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FM24C1024A 双线串行 EEPROM
本文件中的信息仅供参考，以协助我们的客户选择最适合其应用的上海复旦微电子集团股份有限公司产品，上海复旦微电子集团股份有限公司不保证该信息的真实性和完整性。信息不转让任何属于上海复旦微电子集团股份有限公司或第三方的知识产权或任何其他权利的许可。在使用本文件所含信息时，请务必在就信息和产品的适用性作出最终决定之前，对所有信息作为一个整体系统进行评估。购买者对选择、选定和使用本文所述的上海复旦微电子集团股份有限公司产品和服务负全部责任，上海复旦微电子集团股份有限公司对选择、选定或使用本文所述的上海复旦微电子集团股份有限公司产品和服务不承担任何责任。除非经上海复旦微电子集团股份有限公司授权代表书面明确批准，否则上海复旦微电子集团股份有限公司产品不推荐、授权或保证用于军事、航空、航天、救生或生命维持应用，也不用于故障或失灵可能导致人身伤害、死亡或严重财产或环境损害的产品或系统。未来将在适当的时候进行例行修订，恕不另行通知。请联系上海复旦微电子集团股份有限公司销售办事处获取最新规格，然后再下订单。还请留意上海复旦微电子集团股份有限公司通过各种方式发布的信息，包括上海复旦微电子集团股份有限公司主页 (HTTP://WWW.FMSH.COM/)。请联系上海复旦微电子集团股份有限公司当地销售办事处获取有关本文档中的信息或上海复旦微电子集团股份有限公司产品的规格。
四路串行持久性 SRAM 存储器
SRAM 闪存 EEPROM MRAM 非易失性 − √ √ √ 写入性能 √ − − √ 读取性能 √ − − √ 耐久性 √ − − √ 功率 − − − √ MRAM 是一种真正的随机存取存储器；允许在内存中随机进行读取和写入。MRAM 非常适合必须存储和检索数据而不会产生较大延迟损失的应用程序。它提供低延迟、低功耗、无限耐久性和可扩展的非易失性存储器技术。 ASxxxx208 具有串行外设接口 (SPI)。SPI 是一种同步接口，它使用单独的数据和时钟线路来帮助保持主机和从机的完美同步。时钟告诉接收器何时对数据线上的位进行采样。这可以是时钟信号的上升沿（从低到高）或下降沿（从高到低）或两个沿；有关更多详细信息，请参阅本数据表中的指令序列。当接收器检测到正确的边沿时，它可以锁存数据。 ASxxxx208 用双 CS# 连接两个四通道 SPI 设备，提供 8 位 I/O 数据路径。每个设备都可以使用自己的寄存器组进行配置和独立操作，由单独的 CS# 进行管理。ASxxxx208 采用 96 球 FBGA 封装。该封装具有单独的球，用于 CS1#、CLK1# 和 INT1（双四通道 SPI 设备 1）以及 CS2#、CLK2# 和 INT2（双四通道 SPI 设备 2）。该封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。
FM25320 32K 位 SPI 串行 EEPROM
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FM25Q16A 16M 位串行闪存
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FM25Q128A 128M 位串行闪存
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FM25256 256K 位 SPI 串行 EEPROM
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FM25W04 4M位串行闪存
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串行闪存编程用户指南
串行闪存设备是一种非易失性存储器，可以电擦除和重新编程。它用于在 DVD 播放器、DSL 调制解调器、路由器、硬盘驱动器和打印机等设备中存储可执行代码。通电后，可执行代码会从串行闪存下载到 RAM，然后由处理器执行。串行闪存中的代码不会因下载过程而更改，并且受到写保护。
航天级高性能串行持久性 SRAM 存储器
SRAM 闪存 EEPROM MRAM 非易失性 − √ √ √ 写入性能 √ − − √ 读取性能 √ − − √ 耐久性 √ − − √ 功率 − − − √ MRAM 是一种真正的随机存取存储器；允许在内存中随机进行读取和写入。MRAM 非常适合必须存储和检索数据而不会产生较大延迟损失的应用程序。它提供低延迟、低功耗、无限耐久性和可扩展的非易失性存储器技术。ASx016A04 具有串行外设接口 (SPI)。SPI 是一种同步接口，它使用单独的数据和时钟线路来帮助保持主机和从机的完美同步。时钟告诉接收器何时对数据线上的位进行采样。这可以是时钟信号的上升沿（从低到高）或下降沿（从高到低）或两个沿；有关更多详细信息，请参阅本数据表中的指令序列。当接收器检测到正确的边沿时，它可以锁存数据。 ASx016A04 采用小尺寸 8 焊盘 WSON 和 8 引脚 SOIC 封装。这些封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。ASx016A04 已在 -40°C 至 125°C 的工作温度范围内进行了测试，并在 125°C 下进行了 48 小时老化测试。
EN25E40A (2A) 4 兆位串行闪存，带有...
活动功率、待机功率和深度掉电模式当芯片选择 (CS#) 为低时，设备启用并处于活动功率模式。当芯片选择 (CS#) 为高时，设备禁用，但可以保持活动功率模式，直到所有内部周期（编程、擦除和写入状态寄存器）完成。然后设备进入待机功率模式。设备功耗降至 I CC1 。执行特定指令（进入深度掉电模式 (DP) 指令）时进入深度掉电模式。设备功耗进一步降至 I CC2 。设备保持此模式，直到执行另一条特定指令（从深度掉电模式释放、读取设备 ID (RDI) 和软件复位指令）。当设备处于深度掉电模式时，所有其他指令都将被忽略。当设备未处于活动使用状态时，这可以用作额外的软件保护机制，以保护设备免受意外写入、编程或擦除指令的影响。