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带宽超过 100 GHz 的氮化硅高速光电二极管
从长途光纤链路到短距离无线网络，数字通信系统越来越依赖于光子集成电路。然而，对更高带宽的追求正在将当前的解决方案推向极限。硅光子平台因其可扩展性和成本效益而备受赞誉，它依赖于诸如硅上 III-V 族元素异质外延[ 3 ]或在 SOI 波导上放置锗鳍片[ 1 ]等解决方案，以实现超高速应用。在所有硅光子技术中，氮化硅 (SiN) 材料平台具有一些独特的优势：它们提供非常低损耗的波导，由于非常高 Q 值的谐振器而具有非常好的滤波器，并且由于没有双光子吸收（与硅相比），因此可以处理非常高的功率。然而在 SiN 上，无法直接生长。一种可能的解决方案是将 III-V 族元素晶圆键合到 SiN 波导上[ 2 ]。在这项工作中，我们提出了一种多功能且可扩展的方法，通过微转印（µTP）单行载流子（UTC）光电二极管在 SiN 上创建波导耦合光电探测器。
现代 VLSI 设备基础知识
这是一本经典且被广泛采用的教材的第三版，经过了彻底更新，非常适合实际晶体管设计和课堂教学。国际知名的作者涵盖了各种最新发展，详细讨论了现代 VLSI 器件的基本属性和设计，以及影响性能的因素。书中约有 25% 的内容为新内容，内容范围已扩展到高 k 栅极电介质、金属栅极技术、应变硅迁移率、MOSFET 的非 GCA（渐进沟道近似）建模、短沟道 FinFET 和 SOI 上的对称横向双极晶体管。章节已重新组织，将附录整合到正文中，以实现更流畅的学习体验，并包含大量额外的章末家庭作业练习（+30%），让学生参与实际问题并测试他们的理解。对于学习高级半导体器件课程的高年级本科生和研究生以及半导体行业中从事硅器件工作的专业人士来说，这是一本完美的教材。
太平洋的气候和海洋支持计划（...
厄尔尼诺 - 南方振荡状况：截至2024年3月31日，厄尔尼诺尼诺（Elniño）仍在继续，但其末尾。气候模型表明，预计热带太平洋中部的海面温度将在2024年晚些时候返回ENSO中性。海洋指示器，例如热带太平洋海面温度，自12月以来一直在稳步冷却，但仍在达到厄尔尼诺现象阈值。大气指标与衰减的ElNiño一致。在赤道日期线附近的浑浊程度低于平均水平，与活跃的厄尔尼诺现象相反。目前为90天的南部振荡指数（SOI）为-3，与ENSO中性一致。国际气候模型表明，在接下来的几个月中，中央热带太平洋将继续冷却，其中有七个气候模型表明中部太平洋很可能在4月底到4月底重返中性ENSO水平（即，ElNiño和LaNiñua均未表明所有模型均表示可能中立。降雨状况：截至2024年3月31日
53 GBPS光学链接，带有共同设计的DSP和集成的EAM驱动程序，异质融合
DSP芯片是在高级填充过程中制造的，具有电吸附调制器驱动程序单一集成并与TX PHY输出共同设计。发射灯SIPHO 4通道粗波长度多路复用（CWDM）光子积分电路（PIC）是在塔中的半导体PH18DA过程中制造的[4]。图中显示了制造流的概念图。1（b）：SOI晶圆是用光子设备模式的，然后将III-V模具粘合到晶片的顶部表面，并去除IIII-V模具底物。III-V设备区域进行了进一步处理和图案。最后，形成了线金属互连的后端。通过此过程，单个硅光子晶片可以支持多种类型的III-V设备功能。在此示例中，III-V增益区域用于形成可调激光器，并使用单独的IIII III III III-V电吸附状态形成异质硅/III-V电吸附调制器。将TX PIC翻转到金属有机底物上。低损坏的边缘耦合辫子工艺被用来将图片从图片中的光线搭配到SMF纤维，如图2a。
材料光子学
摘要：综合硅光子学中的极化依赖性对量子技术的量子状态的操纵有害影响。这些限制对进一步的技术发展具有深远的影响，尤其是在量子光子互联网中。在这里，我们提出了一个基于340 nm厚的硅在绝缘子（SOI）平台上的独立于极化的马赫 - Zehnder干涉仪（MZI）结构。MZI促进了低损失，宽阔的操作带宽以及对制造不完美的宽敞耐受性。，对于横向电动（TE）和横向磁性（TM）模式，我们在100 nm带宽（1500 〜1600 nm）中实现了<10％的过剩损失，> 18 dB的灭绝无线电的灭绝无线电损失。我们在数值上证明了在1550 nm处两个极化的干扰可见性为99％，独立于极化的损失（PDL）为0.03 dB。此外，通过使用相补偿和自我形象的原理，我们将波导锥度的长度缩短了几乎一个数量级，而TE和TM极化的传输均达到95％。到目前为止，所提出的结构可以显着改善整合并促进整体式综合量子互联网的发展。
