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恒诺微电子
行业集团 2023 年第四季度：由于毛利率疲软，核心利润低于预期 韩亚航空在 2023 年第四季度实现净利润 1.25 亿泰铢（同比下降 88%，环比下降 83%），但不包括一次性项目（即 7500 万泰铢外汇收益、2150 万泰铢减值损失冲销和调整） BT262M的库存价值，公司的核心营业利润将为2.91亿（-47％，QOQ-57％），这比我们的估算/彭博社共识低43％/50％，这是由于您的预期率（gpm）是2％的2％。该季度的GPM仅为15％的假设，我们认为这是由于HANA较低的容量利用率而高于预期的单位成本。例如德州仪器，史蒂罗电子学和Sensata，是Hana的客户正如 IDM 高管在第三季度财报电话会议上所评论的那样，由于一些汽车/工业零部件制造商的库存水平上升速度快于需求，尤其是在 2023 年第 2 季度至 2023 年第 3 季度，Hana 直接和间接地预计 2024 年第 1 季度将进一步进行库存调整。上个月鉴于传统终端市场的增长前景较弱，我们预计 Hana 的销售额在 2024 年上半年将比平时季节性下降，但我们相信随着客户补货，销售额将在 2024 年下半年开始复苏。由于客户采用的高压电动汽车数量减少，SiC 趋势疲软。我们估计 Hana 的全资韩国子公司 Powermaster Semiconductor (PMS) 的销售额将在 2023 年第四季度环比增长 35% 至 1.24 亿泰铢。尽管我们预计 PMS 的销售额将在 2024 财年继续增长，因为产量增加了，但我们预计该公司将在 2024 财年继续增长，因为销量增加了。但到 2024 年，客户对高压电动汽车的采用率下降可能会对碳化硅 (SiC) 技术构成重大挑战。SiC 元件是电动汽车中高效高压电力电子设备的关键元件。因此，硅元件对高压电动汽车（而不是低压电动汽车，因为后者更便宜）的需求下降也可能影响对 SiC 元件的需求，并导致 PMS 比预期更晚达到盈亏平衡。由于复苏进一步延迟，评级建议从“买入”下调至“持有”在调整毛利率假设后，我们将 2024-2025 财年核心每股收益下调 17%，并将对 Hana 的评级从买入下调至持有，因为我们认为股价仍受到 2023 年第四季度收益疲软以及 2024 年上半年核心业务和 PMS 可能脆弱复苏的压力。我们还将 Hana 的目标价下调至 40.50 泰铢，这意味着 2024 财年的市盈率为 12.6 倍（5 年平均值的 -1SD），低于 17.5 倍的市盈率。然而，如果全球电子产品需求回升，Hana 可能面临上行风险，而下行风险则来自毛利率低于预期和 PMS SiC 产量增长低于预期。
欧洲通行证简历
自 2016 年起，担任 UOS 材料和设备表征代表。自 2001 年起，担任 UOS X 射线衍射和 X 射线反射率实验室负责人。从事微电子应用材料领域的研究。研究领域：微电子用氧化物和硫族化物材料、原子层沉积和 MOCVD 沉积、相变存储器、微电子机械系统 (MEMS)、热电材料、拓扑绝缘体。COST 行动 MP1402 HERALD（连接欧洲 ALD 研究）副协调员、LAB4MEMSII 项目（ENIAC 呼叫 2014）副协调员，参与不同的 H2020 和 FP7 项目。欧洲项目 Chemaph（FP7）协调员，负责 PRIN 项目的 CNR。意大利和法国双边项目的协调员，由法国-意大利大学支持。在与 Micron 和 STMicroelectronics 的商业合同竞争中，负责与存储设备和 MEMS 相关的不同活动。拥有美国专利。参与国际项目 VAMAS，旨在实现 X 射线反射率测量的标准化。参与计量项目：IND07，薄膜制造计量，欧洲计量研究计划 (EMRP) 联合研究项目，呼吁 2010 工业 (IND)，
从多指双极晶体管中的测量数据中提取真实的手指温度
摘要 - 在此简介中，我们提出了一种逐步策略，以准确估计基于硅的多纤维双极晶体管结构中的纤维温度，从常规的调查中。首先，我们在给定的环境温度下提取几乎零动力的自加热电阻（r TH，II（t a））和热耦合因子（C IJ（t a））。现在，通过将叠加原理应用于几乎零功率的这些变量上，其中保留了热扩散方程的线性，我们估计有效的热电阻（r th，i（t a））和相应的修订后的效率温度t i（t a）。最后，Kirchhoff在T I（t a）上的trans形得出每个纤维处的真实温度（t i（t a，p d））。所提出的提取技术自动包括晶体管结构中存在的后端金属层和不同类型的沟渠的影响。该技术是针对具有不同发射极尺寸的双极晶体管的3D TCAD模拟结果验证的，然后应用于从stmicroelectronics B5T技术中从最先进的多纤维sige HBT获得的实际测量数据。可以观察到，原始测量数据在40 mW左右的叠加量低估了真正的纤维温度约10％。
产品/工艺变更通知 1.PCN...
