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概要：ENSO中立条件可能过渡到LaNiñaCo
高于平均水平的海面温度（SST）在赤道太平洋上持续存在，在中部和东部太平洋中观察到最大的异常（图1）。最新的每周Niño指数值保持在Niño-4中的 +1.4ºC，niño-3.4中的 +1.9ºC和Niño-3中的 +2.0ºC，而Niño-1 +2则弱至 +1.0ºC（图。2）。面积平均正面温度异常在12月降低（图3），反映了西太平洋低于平均地下温度的加强和向东的扩张（图4）。在东部太平洋中，低级风异常发生了西风，而高级风异常是东方的。对流/降雨在日期线保持增强，并在印度尼西亚被抑制（图5）。赤道和基于站的SOI为负。共同耦合的海洋大气系统反映了强大而成熟的厄尔尼诺。
IBM东北走廊中的高级包装IBM东北走廊中的高级包装
2023 3D Heterogenous Integration 2022 Artificial Intelligence Unit (AIU) 2021 World's First 2-nm Node Chip 2016 Quantum Computing in the Cloud 2012 Atomic Imaging 2011 Watson System 2009 Nanoscale Magnetic Resonance Imaging (MRI) 2008 World's First Petaflop Superconductor 2007 Web-scale Mining 2005 Cell Broadband Engine 2004 Blue Gene/L 2003 5 Stage Carbo纳米管环振荡器2000 Java性能1998硅在绝缘体上（SOI）1997铜互连接线1994硅锗（Sige）1990 1987年化学扩增1987年高温超导性（诺贝尔奖）（诺贝尔奖）（诺贝尔奖） 1971年语音识别1970关系数据库1967分形1966年单位记忆单元1957 Fortran 1956随机访问记忆记忆会计计算机（RAMAC）
利物浦市区 ECO4 和 Great British Insulation ...
地方当局 (LA) 识别可能受益于供暖和节能措施的燃料贫乏和脆弱家庭的灵活方法称为“ECO4 Flex”和“英国保温计划 Flex”。LCR 地方当局欢迎引入 ECO4 Flex 资格路线，因为它有助于他们实现改善燃料贫困或易受寒冷影响的人的住房的计划。塞夫顿市议会将于 2023 年 9 月 14 日发布此意向声明 (SoI)，以确认每个申报的家庭都将遵守以下四个可用路线中的至少一个（带叉的框表示市议会正在使用的路线）：☒ 路线 1：自住和私人租赁部门家庭，年总收入低于 31,000 英镑。无论房产大小、构成或地区如何，此上限都适用。☒ 路线 2：自住和私人租赁部门家庭，满足以下两个代理组合：
利物浦城市地区生态4和大英国绝缘材料...
对地方当局（LAS）的灵活方法来识别可能从供暖和节能措施中受益的燃料贫困和弱势家庭，称为“ Eco4 Flex”和“英国绝缘计划Flex”。LCR地方当局欢迎引入Eco4 Flex资格路线，因为它可以帮助他们实现计划，以改善燃料贫困或容易受到寒冷的人的住所。st helens borough委员会将于2023年10月1日发表这一意图声明（SOI），以确认，宣布的每个家庭将遵守以下概述的四个可用路线中的至少一条（交叉框表示理事会使用哪种路线）：☒路线1：☒路线1：所有者和私人租赁部门和私人租金的家庭不到31,000年的收入。此上限适用于属性大小，成分或区域，不论。☒路线2：符合以下两个代理的组合的所有者占领和私人租赁部门家庭：
TDFA 波段硅光可变衰减器
摘要 —TDFA 波段（2 µ m 波段）已被视为下一代光通信和计算的有前途的光学窗口。吸收调制是基本的可重构操作之一，对于大规模光子集成电路至关重要。然而，在 TDFA 波段探索吸收调制的努力很少。在这项工作中，基于绝缘体上硅 (SOI) 平台设计和制造了用于 TDFA 波段波长的可变光衰减器 (VOA)。通过将 200 µ m 的短 PIN 结长度嵌入波导，制造的 VOA 在 2.2 V 时表现出 40.49 dB 的高调制深度，并具有由等离子体色散效应引起的快速响应时间 (10 ns)。结合法布里-珀罗腔效应和硅的等离子体色散效应，衰减器可实现超过 50 dB 的最大衰减。这些结果促进了2μm波段硅光子集成的发展，并有望促进光子衰减器在串扰抑制、光调制和光通道均衡方面的应用。
鲁汶天主教大学鲁汶工程学院 (UCLouvain) 正在招募三名射频器件工程博士生 (4 年)
