摘要:报道了一种采用临时键合技术制备的微型压阻式压力传感器。在SOI(Silicon-On-Insulator)晶片的器件层上形成传感膜,将传感膜与硼硅酸盐玻璃(Borofloat 33,BF33)晶片键合支撑,经硼掺杂和电极图形化后通过Cu-Cu键合剥离。将处理层减薄、刻蚀后键合到另一片BF33晶片上。最后采用化学机械抛光(CMP)减薄衬底BF33晶片,降低器件总厚度。切割后用酸溶液去除铜临时键合层,剥离传感膜。制备的压力传感器芯片面积为1600 µ m×650 µ m×104 µ m,传感膜尺寸为100 µ m×100 µ m×2 µ m。在0~180 kPa范围内获得了较高的灵敏度36 µ V / (V · kPa)。通过进一步减小宽度,所制备的微型压力传感器可以轻松安装在医疗导管中用于血压测量。