ST 深圳（中国）组装和测试线升级为工业级 SO8N 封装 105°C EEPROM 产品 SO8N 封装 105°C EEPROM 产品被所有客户和所有应用广泛地大批量使用。为了长期保持高水平服务和支持大批量生产，ST 决定将组装和测试线从高密度（HD）条带测试线转换为超高密度（SHD）条带测试线。这两条线都安装在 ST 深圳（中国）。自 2012 年以来，SHD 条带测试线已经为工业市场生产大批量 EEPROM SO8N 产品。有什么变化？ST 深圳（中国）的 SO8N 封装 105°C EEPROM 组装和测试从高密度（HD）条带测试线升级为超高密度（SHD）条带测试线。SHD 组装线以更高的并行度运行，组装流程与当前的 HD 线相同。随着持续改进，在芯片贴装和引线键合之间引入了等离子清洗步骤。已对引线框架尺寸进行了合理化。 SHD 条带测试线具有更高的并行度，并且测试流程和测试顺序与当前 HD 线相同。 SHD 条带测试线采用与当前 HD 线相同的测试设备运行。有关装配和测试流程的更多详细信息，请参阅附录 B。 为什么？ 意法半导体存储器部门的战略是长期为客户提供产品和服务质量支持。 根据这一承诺，这一变革将确保长期可用性和 105°C SO8N 产能，同时提高产品制造质量。 什么时候？ 发货将从 2023 年第 01 周开始。 当前 HD 条带测试线上的 105°C EEPROM SO8N 生产将持续到 2023 年 6 月底，以便有时间逐步提高 SHD 生产线的产能。 从 2023 年 6 月起，105°C EEPROM SO8N 产品将仅在 SHD 线上生产。 如何认证变更？ 此变更已使用标准意法半导体公司质量和可靠性程序进行了认证。组装资格报告 RERMMY2005 现已提供，包含在本文档中。测试 (I2C/SPI) 资格报告 TERMMY2005-2 预计于 2022 年第 26 周发布。
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企业家和创新的硕士
TUM慕尼黑学院扩展委员会成员tum Munich学院的扩展委员会成员北北北部北部北京大学的北京大学技术委员会的意大利技术研究所成员ITALIAN INTUSER委员会评估委员会成员，北部2009年北京大学研究所成员，北京大学研究所成员。 “纳米系统倡议慕尼黑” 2006年，纳米董事会成员，TUM纳米科学和纳米技术研究所2003 Raptech S.R.L.共同创始人 和Xenergia S.R.L.，罗马大学的两家初创公司“ Tor Vergata 2002-2010 2002-2010委员Stricroelectronics和Istituto Nazionale di Fisica Della Materia 1998-1999 DAAD的客座教授在TUM 1992-1997意大利国家研究委员会（CNR）1991 - 1992年Alexander von humboldt-Stiftiftung tum tum 1992 - 1997年TUM慕尼黑学院扩展委员会成员tum Munich学院的扩展委员会成员北北北部北部北京大学的北京大学技术委员会的意大利技术研究所成员ITALIAN INTUSER委员会评估委员会成员，北部2009年北京大学研究所成员，北京大学研究所成员。 “纳米系统倡议慕尼黑” 2006年，纳米董事会成员，TUM纳米科学和纳米技术研究所2003 Raptech S.R.L.共同创始人 和Xenergia S.R.L.，罗马大学的两家初创公司“ Tor Vergata 2002-2010 2002-2010委员Stricroelectronics和Istituto Nazionale di Fisica Della Materia 1998-1999 DAAD的客座教授在TUM 1992-1997意大利国家研究委员会（CNR）1991 - 1992年Alexander von humboldt-Stiftiftung tum tum 1992 - 1997年TUM慕尼黑学院扩展委员会成员tum Munich学院的扩展委员会成员北北北部北部北京大学的北京大学技术委员会的意大利技术研究所成员ITALIAN INTUSER委员会评估委员会成员，北部2009年北京大学研究所成员，北京大学研究所成员。 “纳米系统倡议慕尼黑” 2006年，纳米董事会成员，TUM纳米科学和纳米技术研究所2003 Raptech S.R.L.