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半导体：美国产业、全球竞争和联邦政策
半导体是一种主要以硅或锗为基础的微型电子设备，它支撑着几乎所有的工业活动，包括支撑美国技术竞争力和国家安全的系统。许多政策制定者认为，美国在半导体技术和制造方面的实力对美国的经济和国家安全利益至关重要。美国半导体产业主导着半导体供应链的许多环节，比如芯片设计。半导体也是美国最大的出口产品。半导体设计和制造是一个全球性企业，其材料、设计、制造、组装、测试和封装跨越国界。目前，六家总部位于美国或外资的半导体公司在美国运营着 20 家制造工厂。2019 年，美国半导体制造业直接雇佣了 184,600 名工人，平均工资为 166,400 美元。
适用于最恶劣环境的半导体
我们与您密切合作，了解您的要求并商定符合您的可靠性和成本目标的正确资格和筛选制度。这包括自定义资格、自定义筛选步骤、测试设计和晶圆采购。下面的示例显示了典型的工艺流程，然后根据客户 SCD 对塑料封装部件的需求进行定制。我们位于加利福尼亚州米尔皮塔斯的工厂配备了摇动、摇晃和滚动设备、烤箱、测试板设计、测试设备和知识渊博的人员，可以满足您的需求。
ETMOS：外延过渡金属二硫属化物到宽带隙六方半导体上，用于先进
ETMOS 项目旨在通过分子束外延 (MBE) 和脉冲激光沉积 (PLD) 开发电子级过渡金属二硫属化物 (TMD) 的大面积生长。根据最近关于在六方晶体衬底上生长的 MoS2 外延质量的报告和初步结果，我们将推动这些材料在宽带隙 (WBG) 六方半导体 (SiC、GaN、AlN、AlGaN 合金) 和绝缘蓝宝石上的外延层生长。五个合作伙伴在薄膜生长 (CNRS、SAS)、高级特性和模拟 (CNR、HAS、U-Pa)、加工和电子设备原型 (CNR) 方面拥有互补的技能。将在不同衬底 (Si、蓝宝石、SiC、块状 GaN) 上生长 WBG 半导体模板/薄膜，以完全控制起始材料的特性并制备外延就绪表面，从而实现高质量和均匀的 TMD MBE 和 PLD 生长。沉积范围将从单层 (1L) 到几层 (最多 5) MoS2 和 WSe2，并在直径最大为 100 毫米的晶片上控制亚单层厚度。将开发 MBE 或 PLD 期间的 TMD 替代掺杂，重点是 MoS2 的 p+ 掺杂，这对设备应用具有战略意义。除了生长设施外，ETMOS 联盟还拥有整套形态、结构、化学、光学和电扫描探针表征，有助于在每个生长步骤中实现高质量。将通过专门设计的测试设备研究 TMD 的电性能 (掺杂、迁移率、电阻率等) 以及跨 TMD/WBG 异质结的电流传输。实验将通过生长模拟和 WBG 上 TMD 电子能带结构的从头计算来补充。将制定多尺度表征协议，以将我们的外延 TMD 与使用相同或互补沉积方法的其他小组的结果进行对比。最后，将制造利用 TMDs/WBG 异质结特性的器件原型，包括：(i) 基于 p+-MoS2 与 n-GaN 或 n-SiC 原子突变异质结的带间隧穿二极管和晶体管；(ii) MoS2/GaN 和 MoS2/SiC UV 光电二极管；(iii) 具有 Al(Ga)N/GaN 发射极和 1L TMD 基极的热电子晶体管。开发的材料/工艺的目标是在项目结束时达到 TRL=5。由于 ETMOS 合作伙伴与 SiC 和 GaN 领域的领先工业企业（STMicroelectronics、TopGaN、Lumilog）保持着持续合作，因此来自行业的代表将成为 ETMOS 顾问委员会的成员，为工艺与生产环境的兼容性提供指导。我们的 TMDs 生长活动与常用的 CVD 方法高度互补。我们预计与石墨烯旗舰项目第 1 和第 3 部门的团队将产生强大的协同作用，从而促进欧洲在 TMD 和设备应用大面积增长方面的能力。
Dhica黑色素中局部结构，电偶极子和电荷载体动力学之间的关系：生物相容性半导体的模型
摘要：eumelanins是通过其自然前体的氧化聚合获得的天然和合成色素的家族：5,6-二羟基吲哚和其2-羧基衍生物（DHICA）。同时存在离子和电子电荷载体，使这些颜料有望在生物电子中应用。在这项计算研究中，考虑到其许多自由度之间的相互作用，我们构建了Dhica黑色素的结构模型，然后我们检查了代表性低聚物的电子结构。我们发现，沿聚合物链的非呈偶极子将该系统与常规聚合物半导体区分开来，确定其电子结构，对氧化和电荷载体的定位。我们的作品阐明了Dhica黑色素以前未被注意到的特征，不仅与它的根本清除和光保护特性相吻合，而且还开辟了对这类材料中理解和调谐电荷传输的开放新观点。
半导体基础：物理和材料...
