缩小，邻近效应和光学衍射变得不可忽略，严重影响集成电路的成品率。分辨率增强技术（RET）被发展用来减少光刻过程中的印刷误差。光学邻近校正（OPC）是广泛使用的RET之一，它通过校正掩模版图案形状和插入辅助特征来补偿光刻邻近效应。典型的OPC方法包括基于模型的方法[1]，[2]，[3]和基于逆光刻技术（ILT）的方法[4]，[5]，[6]，[7]，[8]，[9]。对于基于模型的OPC，首先将掩模版中多边形的边缘分成几段，然后在光刻仿真模型的指导下移动这些边缘。基于 ILT 的方法将掩膜表示为像素函数 [4]、[5]、[6]、[7]、[10] 或水平集函数 [8]、[9]、[11]、[12]。然后，将 OPC 过程建模为逆问题，可以通过优化
IRDS 2023 光刻
光刻和图案化将继续发展，但面临许多挑战。预计 2024 年将推出 0.55 NA 的高 NA 工具，但需要在光源、工具、掩模、材料、计算光刻和随机控制方面进行改进，以使这些工具能够投入生产使用。预计工艺窗口会很小，迫使使用更薄的光刻胶，并且可能还需要改进工艺集成方案。高 NA 工具的较小场尺寸对于某些产品设计来说很困难。这可能会刺激许多相对较小的芯片的高性能封装的增长。人们也在考虑采用更大的掩模尺寸来实现更大的曝光场。需要改进光刻胶和相关材料，但即使有了改进，为了能够充分控制随机效应，印刷剂量仍将继续增加。从长远来看，可以开发更高 NA 的 EUV（“超 NA”），但这面临许多技术挑战，并且可能被证明不如 0.33 或 0.55 NA EUV 的多重图案化有效。化学增强型光刻胶将至少在 1 纳米逻辑节点之前继续作为主力光刻胶，但基于金属的新型光刻胶（湿法和干法沉积）显示出良好的前景。随着世界对环境问题的关注度不断提高，能源效率和化学安全性也成为关注的焦点。
来自极端紫外线（EUV）光刻工作组的报告：当前状态，需求和前进
这是2023年4月25日在Boulder的美国国家标准技术研究所（NIST）举行的混合工作组会议的报告。工作组专注于极端的紫外线光刻（EUVL）研究，开发和制造。会议允许就EUVL的许多技术方面进行有效的讨论。行业参与者进行了演讲，这些演讲有助于将本报告的概述告知科学的现状，挑战，需求和未来在EUVL加速创新的机会。该报告还包括有关NIST的一些努力的信息，这些努力可以开始或继续支持美国半导体行业。在工作组会议上凝聚力介绍了NIST的一些研究和能力，为外部利益相关者提供了知名度和发表评论的机会。这次会议对于学习NIST的研究能力的行业参与者很有见识。反过来，NIST的研究人员对行业的需求有了更深入的了解，以确定NIST的计量专业知识可以帮助进行EUVL研究。会议和本报告并非也不是要捕捉EUVL行业的整个观点，而是作为讨论起点。未来的工作包括扩大参与度，磨练NIST研究子组满足EUVL的特定需求，并执行在工作组会议或任何未来会议中讨论的优先研究。通过与美国EUVL行业的参与，希望创建有针对性的研究合作，加快半导体制造创新并为美国纳税人带来有意义的价值。
无光刻的高密度Mote2纳米替宾阵列
茎特征：茎样品是通过直接转移方法制备的。首先，将TEM网格（Quantifoil Cu网格）直接放在带有MOTE 2丝带的SIO 2基板上。然后将液压（3μL）的KOH溶液（25％）滴在TEM网格的边缘，并扩散到该网格的底面，以蚀刻SIO 2层。之后，将带有TEM网格的SIO 2基材滴入DI水中以去除KOH残留物。最后，将TEM网格用镊子夹住，并放在滤纸上干燥。茎图像是在配备了高级茎校正器（ASCOR）探针校正器的一个像差校正的JEOL ARM-200F上进行的，该探针校正器以80 kV的加速电压运行。
用于紫外、激光和电子束光刻的负性光刻胶
主要应用 • 通过 DLW 和 2PP 进行快速非接触式原型制作 • 微系统技术中的光学应用 • 用于湿法和干法蚀刻工艺的蚀刻掩模 • 用于电镀的模具 • 用于印章制造/模板制造的模具
高分辨率运动型X射线光学器件通过405 nm 3D激光光刻
X射线的有效聚焦对于高分辨率X射线显微镜至关重要。称为运动型的衍射X射线光学在理论上提供了最高的焦点效率。但是，由于它们的纳米制作，它们长期以来一直无法使用。最近，使用3D激光光刻在近红外波长下实现了包括运动型在内的各种X射线光学几何形状。由于运动型的最小特征（周期）决定了解决能力，因此有一种自然的动力来寻找用较小特征的kino形式制造的kino形式。在这里，使用具有405 nm的激发波长的定制3D激光光刻设置，与以前的工作相比，它允许将运动型的最小时期一半。在扫描传输X射线显微镜图像分辨率方面提高了40％，即145 nm的截止分辨率，在700 eV时效率为7.6％。通过磁性样品的PtyChographic Imageing证明了一个重建的像素大小为18.5 nm，达到了显微镜设置的设计极限，该磁性样品的对比度强烈降低。此外，由405 nm 3D激光光刻制造的X射线镜头有可能比其他手段制成的X射线镜头便宜得多。
纳米压印光刻用光刻胶
micro resist technology GmbH 自 1999 年以来一直为纳米压印光刻 (NIL) 提供量身定制的光刻胶配方。我们产品的独特关键特性是出色的成膜和压印性能以及出色的图案保真度和等离子蚀刻稳定性。我们的纳米压印光刻胶主要用作干蚀刻掩模，用于将图案转移到各种基板上，例如 Si、SiO 2、Al 或蓝宝石。