XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemSilico
III-V 族半导体与硅外延杂化过程中的晶相控制
III-V 半导体与硅外延杂化过程中的晶体相控制 Marta Rio Calvo、Jean-Baptiste Rodriguez *、Charles Cornet、Laurent Cerutti、Michel Ramonda、Achim Trampert、Gilles Patriarche 和 Éric Tournié * Dr. M. Rio Calvo、Dr. J.-B.罗德里格斯、 L. Cerutti 博士、 Pr. É. Tournié IES，蒙彼利埃大学，法国国家科学研究院，F- 34000 蒙彼利埃，法国 电子邮箱：jean-baptiste.rodriguez@umontpellier.fr , eric.tournie@umontpellier.fr Pr. C. Cornet 雷恩大学，雷恩国立应用科学学院，法国国家科学研究院，FOTON 研究所 – UMR 6082，F-35000 雷恩，法国 Dr. M. Ramonda CTM，蒙彼利埃大学，F- 34000 蒙彼利埃，法国 Dr. A. Trampert Paul-Drude-Institut für Festocorporelektronik，Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin eV，Hausvogteiplatz 5-7，10117，柏林，德国 Dr. G. Patriarche 巴黎-萨克雷大学，法国国家科学研究院，纳米科学与技术中心纳米技术，91120，帕莱索，法国 关键词：外延生长，反相域，单片集成，III-V 半导体，硅衬底
使用超快激光器的晶体硅的无形化和消融：对脉冲持续时间和辐照波长的依赖性
使用激光器以高空间精度实现硅中受控的晶体相变，承诺在包括硅光子学在内的半导体技术中新的制造溶液。最近的改善非晶厚度位置超快激光器作为应对当前挑战的最佳工具。在这里，审查了有关硅转化的文献，并与新的实验数据相辅相成。这包括非晶态和消融响应，这是脉冲持续时间的函数（𝝉 = 13.9至134 fs 𝝀 = 800 nm）和激光波长（𝝀 = 258至4000 nm，𝝉 = 200 fs脉冲）。对于脉冲持续时间依赖性的SI研究（111），非晶化的阈值随持续时间较短而降低，强调了在考虑条件范围内非线性吸收的显着性。对于波长依赖性研究，非晶化阈值从𝝀 = 258急剧增加到1030 nm，其次是接近恒定的行为至𝝀 = 3000 nm。相反，在这些指定的范围内的消融阈值增加。还讨论了在Si（111）和Si（100）上获得的非晶化厚度的差异，并识别出异常大的宽度范围，以在𝝀 = 258 nm处进行非晶化。最后，解决了与相互作用非线性无关的横向分辨率的问题。
硅双核中的非互易 Pauli 自旋阻断量子点
由于具有大规模量子计算的潜力，门控硅量子点中的自旋量子比特正受到越来越多的关注。这种自旋量子比特的读出最准确且可扩展的方式是通过泡利自旋阻塞 (PSB) 完成的，然而，各种机制可能会提升 PSB 并使读出复杂化。在这项工作中，我们介绍了硅纳米线中多电子低对称双量子点 (DQD) 中 PSB 的实验研究。我们报告了对非对称 PSB 的观察结果，当自旋投射到对中的一个 QD 时表现为阻塞隧穿，但当投射到另一个 QD 时表现为允许隧穿。通过分析 DQD 与读出谐振器的相互作用，我们发现 PSB 提升是由 7.90 μ eV 的不同电子自旋流形之间的大耦合引起的，并且隧穿是不相干的。此外，16 个电荷配置中的 DQD 磁谱能够重建 DQD 的能谱，并揭示提升机制是能级选择性的。我们的结果表明增强的自旋轨道耦合可能使硅纳米线中电子自旋的全电量子位控制成为可能。
在巴基斯坦的CYP1B1基因突变的计算机分析中
引言青光眼是指各种眼睛条件，其标志着眼睛上的压力增加（称为眼压）（IOP）和对视神经的损害。这种情况会导致视力逐渐降低，如果未经处理，则可能最终导致完全失明[1,2]。青光眼是各种各样的神经退行性疾病，其特征在于视觉神经炎的异常形式，逐渐导致视网膜神经纤维层的恶化和最终死亡。这种状况最终导致大量视力障碍[3]。眼室的机械转移过程的故障会导致结构改变，水性幽默排水不良，以及青光眼中的小梁造成分解。视网膜刺激和Muller细胞，小胶质细胞以及星形胶质细胞的激活是由这种功能障碍引起的。这些变化最终可能导致渐进的视力丧失[4]。被称为原发性先天性青光眼（PCG）的疾病是严重的视觉障碍，这是由于前室角和视神经头的发展引起的。通常，它出现在怀孕的第九个月。没有PCG的已知病因，它与任何其他发育障碍无关。光敏感性，眼内压力增加，前巩膜的减弱和延伸，哭泣过多，眼睑的炎症，视神经萎缩，角膜雾霾以及地球肿大是症状。并发症可能包括辨别膜恶化和结膜红斑。PCG可以偶发地发生或在家庭中运行，建议遗传咨询以识别有缺陷基因的载体并防止进一步的视觉障碍[5,6]。
从洁净室到脏水：硅谷的劳工、半导体公司以及污染和工作场所危害之争
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
Vishay Siliconix 宣布商业功率 MOSFET（Si2318CDS、Si3424CDV）晶圆制造基地转移
Vishay Siliconix Vishay Electronic GmbH Vishay Intertechnology Asia Pte. Ltd 2585 Junction Avenue, Dr.-Felix-Zandman-Platz 1, 37A Tampines Street 92, #07-01, - - - 美国加利福尼亚州圣何塞 95134 德国塞尔布 D-95100 新加坡，新加坡 528886 电话：+1-408-988-8000 电话：+49-9287-71-0 电话：+65-6788-6668 传真：+1-408-567-8942 传真：+49-9287-70435 传真：+65-6788-0988 - - -
结构降解导致硅胶密封剂故障
