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纳米级时间相关电介质击穿 (nanoTDDB ...
新沉积的介电材料的质量控制是 nanoTDDB 使用的另一个例子。具体来说，当使用原子层沉积 (ALD) 制备薄氧化膜时，需要对该过程进行微调以产生可重复的结果。这里用 ALD 制备二氧化硅膜，并用椭圆偏振法测量其厚度。由于在晶圆的不同位置观察到一些膜厚度变化，因此使用 Jupiter XR AFM 进行 nanoTDDB 测量以测量膜的电性能。使用 AFM 软件中编程的自动程序在晶圆的各个位置进行测量。
纳米级进展 - RSC 出版
晶体管尺寸越大，相同芯片面积内可以容纳的晶体管越多，更小尺寸、更高速度、更低能耗是驱动超大规模集成电路技术一代又一代快速发展的不变趋势。然而，如今摩尔定律正在逼近制造工艺的物理极限，目前晶体管的最小栅极宽度已经小于10纳米，如果尺寸继续缩小，制造工艺将变得异常困难。首先，栅极尺寸过窄的晶体管对电流的控制能力会急剧下降，从而产生“漏电流” 。4 – 6此外，为了在芯片上集成更多的晶体管，二氧化硅绝缘层必须越来越薄，而这也会产生漏电流，最终造成额外的功耗，以及信号衰减和电路错误。第二，在5纳米及以下节点制造芯片时，晶体管的电子将受到量子隧穿效应，不再沿着既定的路径移动，5,7-9导致晶体管的特性失控，制造难度和成本增加。
金荣英实验纳米物理中心...
研究 她的研究领域是材料物理学。这是一个高度跨学科的领域，需要从物理学、化学、材料科学和工程学的角度进行研究。她的研究目标是应用材料合成（通常在极端条件下）、成分调整和晶体生长（更好的晶体通常是一种新材料）的实验工具来解决先进功能材料中的前沿问题。她的努力致力于 (1) 开发具有有趣特性的新型量子材料（超导性、量子磁性、非平凡拓扑、热电和多铁性），(2) 研究物理特性：电荷、自旋和热传输、磁化、比热、微观（磁力显微镜、扫描隧道显微镜、透射电子显微镜）和光谱（角分辨光发射和中子散射）测量，以及 (3) 与理论家/计算科学家合作，以在原子层面上理解观察到的现象。她的研究成果已发表 255 多篇经过同行评审的期刊文章，被引用超过 11,000 次。
超大规模集成电路互连和纳米级器件的进步
阿塔尔·比哈里·瓦杰帕伊 - 印度信息技术与管理学院瓜廖尔分校 (ABV-IIITM Gwalior) 是印度首屈一指的学院，由印度政府人力资源与开发部 (MHRD) 于 1997 年创办，是信息技术与管理领域的卓越中心。它是上述领域提供优质高等教育的领先学院，位于印度中央邦北部的瓜廖尔市。学院活动旨在通过高度竞争的学术环境以及学院与企业界之间的密切互动来发展探究和研究文化。学院与业界保持着活跃的联系。学院通过了 ISO 9001:2008 和 NAAC “A” 认证。它还被印度政府宣布为国家重要学院。在 2017 年印度尼西亚大学评估的 UI 绿色指标世界大学排名中，该学院在全球排名第 164 位，在印度排名第 1 位。该学院在 2022 年绿色排名中还位列印度第 6 位，NIRF 工程类别排名为第 78 位。
纳米级进展 - RSC 出版
传统计算机技术正面临着根本性的限制，这些限制与硬件架构（冯·诺依曼瓶颈）、晶体管的集成密度（摩尔定律的终结）以及估计功耗的大幅增加有关。这些限制极大地刺激了对新颖和非传统计算概念的研究。1 神经形态工程领域旨在通过设计新型计算硬件来解决这些挑战，这些计算硬件从生物学原理中汲取灵感，例如信号阈值、突触可塑性、并行性和层次结构或内存计算。2 在过去十年中，忆阻器件作为神经形态硬件设计中的基本构建单元发挥了关键作用，重大努力集中在大规模集成
纳米级应力局部化对 GaN 高迁移率晶体管辐射敏感性的影响
