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ATLAS Inner Tracker 像素探测器的开发（ITk ...
摘要：ATLAS 是 LHC 的两个主要实验之一，目的是研究物质的微观特性，以回答粒子物理学最基本的问题。在首次数据运行取得成功之后，LHC 通过三次加速器升级，突破了质心和亮度的能量极限，从而扩大了新发现和精确测量的可能性，最终形成了高亮度 LHC（HL-LHC）。 ）。为了充分利用增加的亮度，计划对 ATLAS 内部探测器进行两次重大升级。第一次升级已于 2015 年初完成，插入了 IBL，即距离光束线仅 3.2 厘米的第四个像素层。第二次重大升级定于 2024 年进行，整个内部探测器将被完全由硅器件制成的全新内部跟踪装置取代，以应对 HL-LHC 的高粒子密度和强辐射环境，该装置在运行期间运行期间将提供 3000 fb −1，几乎是整个 LHC 计划内部光度平均值的十倍。本论文讨论的是
CT-PPS 跟踪系统的 3D 硅像素探测器
独特的中央生产过程的测量将使大型强子对撞机物理项目扩展到电弱领域和 QCD 领域成为可能，并且对物理的特殊敏感性超出了标准模型。为此，最近安装了 CMS-TOTEM 精密质子光谱仪，旨在在高亮度大型强子对撞机的正常操作条件下运行。光谱仪由位置和时间探测器组成，安装在距 CMS 两侧交互点约 210 m 的位置，位于称为“罗马罐”的移动结构内，可让您更接近光束。从相互作用中完好无损地出现的散射质子，仅损失了一小部分动量，被光束包络外部的大型强子对撞机磁铁偏转，并用硅像素探测器平面进行测量。相反，需要时间探测器来确定主顶点，利用两侧两个质子的到达时间信息，并在此基础上大大减少由于许多堆积事件而导致的背景。由于探测器将受到高辐射注量（估计约为 3 × 10 15 n eq / cm 2 ），因此 CT-PPS 跟踪器选择了所谓的 3D 硅像素传感器。来自三个主要制造商（CNM、FBK 和 SINTEF）的传感器在实验室和辐照前后的光束上进行了测量，以评估其特性和性能。最终探测器中使用了 CNM 传感器，以及为 CMS 像素跟踪器第一阶段升级而开发的读出芯片。两个六层空间站在 2016/2017 年大型强子对撞机冬季停运结束时进行了组装、测试和安装。探测器的调试正在进行中，通过使用从中心像素跟踪器开始开发的采集软件。检测器已经过校准，能够在 CMS 采集链内获取数据。第一次比对运行的数据已成功收集，分析正在进行中。
读取电池电量计时出现问题 Pixel 4Xl
我正在寻求帮助，并分享我在 4XL 上使用 Android 12 的令人沮丧的经历。自从升级到 A12 以来，我一直收到烦人的推送通知，说电池表无法读取。昨天醒来时，我的手机在充电仅两分钟后就没电了。除非插上电源，否则它不会重新开机，即使插上电源，也只能持续很短的时间。我尝试了多个充电器，但 Ampere 无法检测到任何充电问题。更糟糕的是，Verizon 的技术支持没有帮助，并告诉我他们无法/不会解锁我的引导加载程序。尝试恢复到 Android 11 后，我意识到由于被锁定在当前操作系统中，因此无法选择该选项。电池问题似乎是与 A12 相关的软件问题。有没有人遇到过这种情况？如果您有任何针对引导加载程序锁定的手机的解决方案，请分享！否则，直接从 Google 购买似乎是可行的方法。自收到 2021 年 6 月的安全更新以来，Google Pixel 设备（尤其是 Pixel 4 XL）一直面临一个反复出现的问题。用户不断受到“读取电池计量器时出现问题”系统 UI 通知的轰炸，该通知几乎每小时都会出现一次。尽管有大量报告，但谷歌尚未公开评论此事，但谷歌支持社区的一位产品专家已证实该问题正在升级。即使更新到最新的 Android 软件并重新启动设备后，问题仍然存在。虽然一些用户通过更换电池或降级到 2021 年 5 月的安全更新找到了临时解决方案，但这些解决方法并不被视为永久解决方案。要降级到 2021 年 5 月的安全更新，用户可以按照分步指南将 5 月的出厂映像刷入他们的 Pixel 4 XL 设备。但是，此过程需要谨慎，必须正确完成以避免任何进一步的复杂情况。必须注意的是，虽然这些解决方法提供了临时修复，但 Google 仍需要解决根本问题，以确保 Pixel 4 XL 设备上的无缝用户体验。