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Loctite 3220W
雷达（L，S，C，X，KU波段）当今的先进雷达系统需要更强大，并且具有更大的功能，以检测各种不断增长的全球威胁。QORVO®具有最大的高性能边界器IC，MMIC和离散组件的组合。，无论您要操作哪种频带，我们都需要提供产品和信号链专业知识，以保持前沿。随着最近收购Anokiwave，Qorvo处于独特的位置，可以为我们的客户提供与替代方案的独特功能和差异化。通过使用硅光束器IC，将所有核心光束转向和控制功能与我们的先进GAAS/GAS T/R FEM相结合，客户可以将RF前端拟合到宽度X波段低调天线的辐射元素中，从而降低SWAP-C和可观察性。
用于脉冲操作的 SSPA - NANOWAVE 技术
RF 组件和子系统 NANOWAVE Technologies Inc. 是一家私营加拿大制造商，为航空航天、航空电子、国防、工业和医疗市场提供先进的高可靠性 RF 和微波组件、模块和子系统。在 NANOWAVE，所有关键流程均在内部进行，以便在长达 20 年甚至更长的产品使用寿命内为最终客户提供受控的供应链。内部流程包括： • 封装和外壳技术 • 薄膜技术 • 半导体器件和 MMIC 设计 • RF 电路工程 • RF 滤波器设计 • 电路卡设计和制造 • 组装和集成 • 电气和环境测试 • 质量保证 NANOWAVE 产品的基础是专有的高可靠性混合单片集成电路 (HMIC) 工艺。HMIC 工艺将裸片与内部薄膜电路集成在一起，然后将其密封在模块化组件中。由此产生的电路可以持续
先进半导体器件技术
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术正在彻底改变现代国防射频和电子战系统。该技术能够以高线性度和高效率在高频下提供高功率。由于这些优势，它被广泛应用于雷达、卫星通信和军事地面通信等各种应用中。基于 GaN 的 HEMT 技术比现有的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 具有显著优势，尤其是在射频功率应用方面。这主要是因为 GaN 器件具有非常高的击穿场，因此能够在更高的电压下工作。此外，GaN 器件的阻抗要高得多，因此在射频功率放大器集成电路中对匹配网络的要求就更低了。总体而言，与竞争对手的射频相比，GaN 技术可以将射频 IC 的尺寸缩小十倍甚至更高
高性能防御和航空解决方案
雷达（L，S，C，X，KU波段）当今的先进雷达系统需要更强大，并且具有更大的功能，以检测各种不断增长的全球威胁。QORVO®具有最大的高性能边界器IC，MMIC和离散组件的组合。，无论您要操作哪种频带，我们都需要提供产品和信号链专业知识，以保持前沿。随着最近收购Anokiwave，Qorvo处于独特的位置，可以为我们的客户提供与替代方案的独特功能和差异化。通过使用硅光束器IC，将所有核心光束转向和控制功能与我们的先进GAAS/GAS T/R FEM相结合，客户可以将RF前端拟合到宽度X波段低调天线的辐射元素中，从而降低SWAP-C和可观察性。
高性能国防和航空航天解决方案
雷达（L、S、C、X、Ku 波段）当今的先进雷达系统需要更强大、更强大的功能，以检测各种日益增长的全球威胁。Qorvo ® 拥有专为这些应用而设计的最大的高性能波束形成器 IC、MMIC 和分立元件产品组合。无论您想要在哪个频段运行，我们都可以提供您所需的产品和信号链专业知识，以保持领先地位。凭借最近对 Anokiwave 的收购，Qorvo 处于独特的地位，可以为客户提供独特的功能和差异化优势。通过使用集成所有核心波束控制和控制功能的硅波束形成器 IC 以及我们先进的 GaAs/GaN T/R FEM，客户可以将 RF 前端安装在辐射元件晶格内，用于降低 SWaP-C 和可观测性的平铺 X 波段低剖面天线。
高可靠性应用中的细间距铜柱倒装芯片
摘要 — 为满足对小型天线、更高性能和更低成本的需求，大多数下一代架构都要求更高的集成电路 (IC) 芯片集成度。与传统封装配置相比，2.5D 和 3D 等先进芯片封装技术提供了更高的芯片兼容性和更低的功耗。鉴于这些优势，采用先进封装是不可避免的。在先进封装中，铜柱互连是一项关键的支持技术，也是下一个合乎逻辑的步骤。该技术提供了多种优势，包括提高抗电迁移能力、提高电导率和热导率、简化凸块下金属化 (UBM) 和提高输入/输出 (I/O) 密度。铜柱允许的细间距有助于该技术取代焊料凸块技术，后者的最小间距约为 40 微米。更细的间距允许更高的 I/O 数量，从而提高性能。在本研究中，成功展示了在高密度中介层上超薄单片微波集成电路 (MMIC) 氮化镓 (GaN) 细间距铜柱倒装芯片组件的组装。使用 150 毫米间距铜柱倒装芯片，评估了有机印刷电路板 (PCB) 和硅中介层的组装工艺，并评估了化学镀镍浸金 (ENIG) 和共晶锡铅焊盘表面处理。对于 2D/2.5D/3D 组装工艺开发，使用了标准的内部拾取和放置工具，然后进行大规模焊料回流，最后进行底部填充以进行可靠性测试。互连稳健性由芯片拉力强度、助焊剂冲压调查和横截面决定。完成了 GaN 铜柱倒装芯片 2D 组装的完整可靠性和鉴定测试数据，包括 700 次温度循环和无偏高加速温度/湿度应力测试 (UHAST)。将铜柱技术添加到 GaN MMIC 芯片中，将 GaN Cu 柱技术集成到 2.5D/3D 封装技术中，并在中介层级评估 GaN Cu 柱互连可靠性都是这项工作的独特之处。