鲁汶天主教大学鲁汶工程学院 (UCLouvain) 正在招募三名射频器件工程博士生 (4 年) 和一名博士后 (3 年)，研究在宽频率和温度范围内对绝缘体上硅 (SOI) 器件进行晶圆上特性描述和建模的先进技术。鲁汶工程学院 30 多年来一直率先推动 RF-SOI 在高频应用中的使用，并积累了数十年在该领域的经验。我们目前正在招募积极主动且感兴趣的候选人，以帮助我们研究 22 纳米以下的下一代 FD-SOI CMOS 晶体管，以解决 RF 和毫米波领域的应用，例如电信、雷达、成像、传感等。这些科学研究将在多个欧洲 Chips JU 项目 (SOIL、ArCTIC、FAMES、Move2THz) 的框架内进行。候选人将与最好的大学、研究中心（imec（比利时）、CEA-Leti（法国）等）和公司（STMicroelectronics（法国）、GlobalFoundries（德国）、SOITEC（法国）等）合作。
COVID-19危机与非正式经济：
COVID-19危机和非正式经济是一项由Wiego领导的12个城市纵向研究，评估了Covid-19危机对特定非正式工人及其家庭群体的影响。使用调查问卷和深入的访谈，第一轮评估了2020年4月（大多数城市的高峰限制期）的影响，并在2020年6月/7月（与2019年12月相比，大多数城市的限制减轻了）。第2轮将在2021年上半年评估持续的影响与恢复的迹象，与前期前期和第1轮相比。本报告介绍了泰国曼谷研究第一轮的摘要发现。Researchers in Bangkok surveyed and interviewed home-based workers, domestic workers, street vendors, and motorcycle taxi drivers whose organizations are affiliates of the Federation of Informal Workers of Thailand (FIT) 1 , as well as massage therapists from Jaravee Association for the Conservation of Thai Massage, and waste pickers from Poonsap Community in Sai Mai District and Soi Sua Yai Uthit in Chatuchak District.
Amicsa2021-幻灯片-ADC Architectures.pdf
[5] P. Roche，J。L。Autran，G。Gasiot和D. Munteanu。技术降低了散装的辐射效果的恶化：SOI进行救援。技术文摘 - 国际电子设备会议，IEDM，2013年。[6] Oluwole A.等。收费收集和收费共享在130 nm CMOS技术中。在IEEE核科学交易中，第53卷，第3253-3258页，2006年12月。[7] David G. Mavis和Paul H. Eaton。SEU并在深subsicron技术中进行建模和缓解。年度会议记录 - 可靠性物理学（研讨会），第293-305页，2007年。[8] Balaji Narasimham等。。在130 nm和90 nm CMOS技术中的数字单事件瞬态脉冲宽度的表征。在IEEE交易中，核科学交易，第54卷，第2506-2511页，2007年12月。[9] R. Sorge等。。JICG CMOS晶体管减少130 nm散装SIGE BICMOS技术中总电离剂量和单个事件效应。物理学研究中的核仪器和方法，2021年1月。
RF 开关的 ESD 行为以及系统高效 ESD 设计的重要性
在某些应用中，由于严格的谐波失真要求和可能高达 30 V 的 RF 电压，RF 前端无法受到瞬态电压抑制器 (TVS) 的保护。这需要对 RF 路径组件进行精确的 ESD 建模，以评估系统的稳健性。天线后 RF 路径中的第一个有源组件通常是 RF 开关，例如匹配调谐器、孔径调谐器或 RX/TX 开关。孔径调谐器使用开关在与 RF 路径并联或串联的几个电感和电容值之间进行选择，以改善收发器在不同情况下的匹配性能，例如，补偿手和头靠近天线的影响 [2, 3, 4, 5] 。最终，该开关将 RF 信号传递到下一级，可能是低噪声放大器、Saw 滤波器、双工器或三工器。一般认为，天线后的第一个组件是 RF 链中最危险的 IC。这促使这些开关的制造商考虑使用 SOI（绝缘体上硅）CMOS 为这些开关提供非常强大的内部保护
传感器
摘要：报道了一种采用临时键合技术制备的微型压阻式压力传感器。在SOI（Silicon-On-Insulator）晶片的器件层上形成传感膜，将传感膜与硼硅酸盐玻璃（Borofloat 33，BF33）晶片键合支撑，经硼掺杂和电极图形化后通过Cu-Cu键合剥离。将处理层减薄、刻蚀后键合到另一片BF33晶片上。最后采用化学机械抛光（CMP）减薄衬底BF33晶片，降低器件总厚度。切割后用酸溶液去除铜临时键合层，剥离传感膜。制备的压力传感器芯片面积为1600 µ m×650 µ m×104 µ m，传感膜尺寸为100 µ m×100 µ m×2 µ m。在0~180 kPa范围内获得了较高的灵敏度36 µ V / (V · kPa)。通过进一步减小宽度，所制备的微型压力传感器可以轻松安装在医疗导管中用于血压测量。