共同创始人 和Xenergia S.R.L.，罗马大学的两家初创公司“ Tor Vergata 2002-2010 2002-2010委员Stricroelectronics和Istituto Nazionale di Fisica Della Materia 1998-1999 DAAD的客座教授在TUM 1992-1997意大利国家研究委员会（CNR）1991 - 1992年Alexander von humboldt-Stiftiftung tum tum 1992 - 1997年TUM慕尼黑学院扩展委员会成员tum Munich学院的扩展委员会成员北北北部北部北京大学的北京大学技术委员会的意大利技术研究所成员ITALIAN INTUSER委员会评估委员会成员，北部2009年北京大学研究所成员，北京大学研究所成员。 “纳米系统倡议慕尼黑” 2006年，纳米董事会成员，TUM纳米科学和纳米技术研究所2003 Raptech S.R.L.共同创始人 和Xenergia S.R.L.，罗马大学的两家初创公司“ Tor Vergata 2002-2010 2002-2010委员Stricroelectronics和Istituto Nazionale di Fisica Della Materia 1998-1999 DAAD的客座教授在TUM 1992-1997意大利国家研究委员会（CNR）1991 - 1992年Alexander von humboldt-Stiftiftung tum tum 1992 - 1997年TUM慕尼黑学院扩展委员会成员tum Munich学院的扩展委员会成员北北北部北部北京大学的北京大学技术委员会的意大利技术研究所成员ITALIAN INTUSER委员会评估委员会成员，北部2009年北京大学研究所成员，北京大学研究所成员。 “纳米系统倡议慕尼黑” 2006年，纳米董事会成员，TUM纳米科学和纳米技术研究所2003 Raptech S.R.L.共同创始人 和Xenergia S.R.L.，罗马大学的两家初创公司“ Tor Vergata 2002-2010 2002-2010委员Stricroelectronics和Istituto Nazionale di Fisica Della Materia 1998-1999 DAAD的客座教授在TUM 1992-1997意大利国家研究委员会（CNR）1991 - 1992年Alexander von humboldt-Stiftiftung tum tumTUM慕尼黑学院扩展委员会成员tum Munich学院的扩展委员会成员北北北部北部北京大学的北京大学技术委员会的意大利技术研究所成员ITALIAN INTUSER委员会评估委员会成员，北部2009年北京大学研究所成员，北京大学研究所成员。 “纳米系统倡议慕尼黑” 2006年，纳米董事会成员，TUM纳米科学和纳米技术研究所2003 Raptech S.R.L.共同创始人和Xenergia S.R.L.，罗马大学的两家初创公司“ Tor Vergata 2002-2010 2002-2010委员Stricroelectronics和Istituto Nazionale di Fisica Della Materia 1998-1999 DAAD的客座教授在TUM 1992-1997意大利国家研究委员会（CNR）1991 - 1992年Alexander von humboldt-Stiftiftung tum
碳化硅 (SiC) 专利格局 2022
受 SiC 技术在电动汽车 (EV) 应用中的采用推动，SiC 功率器件市场正在快速增长。2021 年 SiC 功率器件市场收入超过 10 亿美元，主要由位于欧洲（意法半导体、英飞凌）、美国（Wolfspeed、安森美）和日本（罗姆半导体、三菱电机、富士电机）的公司获得。此外，Yole Développement 最近预测未来几年 SiC 功率器件市场将达到数十亿美元，到 2027 年将超过 60 亿美元，预计 2021-2027 年复合年增长率为 34%。显然，包括中国和韩国在内的其他半导体行业主要国家也已公布了发展本国 SiC 产业的雄心。然而，他们能否在短期或中期内建立功率 SiC 技术所需的整个供应链，尤其是建立 SiC 晶圆的国内供应，受到了质疑。事实上，SiC 晶圆业务的进入门槛非常高，目前能够为功率器件制造商批量生产大面积和高质量 SiC 晶圆的公司数量非常有限，因此他们能够满足电动汽车行业对器件的严格要求。在这种背景下，
