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物理学 - 理学学士，半导体和现代材料方向
其中 3 个小时必须属于国际和文化多样性领域 (http://catalog.tamu.edu/undergraduate/general-information/degree- information/international-cultural-diversity-requirements/)，3 个小时必须属于文化话语领域 (http://catalog.tamu.edu/substitute/general-information/degree-information/cultural- discourse-requirements/)。这些课程可以作为其他大学核心课程 (http://catalog.tamu.edu/undergraduate/general- information/university-core-curriculum/) 的补充，或者，如果此类别中的课程满足核心课程的另一个领域，则可用于满足这两个要求。选修课可从任何未在其他地方使用的 100-499 课程中选择，ENGL 103、MATH 100-148、165-166、365-366 (http://catalog.tamu.edu/undergraduate/course-descriptions/math/)、PHYS 201、PHYS 202 除外。6 任何经批准的通信课程，PERF 407 除外。7 任何地理/生命/物理科学、数学/
半导体在印度国家安全中的作用
印度将于 2022 年 12 月 1 日担任 G20 主席国，这可谓恰逢其时。印度所面临的世界危机重重，包括俄罗斯与乌克兰之间的持续冲突、中美在技术方面的激烈竞争、不稳定的供应链、台海危机、通货膨胀上升以及气候变化。经济学家亚当·图兹将这一系列事件称为“多重危机”，多重冲击的综合影响比单个冲击的总和更为巨大。因此，国家安全的概念正在发生变化。印度打算利用其担任 G20 主席国的机会推动“以人为本的全球化”，并充当南北之间的桥梁。在这种背景下，当前的危机意味着国家安全的概念将得到扩大，其根源在于技术、自力更生和伙伴关系。
始终保持对速度的感知 - NXP 半导体
NXP 的 KMI 系列磁阻 (MR) 转速传感器为所有应用提供了解决方案。它们是专为满足汽车系统需求而设计的，是完整的即用型模块，包括传感器、反向偏置磁铁和高级信号调节 IC。这些设备具有最大的设计灵活性，可选择输出信号和单独磁化的反向偏置磁铁。
Kinetis K28F MCU 子系列 - NXP 半导体
Kinetis K28F MCU 子系列高性能 ARM® Cortex®-M4 MCU，带有 2 MB 闪存、1 MB SRAM、2 个 USB 控制器（高速和全速）、SDRAM 控制器、QuadSPI 接口和带内核电压旁路的电源管理控制器。 K28F 扩展了 Kinetis Micontroller 产品组合，使其具有大容量嵌入式存储器、高级外部存储器接口、性能和外设集成，同时保持了与以前 Kinetis 器件的高水平软件兼容性：• 扩展的存储器资源包括总共 2 MB 的可编程闪存和 1 MB 的嵌入式 SRAM，可用于支持数据记录和带显示屏的丰富人机界面的应用需求• 带内核电压旁路的电源管理控制器允许使用外部 PMIC，从而最大程度地提高系统的电源效率• K28F 利用 SDRAM 控制器和 QuadSPI 接口实现存储器扩展，从而从外部串行 NOR 闪存进行就地执行 (XIP)• USB 高速和无晶振全速控制器均集成了 PHY，以降低 BOM 成本• 集成的智能外设（如低功耗 UART 和定时器）以极低功耗模式运行，以优化系统的电池寿命
KMZ41 磁场传感器 - NXP 半导体
1 产品简介 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . ... 8 11.1 数据表状态 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...
TDA3629 灯光位置控制器 - NXP 半导体
该设备可防止汽车环境中可能发生的电气瞬变。当电池线路上发生正瞬变时，设备将关闭（见图 7 和 8）。在这种情况下，电机不会短路。图 1 所示的反激二极管将保持存在。瞬变开始时输出级的状态由内部触发器保存。电池线路上的负瞬变（见图 7 和 8）将导致设置接地短路故障检测，因为它将导致设置输入端的电压低于接地短路阈值。但是，设备会在这些瞬变期间放电电解电容器。当产生的电源电压过低时，它将停止工作。
印刷电路板嵌入式功率半导体
与传统封装技术相比，将功率半导体器件嵌入印刷电路板 (PCB) 有几个好处。将半导体芯片集成到电路板中可减小转换器尺寸。这会使电流环路变短，从而降低互连电阻和寄生电感。由于传导和开关损耗降低，这两者都有助于提高系统级效率。此外，由于热阻低，使用厚铜基板可以有效散热。因此，十多年来，PCB 嵌入在电力电子界受到了广泛关注。本文旨在全面回顾该主题的科学文献，从基本制造技术到用于电气和热测试的模块或系统级演示器，再到可靠性研究。性能指标，例如换向环路电感 L σ、与芯片面积无关的热阻 R th × A chip ，可以比较不同的方法并与传统功率模块进行基准测试。一些出版物报告称，杂散电感低于 1 nH，并且与芯片面积无关的热阻在 20 ... 30 mm 2 K/W 范围内。
希腊 III-V 族半导体分子束外延
As 4 分子束 在 PBN 管中注入分子 N 2 气体，产生射频功率诱导等离子体 活性 N 2 * 和 N 物种束 主要激发分子物种：E. Iliopoulos 等，J. Cryst. Growth 278, 426 (2005) 来自 Knudsen 室的 Ga 原子束
铁磁半导体中各向异性磁阻效应的综述
电阻是衡量电流流过材料时遇到的阻力大小的一种量度。在某些材料中，这种阻力还取决于施加在材料上的磁化强度和方向。这种现象称为各向异性磁阻 (AMR)。1856 年，苏格兰物理学家开尔文勋爵通过对铁和镍等铁磁金属进行实验首次观察到了这种现象[1]。他发现，当磁力方向垂直于电流时，电阻减小，而当磁力方向一致时，电阻增大。AMR 的应用可以在自旋电子学中找到，这是一项固态技术，其中电子自旋可以被操纵以产生有用的特性。自旋电子学用于各种技术，例如车辆中的导航系统和用于数据存储的硬盘[2]。
半导体直拉生长的最佳对流条件
由于碳浓度对于高功率器件至关重要，因此这些晶体是通过更复杂的垂直浮区工艺生长的。砷化镓主要用于光通信和显示器，以及即将在微电子（高速 FET 和 HEMT 器件）和功率器件（FET 阵列）中应用，到目前为止，砷化镓还无法在商业上生长到所需的质量。通过掺杂和减小生长过程中的温度梯度（液体封装的 Czochralski IILEC“和水平 Bridgman“舟式生长”），位错问题已有所缓解。然而，腐蚀坑密度 (EPD) 小于 * 10 3 cm- 2 的 GaAs 晶体尚未实现商业化，典型的 EPD 在 10 4 和 10 5 cm- 2 之间 • GaAs 的其他问题包括非化学计量、非均匀性。漩涡状缺陷。深能级缺陷 EL2，以及实现用于高速设备的半绝缘材料（没有高度扩散的补偿铬）所需的纯度。人们普遍希望 GaAs 也可以通过 Czochralski 工艺经济地生产（产生首选的圆形晶片而不是 Bridgman 工艺的 D 形晶片）。并且上述大多数问题可以通过适当调整生长参数来解决。一个重要的切克劳斯基生长中最重要的参数是对流，它决定了均匀性和涡流状和 EL2 缺陷的分布（和数量？）。下文将描述切克劳斯基过程中的各种对流方式，并介绍最有希望优化切克劳斯基熔体对流条件的方法。