在刷新 5 月出厂映像并在开发者选项中禁用自动系统更新后，我的 Pixel 4 XL 上再次出现了“读取电池计量器时出现问题”通知。希望 Google 能尽快为这个问题提供永久修复。与此同时，如果用户遇到此问题，可能需要联系 Pixel 支持并更换或维修电池。我自掏腰包让 UBIF 更换电池，然后将其带回给他们并让他们诊断问题（免费）。如果他们确认是主板问题，至少我会知道。市场上有许多低质量的电池，这可能是导致此问题的原因。CNLiberal 分享了他们自己在主板针脚连接器上遇到类似问题的经历。他们也开始看到与我相同的消息，但最初手机充电正常，直到问题变得更加频繁，最终一直发生。当出现“？”符号时，手机无法充电，因此他们不得不在插电的情况下使用手机一周。维修店向他们展示了 MB 连接器在显微镜下确实损坏了。由于智利的维修成本太高，他们决定购买一台新的 Pixel 5a 5g。最近，我把手机带回 UBIF，他们说谷歌会在 4 小时后免费更换电池。现在我的手机显示的电池百分比正确，这很奇怪，因为谷歌最初告诉我它不在 Pixel 延长保修范围内（几周前我曾使用我的 IMEI 与他们核实过）。更奇怪的是，当我 6 月份去 UBIF 询问是否在保修范围内时，他们说不，我必须支付 100 美元（+税）来更换电池。现在要么 UBIF 真的免费更换了电池，要么新电池上的连接器松了，他们没有告诉我就把它放回去了。我遇到了同样的问题，“？”标志出现了，我今天下午在 ubreakifix 有一个约会，看看他们是否能帮我。与他们交谈后，我将在今天晚些时候更新。
范德华固体的机器人四维像素组装
通过组装层状二维材料 1、2，可以设计出具有原子级精确垂直组成的范德华 (vdW) 固体。然而，由微机械剥离的薄片 3、4 手工组装结构与可扩展和快速制造不兼容。进一步设计 vdW 固体需要精确设计和控制所有三个空间维度上的组成以及层间旋转。本文，我们报告了一种机器人四维像素组装方法，用于以前所未有的速度、精心设计、大面积和角度控制制造 vdW 固体。我们使用机器人组装由原子级薄的二维组件制成的预图案化“像素”。晶圆级二维材料薄膜的生长和图案化采用清洁、非接触式工艺，并使用由高真空机器人驱动的工程粘合剂印章进行组装。我们制备了多达 80 个独立层的范德华固体，由 100 × 100 μ m 2 的区域组成，这些区域具有预先设计的图案形状、横向/垂直编程的成分和可控的层间角度。这使得对范德华固体进行有效的光学光谱分析成为可能，揭示了 MoS 2 中新的激子和吸光度层依赖性。此外，我们制备了扭曲的 N 层组件，其中我们观察到了扭曲的四层 WS 2 在≥ 4° 的大层间扭曲角下的原子重构。我们的方法能够快速制造原子级分辨的量子材料，这有助于充分发挥范德华异质结构作为新物理 2、5、6 和先进电子技术 7、8 平台的潜力。对硅等无机晶体材料的结构和化学成分进行精确的三维 (3D) 空间控制（x、y、z）是集成电路的基础。通过堆叠二维材料 (2DM) 形成的范德华 (vdW) 固体不受晶格可公度性或层间键合的限制，因此与传统的顺序沉积晶体 1、2 相比具有两个优势。首先，相邻层之间的晶格和化学灵活性意味着可以生产具有层可调电学 4、5、9、磁性 9、10 和光电 11-14 特性的任意垂直晶体组合物序列。其次，这种层间灵活性引入了一个额外的维度 θ，即层间晶格旋转或扭曲，作为控制 vdW 固体性质的新自由度。这已在
用于垂直堆叠 R/G/B 微型 LED 像素的先进外延
异质集成中一种突出的方法是基于转移的组装，其涉及去除由不同批次和工序制成的外延层。[5] 但这种方法在高密度器件集成方面面临障碍。首先，传统的外延生长将外延层器件紧密结合到基板上。分离它们通常需要高功率激光或化学蚀刻剂，这可能会损坏基板和外延层。这种风险限制了器件性能和产量。[6] 此外，在转移和组装阶段，必须将不同的功能器件分割成微小的芯片。这对于将它们准确转移和组装到高密度器件阵列的目标表面或基板上至关重要。在这个芯片键合过程中，即使是轻微的错位也会破坏器件与其底层电路之间的连接。这些困难不仅会增加微型和微型发光二极管 (μLED) 显示器等产品的生产成本，而且在制造高密度垂直堆叠器件时也带来了重大挑战。这种复杂性对于生产高分辨率显示器尤其重要，例如增强现实（AR）或元宇宙设备以及异质集成电子产品中使用的显示器。
设计，模拟和优化硅基板上增强的垂直GAN纳米线晶体管用于电力电子应用