利用发射极电容/电阻衰减的宽带 InP 跟踪保持放大器
摘要 — 在本信中，我们介绍了一种适用于高速采样系统的基于磷化铟 (InP) 双异质结双极晶体管 (DHBT) 技术的 24 GSa/s、> 20 GHz 宽带跟踪保持放大器 (THA)。在所提出的方法中，输入级的输出极点被发射极电容/电阻衰减产生的零点抵消，从而扩展了带宽而没有压降。引入了输出级 V be 调制补偿技术以减少失真。单片微波集成电路 (MMIC) 原型仅占用 0.69 mm 2 ，实验结果表明它具有从直流到 22.3 GHz 的 0.112–f T 带宽，比使用 InP 技术的任何报道的紧凑型 THA 解决方案都要宽。此外，在 24 GSa/s 采样率下，无杂散动态范围 (SFDR) 优于 42 dB，总谐波失真 (THD) 小于 − 25 dBc。THA 功耗仅为 374 mW，是 InP 技术中报告的最低直流功耗之一。
采用 RF 兼容工艺实现的功率 AlGaN/GaN HEMT 击穿失效机制研究
研究了功率 AlGaN/GaN HEMT 系列的击穿失效机制。这些器件采用市售的 MMIC/RF 技术与半绝缘 SiC 衬底制造。在 425 K 下进行 10 分钟热退火后，对晶体管进行了随温度变化的电气特性测量。发现没有场板的器件的击穿性能下降，负温度系数为 0.113 V/K。还发现击穿电压是栅极长度的减函数。在漏极电压应力测试期间，栅极电流与漏极电流同时增加。这表明从栅极到 2-DEG 区域的直接漏电流路径的可能性很大。漏电流是由原生和生成的陷阱/缺陷主导的栅极隧穿以及从栅极注入到沟道的热电子共同造成的。带场板的器件击穿电压从 40 V（无场板）提高到 138 V，负温度系数更低。对于场板长度为 1.6 l m 的器件，温度系数为 0.065 V/K。2011 Elsevier Ltd. 保留所有权利。
应用说明：Nuvotronics PolyStrata® 功率合成器
耦合器，37.5-42.5 GHz (PSX40D05V2W) PSX40D05V2W 是一款双向合成器，覆盖 37.5-42.5 GHz，如图 6 所示。输入端口设计为直接通过引线键合到功率放大器 MMIC。组合（输出）端口与从部件接地平面侧发射的标准矩形波导兼容。波导通过盖子在合成器输出的顶部进行反向短路。波导盖、终端电阻和电阻盖已预先组装在合成器部件上。提供适合 #0 螺钉（或公制 M1.6）的螺丝孔和适合 1mm 直径引脚的对准特征，以便精确安装到基板上。20 dB 定向耦合器集成在合成器中，带有引线键合接口。耦合端口配置用于监控输出功率（而不是反射功率），并且可以处于开路状态而不会影响性能。定向耦合器的相反端口在内部终止。输入端口设计为具有 90 度（正交）相位差。Nuvotronics 建议在组合两个放大器时将 PSX40D05V2W 组合器与 PSX20D05W（无定向耦合器的组合器）配对作为功率分配器，以保持正确的相位。
创新的镜头类型的微条过渡
由于在热身时间，尺寸和高电压需求方面，真空管的缺点，摘要，固态功率放大器（SSPA）带有氮化碳（GAN）单片微小电路集成电路（MMIC）是电源水平的关键解决方案，可在连续波浪中进行一些均匀水平。 SSPA是这些RF功率水平最方便的解决方案，这是由于其重量低，尺寸较小，可以忽略不计的热身操作，低压操作和高可靠性。 空间功率放大器（SPA）组合技术是SSPA的最佳候选者，这是由于分裂和组合功能的固有低衰减。 水疗中心主要使用两种类型的探针：横向和纵向，例如鳍线。 本文介绍了基于介电透镜理论的微带（FLUS）过渡的宽带鳍。 与传统芬兰过渡的比较模拟显示出匹配性能的显着改善，并且过渡的机械电阻有很大的提高。 所提出的创新flus使用根据介电镜头理论设计的底物。 显示了WR22波导内部的FLU的频率模拟。 这些证据比使用四分之一波变压器（QWT）匹配的经典FLUS过渡更好的表现。 制作并测量了带有介电透镜的Q带空间功率组合器，显示了这种创新的FLUS过渡的出色性能。摘要，固态功率放大器（SSPA）带有氮化碳（GAN）单片微小电路集成电路（MMIC）是电源水平的关键解决方案，可在连续波浪中进行一些均匀水平。SSPA是这些RF功率水平最方便的解决方案，这是由于其重量低，尺寸较小，可以忽略不计的热身操作，低压操作和高可靠性。空间功率放大器（SPA）组合技术是SSPA的最佳候选者，这是由于分裂和组合功能的固有低衰减。水疗中心主要使用两种类型的探针：横向和纵向，例如鳍线。本文介绍了基于介电透镜理论的微带（FLUS）过渡的宽带鳍。与传统芬兰过渡的比较模拟显示出匹配性能的显着改善，并且过渡的机械电阻有很大的提高。所提出的创新flus使用根据介电镜头理论设计的底物。显示了WR22波导内部的FLU的频率模拟。这些证据比使用四分之一波变压器（QWT）匹配的经典FLUS过渡更好的表现。制作并测量了带有介电透镜的Q带空间功率组合器，显示了这种创新的FLUS过渡的出色性能。