对于 1 m 厚的 Si 沟道，本征载流子密度 ni = 1.45 × 10 10 /cm 3 ，背景载流子面积密度为 ni × 10 4 cm = 1.45 × 10 6 /cm 2 。（×2，同时考虑电子和空穴）
Kubos Semiconductors Ltd 开发副总裁
Kubos Semiconductors Ltd 开发副总裁 – 职位说明 Kubos Semiconductors 正在开发和商业化其立方氮化镓 (GaN) 专利技术，该技术有可能显著提高 LED 的效率，特别是在可见光谱的绿色和琥珀色区域。Kubos 的技术可以在需要 RGB LED 的任何地方提供根本优势，从而实现暖白光或可调 RGB 照明、显示器和高强度灯的全部潜在效率。微型 LED 中的应用可能会对打入主流市场产生变革性影响。Kubos 拥有自己的小团队，但没有晶圆厂，所有开发都在第三方设施（包括学术机构和商业制造设施）进行。我们的技术最初是在剑桥大学开发的，一些关键开发仍在根据合同继续进行。Kubos 的商业计划不是在激烈的 LED 市场上竞争，而是将技术授权给现有的大型 LED 制造商。 Kubos 的立方 GaN LED 堆栈可以直接替代传统基板，为希望利用该技术的产品开发人员降低了进入门槛。开发副总裁总结
教学大纲：ECE 5530微电子的半导体基本面
有关晚作业的政策：作业应在显示日期开始的上课开始。未经事先安排，将不接受较晚的工作。较晚的工作（安排）将每天停靠10％。共同努力：鼓励学生一起完成家庭作业，但每个学生都应交出他或她的个人解决方案。考试：考试是封闭的书。您将被允许使用一个备忘单，8.5英寸x 11英寸，只有手写音符仅在一侧。允许科学/图形计算器。不允许使用支持Internet的设备。不允许检查合作。我必须向学术不当行为委员会（COAM）报告任何学术不当行为。错过的考试：除非提前安排，否则任何错过的考试都将导致零等级。适当的情况包括疾病，直系亲属的死亡以及可比重力的情况。在这种情况下，并且仅在提前进行安排时，才能安排化妆考试。中期日期将提前宣布，因此请计划您的面试以及周围的工作。办公时间：星期二：11:30 am-12：30pm;星期三：11:30 am-12：30pm Cl 377到达我：您可以在办公时间与我联系，或者如果您不能在办公室工作时间，请通过电子邮件预约。期末考试：
美国国家半导体公司及其位于格里诺克的首个晶圆制造区
连接世界的硅集成电路制造半导体芯片在概念上很简单。硅是基本的半导体，你必须在不同区域改变它地电气特性才能制造二极管、电阻器和晶体管。通过定义想要改变的地方，然后只改变这个区域，然后定义想要改变的另一个区域并进行改变，依此类推。这可以重复十到二十次。定义过程称为“掩蔽”，硅改变过程称为“扩散”。所有这些都是在晶圆制造区完成的，1971 年的晶圆是一个圆形、薄的 3 英寸硅盘。在晶圆制造区，你会穿着特殊的衣服来保护晶圆不被你伤害，而不是你被晶圆伤害。必须将污染水平保持在非常低的水平才能使电路正常工作。