FM 24-18 目录 - 比特
FM 24-18 野战手册 总部第 24-18 号 陆军部 华盛顿特区 1987 年 9 月 30 日 战术单通道无线电通信技术 目录 前言 iv 第 1 章 单通道无线电通信简介 1-1 第 2 章 无线电原理 2-1 第 I 节 理论和传播 2-1 第 II 节 调制类型和传输方法 2-7 第 3 章 天线 3-1 第 I 节 要求和功能 3-1 第 II 节 特点 3-1 第 III 节 天线类型 3-6 第 IV 节现场维修和应急措施 3-13 第四章 操作单通道无线电的实际考虑 4-1 第一节 选址考虑 4-1 第二节 发射机特性和操作员技能 4-3 第三节 传输路径 4-4 第四节 接收器特性和操作员技能 4-5 第五章 无线电操作技术 5-1 第一节 一般操作说明和 SOI 5-1 第二节 无线电报程序 5-4 第三节 无线电话和无线电传打字机程序 5-6 分发限制：批准公开发布；分发不受限制。 * 本出版物取代 1984 年 12 月 13 日的 FM 24-18。
Tobias Thaller -Kirchhoff物理研究所
随着纳米级制造技术的高级，光子综合电路的速度和能源效率获得了流动性。一个主要的挑战涉及纤维和纳米光学设备之间的耦合。一个有希望的解决方案是使用光栅耦合器，它可以在芯片上的任何位置正交近似光。虽然已经在SOI平台上牢固地建立，但近年来，它们在诸如罪恶之类的低指数平台上也变得至关重要。这个相对较新的材料平台的特征是其低传播损失和出色的功率处理能力，使其对广泛的应用具有吸引力。虽然标准的光栅耦合器有效地将仅具有一个极化的光，但是无论其极化如何，极化的拆卸光栅耦合器都可以将光线磨合。后者尚未在罪恶平台上实现，使他们的调查特别值得。本文使用FDTD仿真确定了关于sin上2D光栅耦合器设计的操作参数。模拟的最大耦合效率为51。8％，无需使用任何其他返回反射器。此外，还探索了sin上极化的光栅耦合器的发展，其中3D模拟表明这项工作是可以实现的。
实现量子点电信C的稳定光纤耦合......
由于制造技术和集成密度成熟，成熟的绝缘体上硅平台在大规模集成光子和量子光子技术中前景广阔。本文，我们介绍了一种高效稳定的光纤到芯片耦合，可将电信量子点的单光子注入绝缘体上硅光子芯片。另外两根光纤将芯片进一步耦合到单光子探测器。实现稳定光纤-芯片耦合的方法是基于使用与成角度的单模光纤稳定封装的光栅耦合器。使用这种技术，光纤和 SOI 芯片之间的耦合效率高达每个光栅耦合器 69.1%（包括锥度损耗）。通过使用 Hanbury-Brown 和 Twiss 装置测量二阶相关函数，验证了量子点产生的量子光与硅元件之间的有效界面。通过 g = 2 = 0 = 0 : 051 6 0 : 001，清楚地证明了注入的 QD 光子的单光子性质。这证明了接口方法的可靠性，并开辟了使用电信量子点作为具有高复杂性硅光子功能的非经典光源的途径。
对称硅微孔谐振器光学横杆阵列，用于加速的推理和训练
摘要：光子综合电路正在成为一个有前途的平台，用于加速深度学习中的矩阵乘法，利用光的固有平行性质。尽管已经提出并证明了各种方案是为了实现这种光子矩阵加速器，但由于在光子芯片上直接芯片后反向传播的困难，使用光子加速器对人工神经网络的原位培训仍然具有挑战性。在这项工作中，我们提出了一个具有对称结构的硅微孔谐振器（MRR）光学横杆阵列，该横梁允许简单的芯片反向传播，有可能使深度学习的推理和训练阶段加速。我们在Si-On-On-On-On-On-On-On-On-On-On平台上演示了一个4×4电路，并使用它来执行简单神经网络的推理任务，用于对虹膜花进行分类，从而达到了93.3％的分类精度。随后，我们使用模拟的芯片反向传播训练神经网络，并在训练后同一推理任务中达到91.1％的精度。此外，我们使用9×9 MRR横梁阵列模拟了卷积神经网络（CNN）进行手写数字识别，以执行卷积操作。这项工作有助于实现紧凑和节能的光子加速器进行深度学习。