在高能量物理中使用的大探测器系统中相互作用点附近的像素阵列的发展需要像素及其读数的高辐射硬度。基于量子井的像素设备，称为dotpix使用带有控制门的传感N通道MOS设备。埋入的GE层充当当前的调制门，该栅极定位通过撞击颗粒而产生的孔。通过si上GE的低温外延生长获得了Dotpix埋入的GE门。我们已经开始研究实现这些先决条件的不同方法：需要低温预算来减少GE和SI相互混合，这可能对DotPix操作有害。使用Si热氧化物与沉积的氧化物（例如氧化物）一起研究，这与二氧化硅不同。在这项研究中，二氧化硅和沉积的氧化物结合的可能性为另一种可能性。
气体像素探测器轨迹重建错误导致的极化泄漏
2 佛罗伦萨大学物理与天文系，via G. Sansone 1, Sesto F.no (FI)，意大利 3 INFN – 佛罗伦萨分部，via G. Sansone 1, Sesto F.no (FI)，意大利 4 斯坦福大学物理系和 Kavli 粒子天体物理与宇宙学研究所，452 Lomita Mall, Stanford, CA 94305, USA 5 INFN – 比萨分部，Largo Bruno Pontecorvo 3, 56127 Pisa (PI)，意大利 6 比萨大学物理系，Largo Bruno Pontecorvo 3, 56127 Pisa (PI)，意大利 7 马里兰大学巴尔的摩分校，620 W. Lexington St., MD 21250, USA 8 美国国家航空航天局戈达德太空飞行中心，8800 Greenbelt Rd., Greenbelt, MD 20771, USA 9 中心美国国家航空航天局/戈达德太空飞行中心空间科学与技术研究与探索中心，8800 Greenbelt Rd.，Greenbelt，MD 20771，美国 10 美国国家航空航天局马歇尔太空飞行中心，4600 Rideout Rd.，Huntsville，AL 35812，美国
通过调整像素密度优化同轴平面栅极氧化锌纳米线场发射阵列的性能
摘要：门控ZnO纳米线场发射阵列在平板X射线源、光电探测器等大面积真空微电子器件中有着重要的应用。由于应用需要高像素密度的场发射阵列，因此需要研究像素密度对门控ZnO纳米线场发射性能的影响。本文模拟了在保持横向几何参数成比例的情况下不同像素尺寸下同轴平面门控ZnO纳米线场发射阵列的性能，获得了发射电流和栅极调制随像素尺寸的变化曲线。利用所获得的器件参数，制备了同轴平面门控ZnO纳米线场发射阵列。场发射测量结果表明，当栅极电压为140 V时，制备的ZnO纳米线场发射阵列的电流密度为3.2 mA/cm 2，跨导为253 nS，表明栅极控制有效。性能的提高归因于优化的栅极调制。
pilamim：通过整合像素和潜在的蒙版图像建模
在蒙版的图像建模（MIM）中，存在两个主要方法：像素MIM和潜在MIM，每个方法分别利用不同的重建目标，原始像素和潜在表示。Pixel Mim倾向于捕获低级视觉细节，例如颜色和纹理，而潜在MIM专注于对象的高级语义。但是，每种方法的这些独特的优势可以导致依赖特定视觉特征的任务中的次优性能。为了解决这一限制，我们提出了Pilamim，这是一个统一的框架，结合了像素MIM和潜在MIM以整合其互补优势。我们的方法使用单个编码器以及两个不同的解码器：一个用于预测像素值，另一种用于潜在表示，可确保捕获高级和低级视觉特征。我们将[Cls]令牌进一步集成到重建过程中，以汇总全局上下文，从而使模型能够捕获更多的语义信息。广泛的实验表明，在大多数情况下，Pilamim优于MAE，I-JEPA和BOOTMAE等关键基线，证明了其在提取更丰富的视觉表示方面的有效性。该代码可在https://github.com/joonmy/pilamim.git上找到。
SIGE BICMOS技术中整体硅像素原型的时间分辨率和功耗
摘要：SIGE BICMOS技术可用于生产超快速的低功率硅像素传感器，即使没有内部增益也可以提供最新的时间分辨率。此类传感器的开发需要识别和控制主要因素，这些因素可能会降低正时性能以及传感器时间分辨率对放大功率消耗的依赖性的表征。IHP微电子学中SG13G2技术在SG13G2技术中产生的原型传感器的90 SR源的测量表明，在7μA的放大电流下，在150μpS的放大电流下的时间分辨率为145 ps，功率为150μA。用于校正时间步行的信号时阈值测量的分辨率是影响该原型的时机性能的主要因素。