J1939协议堆栈
3000/10 J1939-SRCLIB-SLAVE-SL J1939开发人员KIT（单个CAN）在C Sourcecode 3000/20 J1939-SRCLIB-SLAVE-SLAVE-SLAVE-ML J1939开发人员j1939开发人员套件（MULTI CAN）（MULTI CAN）C sourcecode 3010/01驱动程序3010/01驱动程序供Philips SJA1000 3010/010/010/010/010/03 croult Corter Corter Corter Corper corsip sja16/03 3010/04 Driver package for Janz CAN-USB 3010/07 Driver package for Freescale MC9S12DG128 3010/10 Driver package for Atmel 89x51cc0x 3010/20 Driver package for Microchip MCP2510 3010/25 Driver package for STMicroelectronics STR7 3010/33 Driver package for Silabs C8051F040 3010/35 Driver package for Atmel NXP LPC2129 3010/46 AT90CANXX 3010/39 BECK IPC IPC SC1X3 3010/48驱动程序驱动程序包3010/48 Freescale MC56F823 3010/50驱动程序包3010/50 CAN4LINUX 3010/93 NEC PD70F3476 0576 0570/12 J1939 STERERATION -nec 3010/93驱动程序包（Windows™）0580/20 CAN-RE端口-L（Linux™）0580/12 CAN-RE端口J1939 Extension
会议议程
08:15-08:45 注册 08:45-09:15 开幕式 会议主席致开幕词 SEMI 开幕词 颁发最佳学生论文奖和最佳青年工程师论文奖 09:15-09:50 摩尔定律的演变：一个观点 白鹏博士 中国荣格半导体有限公司首席执行官 09:50-10:25 电子设备中的新材料与新几何形状 John Robertson 教授 英国剑桥大学电子工程名誉教授 10:25–11:00 专用设备市场解决方案的集成模块方法 Michael Chudzik 博士 美国应用材料公司 IMS ICAPS 和封装技术副总裁 11:00–11:35 硅视网膜的 50 年历史 Tobias Delbruck 教授 瑞士神经信息学研究所神经形态工程教授 11:35–12:10 MEMS - 可持续技术共创可持续世界 Giorgio Allegato 博士 意大利意法半导体 MEMS 和传感器事业部 MEMS 技术研发总监 小组讨论 2024 年 3 月 17 日星期日 会议室：三楼黄河厅
适用于汽车雷达传感器的 28 nm FD-SOI CMOS 技术的 40 GHz VCO 和分频器
摘要：本文介绍了一种 40 GHz 压控振荡器 (VCO) 和分频器链，采用意法半导体 28 nm 超薄体盒 (UTBB) 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 工艺制造，具有八层金属后道工艺 (BEOL) 选项。VCO 架构基于带有 p 型金属氧化物半导体 (PMOS) 交叉耦合晶体管的 LC 谐振腔。VCO 通过利用可通过单个控制位选择的两个连续频率调谐带，展现出 3.5 GHz 的调谐范围 (TR)。在 38 GHz 载波频率下测得的相位噪声 (PN) 分别为 - 94.3 和 - 118 dBc/Hz（频率偏移为 1 和 10 MHz）。高频分频器（频率从 40 GHz 到 5 GHz）采用三个静态 CMOS 电流模式逻辑 (CML) 主从 D 型触发器级制成。整个分频器因子为 2048。低频分频器采用工作频率为 5 GHz 的 CMOS 触发器架构。VCO 核心和分频器链的功耗分别为 18 和 27.8 mW（电源电压为 1.8 和 1 V）。使用热室在三个结温（即 − 40、25 和 125 ◦ C）下验证了电路的功能和性能。