图1。PDMS-“随机分裂”机制的热降解a）分子内重新分布和b）分子间重新分布.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................（a）新鲜制备的商用硅胶密封剂样品（b）提取的硅氧烷降解产物的离子电流热量计学的EGA-MS总离子电流热图。................................... 23 Figure 3.EGA-MS热合器用于控制和老化商用硅胶密封剂样品。 (a) Level 3 aging samples, (b) Level 2 aging samples, (c) Level 1 aging samples & (d) Control sample .................... 25 Figure 4. 比较加热速率不同的对照密封剂的TD-PYR-GC-MS曲线用于对照密封剂（从90°C到790°C）获得的对照密封剂（五个步骤）。 比较了两个加热速率：（a）600°C/min和（b）20°C/min。 ............................................................................................ 27 Figure 5. 对于两个新鲜制备的样品，获得了 GC-MS色谱图，并使用优化方法进行了比较。 ........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 28图6。 Siloxane Degradation Product Identification ............................................................................... 29 Figure 7. EGA-MS热合图和GC-MS色谱图，用于L3的代表性样品。 ............................................................................................................................................................. EGA-MS热合图和GC-MS色谱图，用于L2的代表性样品。 .... 33图11。EGA-MS热合器用于控制和老化商用硅胶密封剂样品。(a) Level 3 aging samples, (b) Level 2 aging samples, (c) Level 1 aging samples & (d) Control sample .................... 25 Figure 4.比较加热速率不同的对照密封剂的TD-PYR-GC-MS曲线用于对照密封剂（从90°C到790°C）获得的对照密封剂（五个步骤）。比较了两个加热速率：（a）600°C/min和（b）20°C/min。............................................................................................ 27 Figure 5.GC-MS色谱图，并使用优化方法进行了比较。........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 28图6。Siloxane Degradation Product Identification ............................................................................... 29 Figure 7.EGA-MS热合图和GC-MS色谱图，用于L3的代表性样品。 ............................................................................................................................................................. EGA-MS热合图和GC-MS色谱图，用于L2的代表性样品。 .... 33图11。EGA-MS热合图和GC-MS色谱图，用于L3的代表性样品。.............................................................................................................................................................EGA-MS热合图和GC-MS色谱图，用于L2的代表性样品。.... 33图11。.............................................................................................................EGA-MS热合图和GC-MS色谱图，用于L1的代表性样品。 ........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................ EGA-MS和L0代表性样品的相应GC-MS色谱图。 不同降解水平L3，L2，L1 vs Control L0的代表性样品的定量数据。 在EGA-MS热合图和GC-MS色谱图，用于L1的代表性样品。........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................EGA-MS和L0代表性样品的相应GC-MS色谱图。不同降解水平L3，L2，L1 vs Control L0的代表性样品的定量数据。在
用于增强折射率传感的氮化硅脊波导模式特性研究
摘要：本文结合数值分析和实验验证，研究了基于氮化硅 (Si3N4) 平台的脊形波导的波长相关灵敏度。在第一部分中，详细分析了 Si3N4 脊形波导的模式特性，重点分析了有效折射率 (neff)、衰减场比 (EFR) 和传播损耗 (αprop)。这些参数对于理解引导光与周围介质的相互作用以及优化用于传感应用的波导设计至关重要。在第二部分中，通过实验证明了基于 Si3N4 波导的赛道环谐振器 (RTRR) 的波长相关灵敏度。结果表明，随着波长从 1520 nm 移至 1600 nm，RTRR 的灵敏度明显提高，从 116.3 nm/RIU 上升到 143.3 nm/RIU。这一趋势为设备在较长波长下的增强性能提供了宝贵的见解，强调了其在需要在该光谱范围内高灵敏度的应用方面的潜力。
硅光伏，一种低成本的月球发电技术
受低地球轨道星座和高空平台站 (HAPS) 的推动，太空光伏电力需求正在大幅增长，从数量和成本要求方面彻底改变了游戏规则。将地面光伏技术应用于太空似乎是解决这些工业和经济挑战的潜在解决方案。在架构方面，地面 PVA 使用单个前板覆盖嵌入粘合膜的几串电池，并通过层压一步组装而成。这种方法在工业上已经成熟，可抑制静电放电 (三相点) 的风险，并与多种材料和太阳能电池技术兼容：合格的 III-V [2]、商用现货 (COTS) 硅和新兴的钙钛矿。此外，这种方法为提高比功率 (W/m 2 ) 提供了空间，如地面光伏所示，据报道，电池与模块的效率比超过 90%。在材料方面，只要能找到性能妥协，就非常有望引入 COTS 组件。从这个意义上讲，辐射和热循环是选择过程中的关键老化测试。本文介绍了电子 COTS Si 电池辐射（1MeV）和层压 Si PVA 试样（- 140/+140 °C）热循环的实验结果。将利用电池互连行为的热机械模拟见解分析 Si PVA 热循环的实验结果。精心设计和选择 COTS Si PVA 组件可使 LEO 的 EOL AM0 效率达到 10-14% 的范围，迄今为止在约 2000 次循环中表现出稳定的性能；我们将讨论改进途径。