XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemLithography
对半导体光刻设备进行基准测试...
半导体光刻设备行业已经发展到仅凭技术知识不足以在市场上生存的地步。要充分了解光刻行业的动态，必须具备一套跨学科的技能。了解基础技术、制造设备市场的管理问题以及行业赞助的联盟的作用对光刻行业都至关重要。20 世纪 80 年代中期，半导体光刻设备市场发生了巨大转变，引发了美国政界的愤怒。从 20 世纪 70 年代末到 80 年代末，美国公司的市场份额从近 90% 下降到不到 20%。半导体市场的快速扩张，尤其是在日本，再加上美国光刻供应商对客户要求的明显反应迟钝，为尼康和佳能提供了机会之窗。此外，制造光刻设备所需的技术专长日益迫使全球半导体制造商从供应商处购买设备，而不是内部开发。在 20 世纪 90 年代，美国半导体制造商已经适应了光刻设备采购的新市场条件。光刻技术对半导体制造过程仍然至关重要。由于只能从供应商处购买光刻设备，制造商被迫制定有效的技术供应链管理策略。在技术开发周期的推动下，半导体公司有四年的时间来学习和不断改进其采购策略。由于依赖供应商，半导体公司的设备采购策略已调整为最大限度地提高供应商转换灵活性，同时最大限度地减少资本支出。这种方法促使许多制造商建立首选供应商关系和工具，以确保供应商之间的竞争行为。行业目标：确保尖端光刻技术的持续发展。本报告对各公司如何组织其设备开发和采购实践及其各自的优点进行了基准测试。
追踪极紫外光刻技术的出现
仔细研究支持 EUV 开发的研究界对于当今的政策制定者和半导体行业尤其重要。EUV 研究始于 20 世纪 80 年代，当时美国半导体行业在双方政府的大力干预下试图抵御崛起的日本公司。与此同时，该行业认识到，新一代光刻光源对于制造未来的先进芯片以维持摩尔定律是必不可少的。今天也存在类似的情况，美国、欧洲和亚洲的政策制定者都在进行千载难逢的努力来保护和促进各自的半导体行业，而崛起的中国公司则试图挑战行业领导者。与此同时，整个半导体行业都认识到一场缓慢发展的生存危机：人工智能的快速发展必须由相应的计算能力的快速发展来维持。然而，摩尔定律的终结就在眼前，即使是 EUV 也无法拯救它。4
准分子激光投影光刻技术综述
本文回顾了准分子激光投影光刻技术的早期发展状况。尽管这些技术自 1982 年以来一直处于中等发展速度，但直到今年，它们对未来微加工的特殊力量和重要性才得到广泛认可。2 现在看来，随着进一步发展，这项相对被忽视的新技术可能会在未来十年为微电子行业提供大部分生产能力。具体而言，完全可以预见，正是凭借这项技术，光学技术可以扩展到实现接近 0.25 J.1m 尺寸的生产吞吐量，远远超过去年为 x 射线和粒子束光刻保留的范围。也有可能这项技术将成为终极光学技术，达到基本材料限制最终将要求脱离光学光刻的地步。对未来光刻的需求是强烈的。在撰写本文时，可以使用商用步进重复系统生产 4 Mbit 动态随机存取存储器 (DRAM)，无需子场拼接。这项任务已经需要现存最接近完美的宽场成像光学系统，用于任何商业用途。16 Mbit 和 32 Mbit 芯片将需要 - 10 9 个光场像素，是这些系统的两到四倍。正如下面所示，开发合适的紫外 (UV) 准分子投影系统的挑战绝非易事。
X-Photon 3D光刻通过FS振荡器：波长 - ...
激光直接写作采用多光子3D聚合化是一种科学和工业工具，用于各个领域，例如微观，医学，超材料，可编程材料等，由于高吞吐量和良好的特征融合到数百nm。技术适用性的某些局限性从照片牙质特性中出现，但是随着光激发条件的变化，任何物质修改都会强烈影响其可打印性。在这里，我们使用低峰功率激光振荡器提出了非波长的3D聚合。使用高脉冲重复率和快速激光直接写作，用于从SZ2080 TM照相抗体中推进添加剂制造，而无需任何照相机。波长为517 nm，780 nm和1035 nm的波长被证明适合于高达10 5 µm/s的写作速度，也适用于产生300 nm聚合的特征。杂交材料中有机无机比率的变化会导致动态制造窗口的变化和减少，但并没有禁止光结构。由于局部加热实现有效的3D打印，因此可以实现每个焦点的控制能量沉积。这种空间选择性的光化交叉链接扩大了非光敏感材料的光学制造能力。
壳聚糖作为 DUV 光刻的水基光刻胶
作为纳米加工的主要工艺，DUV 光刻通常需要在光刻胶配方、溶剂和显影剂中使用大量有毒化学品。在此背景下，提出了替代当前石油衍生光刻胶的化学品，以减少对环境的影响。壳聚糖是一种生物源光刻胶，通过用绿色溶剂（去离子 (DI) 水）替代，可实现不含有机溶剂和碱性显影剂的水基图案化工艺。本文介绍了使用壳聚糖基光刻胶进行图案化集成的最后一个分步过程。使用 CEA-Leti 的 300 毫米中试线规模的初步结果显示，图案分辨率低至 800 nm，同时等离子蚀刻转移到 Si 基板中。最后，通过生命周期分析 (LCA) 对基于壳聚糖光刻胶的整个工艺的环境影响进行了评估，并将其与传统的基于溶剂的工艺进行了比较。关键词：光刻、光刻胶、生物源、壳聚糖、水基、半导体、可持续性、LCA
电子束lithograpy（EBL）