原子位移的高阈值能量（Ed）[5]、点缺陷的动态退火[6]以及没有传统的栅极绝缘体[7]，这些使得它们在辐射环境中也具有吸引力。GaN HEMT 中故意引起的应力场在整个通道中基本是均匀的。这可能是为什么局部应力的概念尚未在文献中研究的原因。另一个原因可能是局部应力的全局平均值很小；这似乎太小而无法影响任何特性。最后，以纳米级分辨率映射机械应力是一项艰巨的任务。所有这些因素使得 GaN HEMT 文献只能研究均匀应力场的作用。但是，关态偏置可能会在电场周围引起高度局部化的机械应力。[8] 器件制造和设计特征也会产生应力局部化。然而，目前还没有人齐心协力绘制机械应力的空间非均匀性图，以研究其对晶体管特性的影响。常用的实验技术，如悬臂[9]、三点弯曲[10]和四点弯曲[11]，都无法捕捉到应力局部化。衬底去除[12,13]也用于产生均匀的弯曲应力。本研究的动机来自应力约束效应提供的识别易受辐射区域的机会。我们假设纳米级约束应力（机械热点）可能决定辐射损伤（甚至是操作性能下降）的特定位置成核。例如，HEMT 的栅极漏电被归因于促进肖特基接触金属化相互扩散的局部应力强度。[14]只有少数研究试图控制固有应力以显示对辐射效应的明显影响。 [15,16] 有必要将这些研究扩展到特定类型的辐射和压力。
使用原位原子探针断层扫描技术可视化 Fe-Cr-Ni 合金氧化早期阶段的纳米级氧和阳离子传输机制
对于理解地壳形成[13–15]和磁性的起源具有重要意义。[16] 在法医学中，材料中的 18 O 测绘有助于追踪动物和人类的地理起源。[17] 在研究固体材料氧化机制的不同方法中，原位环境透射电子显微镜 (TEM) 和原位扫描隧道显微镜对于研究与氧化早期阶段相关的原子级结构变化非常有效。[1,3,5,18,19] 然而，这些原位技术缺乏区分单个氧同位素的灵敏度。同时，对氧同位素高度灵敏的纳二次离子质谱 (SIMS) 和其他基于质谱的技术缺乏 3D 亚纳米级的空间分辨率。 [14,17,20,21] 最近，非原位原子探针断层扫描 (APT) 研究验证了 APT 能够实现材料中 18 O 同位素分布的亚纳米级空间分辨映射。[10,22–25] 然而，将 APT 在亚纳米级空间分辨率下定量映射 18 O 的能力扩展到原位氧化研究尚未得到证实。在这里，我们首次展示了使用 18 O 同位素的原位 APT 分析模型 Fe-18 wt% Cr-14 wt% Ni 模型合金（以下称为 Fe18Cr14Ni）中的氧扩散
基于纳米药物载体的肿瘤治疗
目前的抗肿瘤治疗方法有几个局限性，包括多药耐药性和严重的不良反应。靶向药物递送系统是可以帮助医疗服务提供者克服这些限制的有效替代方案。外泌体可以作为一种天然的纳米级药物递送系统，具有高生物相容性、低免疫原性和有效的肿瘤靶向性的优点。在本文中，我们讨论了外泌体的生物学特性，总结了基于外泌体的药物递送系统的载药机制，并研究了外泌体在临床肿瘤治疗方法中的潜在作用和适用性。本综述可作为未来基于外泌体的递送系统在临床精准肿瘤治疗中发展的指南。
Barrio：可定制的纳米级大脑结构空间邻域分析与比较
图 1：空间邻域的定制可扩展比较。Barrio 支持用户定义的分析场景 (a,b)，以自动调整可视化、视图参数和用户界面，用于纳米级大脑结构的比较分析。Barrio 建议最适合分析视图中正在比较的用户选择的邻域数量的比较方法 (f)。用户首先指定其分析的生物学目标 (a)，并定义用于比较不同基数（即 2 到 n 个结构）的首选可视化方法 (b)。Barrio 自动调整可视化和 UI，包括设置面板 (c)、目标类型实例的列表视图 (d)、3D 概览 (e)、定量分析视图 (f) 和详细的 3D 邻域视图 (g)。
分级组装分子纳米片的合成及纳米级表征
此类材料可用于传感器技术[3–6]、能量存储和转换[7–12]、催化[13,14]以及光学和光电设备等各个领域。[15] 此类材料合成的主要挑战之一是化学功能单元的定制整合。石墨烯等二维碳材料在这方面引起了人们的极大兴趣。[16,17] 然而，石墨烯作为组装分级材料的平台的应用受到限制，特别是由于其化学惰性以及在功能化后物理性质的恶化。[15,18,19] 因此，分子纳米片越来越受到关注，因为它们可以由各种有机化合物灵活组装并本质上提供功能基团。 [20,21] 在这方面，碳纳米膜 (CNM)——厚度约为 1 纳米的分子纳米片，为二维材料的分级组装提供了一个通用平台。[22–25] CNM 可以通过电子辐照诱导芳香族自组装单分子层 (SAM) 交联大规模合成，[23] 具有可调的厚度 [24] 和孔隙率 [24,26]，并允许化学功能化 [27,28] 以及气体和离子渗透，[29,30] 等。CNM 的应用示例包括二维片的分级组装，用于生物识别 [31] 和能量漏斗 [27] 应用，以及用于实施