蚀刻设置 - up。尖端可以用作纯发射器作为纯发射器或在氧化物添加氧化涂层时以热效率/ Schottky模式操作。超出尖端的其他应用（尖端直径<100 nm）包括用作STM探针或纳米流动器。可以使用电流 - 电压特性，通过发射模式观察，通过测量液压和电子束的稳定性来分析隧道尖端性能。可以在我们的FI ELD发射显微镜中进行原位进行无涂层尖端的激活和Thermal-Fi ELD发射器（或Schottky发射器）的测试。A.Knápek等。 ： - “ STM尖端电化学制备和超偏用发射阴极的可编程设置”，微电动工程学，2017年，173：42-47 A.Knápek等。 ： - “聚合物石墨铅笔作为经典导电SPM探针的便宜替代品。”纳米材料，2019，9.12：1756。 A.Knápek等。 ： - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜，2019，204：49-54。A.Knápek等。： - “ STM尖端电化学制备和超偏用发射阴极的可编程设置”，微电动工程学，2017年，173：42-47 A.Knápek等。： - “聚合物石墨铅笔作为经典导电SPM探针的便宜替代品。”纳米材料，2019，9.12：1756。A.Knápek等。 ： - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜，2019，204：49-54。A.Knápek等。： - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜，2019，204：49-54。
量子计算和电子束光刻
发行声明 A. 批准公开发行。发行不受限制。本材料基于空军合同编号 FA8702-15-D-0001 支持的工作。本材料中表达的任何观点、发现、结论或建议均为作者的观点，并不一定反映美国空军的观点。© 2024 麻省理工学院。以无限权利交付给美国政府，定义见 DFARS 第 252.227-7013 或 7014 部分（2014 年 2 月）。尽管有任何版权声明，美国政府对本作品的权利由 DFARS 252.227-7013 或 DFARS 252.227-7014 定义，如上所述。未经美国政府特别授权使用本作品可能会侵犯本作品中存在的任何版权。
亚微米面板级封装的光刻解决方案
摘要 逻辑、存储器、光子、模拟和其他增值功能的异构集成是提高电子系统效率、性能和带宽同时有助于降低总体制造成本的一种方法。为充分利用异构集成的优势，设计人员需要更精细分辨率的重分布层图案和更大的封装尺寸，以最大限度地提高系统级封装集成的可能性。大封装电子系统的生产非常适合面板级封装 (PLP)，而在整个矩形面板上实现均匀的亚微米图案化是一项关键的光刻挑战。为应对这一挑战，佳能开发出第一台能够在 500 毫米面板上实现亚微米分辨率的光刻曝光系统或步进机。步进机具有面板处理系统，可处理最大尺寸为 515 mm x 515 mm 的面板，还配备了宽视场投影镜头，其最大数值孔径为 0.24，像场为 52 mm x 68 mm。本文将报告使用面板步进机的亚微米 PLP 工艺的评估结果，并介绍高分辨率 PLP 工艺的挑战，包括翘曲面板处理。将报告覆铜板 (CCL) 基板的工艺结果，包括图案均匀性、相邻镜头拼接精度和包含扇出工艺中常见的芯片放置误差的基板上的叠加精度。关键词先进封装、扇出、面板级封装、步进机、亚微米、光刻、系统级封装
高NA光刻
euv抗材料在启用高量制造（HVM）的高级光刻技术方面起着至关重要的作用，该技术针对低于5 nm的节点。在这项研究中，我们报告了对未来高NA EUV光刻术的可用EUV光孔师的广泛性能表征。，我们使用Paul Scherrer Institute和ASML合作的框架内使用EUV干扰光源工具（SLS）在瑞士光源（SLS）上调查了各种抵抗的性能。本文强调了我们在2023年观察到的主要改进，并提出了最佳性能的6种不同供应商的半票（HP）14及以下。本研究中考虑的重要性能特征是分辨率或HP，剂量到大小（DTS）和线宽度粗糙度（LWR）。为了评估抵抗的整体绩效，我们使用了z因子。我们研究了化学放大的抵抗（CAR）和非车材料。来自两个供应商的汽车达到了一个低至11 nm的分辨率，而多触发器抵抗（MTR）达到了13 nm的分辨率。新的金属有机抗（MOR）的分辨率低至11 nm。MTR和一辆汽车材料达到了迄今为止最低的Z因子。此外，我们研究了卧式对MOR性能的影响，并将新MOR的性能与前身进行了比较。，我们最终讨论了近年来抵抗性能的总体进展。我们观察到了几个抗性平台的稳定改善，这对于全球EUV抗性向高NA EUVL的发展令人鼓舞。
用于集成光子封装的双光子光刻
光子集成电路 (PIC) 长期以来一直被视为彻底改变光学的颠覆性平台。在成熟的电子集成电路制造工业代工厂基础设施的基础上，PIC 的制造取得了显著进展。然而，由于 PIC 的光学对准公差严格，因此需要专用封装仪器，因此 PIC 的封装往往成为阻碍其可扩展部署的主要障碍。双光子光刻 (TPL) 是一种具有深亚波长分辨率的激光直写三维 (3-D) 图案化技术，已成为集成光子封装的一种有前途的解决方案。本研究概述了该技术，强调了 TPL 封装方案的最新进展及其在主流光子行业中的应用前景。