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检测硅中的单W-中心
控制硅中各个荧光缺陷的量子特性是对高级量子光子设备容易伸缩的关键挑战。迄今为止，研究的重点是基于硅晶格中纳入的杂质的外部缺陷。在这里，我们证明了硅中单个固有缺陷的检测，该缺陷与称为W-Center的三个互化络合物相关，在1.218 µm处的零孔子线。研究其单光子发射特性揭示了有关该常见辐射损伤中心的新信息，例如其偶极取向及其光物理学。我们还确定了其显微镜结构，并表明，尽管此缺陷不具有带隙中的电子状态，但库仑相互作用导致硅带隙下方的激子辐射重组。这些结果可能会基于硅的固有发光缺陷（例如综合量子光子学和量子通信）的固有发光缺陷为多种量子观点树立阶段。
使用IniLicoseq
动机：元基因组数据集的计算机模拟中的准确性对于基准生物信息学工具以及实验设计至关重要。用户不仅取决于大规模的模拟，不仅是设计实验和新项目，而且还取决于项目中计算需求的准确估计。不幸的是，当前大多数读取模拟器都不适用于过时的宏基因组学，或者记录了相对较差。在本文中，我们描述了Inilicoseq，这是一个软件包，用于模拟宏基因组光明测序数据。Inilicoseq具有简单的命令行接口和广泛的文档。结果：iNilicoseq在Python中实现，能够以具有明智的默认参数的并行方式模拟现实的Illumina（Meta）基因组数据。可用性和实施：源代码和文档可在https://github.com/hadrieng/insilicoseq和https://insilicoseq.readthedocs.io/上获得。联系人：hadrien.gourle@slu.se补充信息：补充数据可从BioInformatics在线获得。
通过原地SI@C-raphene复合合成li-ion电池应用来改善基于硅的复合电极
摘要：由于循环时的形态进化和SEI修饰，使用Si作为锂离子电池的阳极材料仍然具有挑战性。目前的工作旨在开发一个由碳涂层的Si纳米颗粒（SI@C NPS）组成的复合材料，该复合物紧密嵌入了三维（3D）石墨烯水凝胶（GHG）结构中，以稳定LIB电极内的SI。而不是简单地混合两个组件，而是合成过程的新颖性在于原位热液过程，该过程显示出成功产生氧化石墨烯还原，3D石墨烯组装的产生以及SI@C NPS在GHG Matrix中的均匀分布。在不包含其他导电添加剂的电极上的半细胞中的电化学特性揭示了保护性C壳对于达到高特定能力的重要性（最高2200 mAh.g-1），以及良好的稳定性（200个循环，平均CEFF> 99％）。这些性能远高于用非C涂层Si NP制成的电极或通过混合两个组件制备的电极。这些观察结果突出了C壳对SI NP的协同作用，以及单步的原位制备，使SI@C-GHG混合复合材料具有具有物理化学，结构和形态学特性的SI@C-GHG混合材料的产量，从而促进了样品电导率和Li-ion扩散途径。
碳化硅和其他宽带隙材料
《材料》（ISSN 1996-1944）于 2008 年创刊。该期刊涵盖 25 个综合主题：生物材料、能源材料、先进复合材料、先进材料特性、多孔材料、制造工艺和系统、先进纳米材料和纳米技术、智能材料、薄膜和界面、催化材料、碳材料、材料化学、材料物理、光学和光子学、腐蚀、建筑和建筑材料、材料模拟和设计、电子材料、先进和功能性陶瓷和玻璃、金属和合金、软物质、聚合物材料、量子材料、材料力学、绿色材料、通用材料。《材料》为投稿高质量文章和利用其庞大的读者群提供了独特的机会。
金硅结构非线性白光发光编码，用于物理不可克隆的安全标签
发光安全标签是保护消费品免遭假冒的有效平台。尽管如此，由于标签元件的窄带光致发光特性，这种安全技术的寿命有限。在本文中，我们提出了一个新概念，用于应用通过直接飞秒激光写入制造的混合金属半导体结构中实现的非线性白光发光来创建物理上不可克隆的安全标签。我们证明了在制造阶段控制的制造混合结构的内部组成与其非线性光信号之间的密切联系。我们表明，应用基于离散余弦变换的去相关程序以及标签编码的极性码可以克服白光光致发光光谱相关性的问题。应用的制造方法和编码策略用于创建物理上不可克隆的标签，具有高度的设备唯一性（高达 99%）和位均匀性（接近 0.5）。证明的结果消除了利用白光发光纳米物体创建物理不可克隆标签的障碍。
脉冲 HBr/O–2 等离子体中的硅蚀刻。II. 图案转移
由 HBr/O 2 组成的等离子体通常用于硅蚀刻工艺，如栅极蚀刻工艺或浅沟槽隔离蚀刻，由于人们对此类化学反应中的硅蚀刻相当了解，因此它成为研究等离子体脉冲对气相和等离子体-表面相互作用的影响的最佳选择。目标是了解连续等离子体和脉冲等离子体之间的根本区别，以及等离子体产生的变化如何影响最终的图案转移。在论文 I 中，我们展示了等离子体脉冲对离子通量和离子能量的强大影响。1 结果显示，占空比 (dc) 而不是脉冲频率对这些参数有显著影响。在本文中，我们重点研究等离子体脉冲对 HBr/O 2 等离子体中的蚀刻机制和图案转移的影响。先前的实验已经证明脉冲等离子体中等离子体引起的损伤有所减少，2 – 4 通常通过使用扫描电子显微镜 (SEM) 成像、椭圆偏振测量和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对侧壁钝化层 (SPL) 进行形貌分析。许多作者已经研究了 HBr/O 2 等离子体对硅和 SiO 2 的蚀刻机理。5 – 13 下面总结了 Si 和 SiO 2 蚀刻的基本机理，其中考虑了原料气中极小比例的氧气。含溴、氢和（较少量）氧的离子撞击硅表面、分解、破坏键并形成富含卤素的非晶层，也称为反应蚀刻层 (REL)，其中含有 H、Br 和一些 O 原子。非晶层的厚度和成分会根据离子能量、压力和原料气流量而变化。由于氢原子比其他粒子小得多，它们可以更深地渗透到硅层中，然后硅原子可以因碰撞而解吸，或可以融入挥发性物质，如 SiBr 4。含氢分子如 SiH 2 Br 2 的挥发性更强，13 但硅蚀刻并不
朝着高性能完全垂直的硅硅销二极管
在过去的二十年中，Gan Hemts（高电子迁移率晶体管）已证明其超过硅电源器件限制的高潜力。然而，基于GAN的侧向下摆遭受了几个突出的问题，例如电子捕获和相关的设备可靠性，这是由于闸门边缘处的尖峰电场以及没有雪崩效应。此外，较高的击穿电压需要增加门才能排出距离，从而导致不需要的大设备尺寸。这就是为什么垂直GAN Power设备越来越引起人们的兴趣和社区的强烈努力的原因。的确，高击穿电压，雪崩能力，具有高电流扩展的电场管理和小型设备足迹是垂直电源设备的一些主要优势。如果在硅底物上生长，则可以大大降低整体成本。在这项工作中，我们演示了具有高性能和线性击穿电压缩放的准垂直gan-on-si销钉二极管，并具有漂移层的厚度。完全垂直销钉二极管也被制造出了相似的崩溃场，甚至可能降低了反抗性的罗恩。
Silico Inc.的Veritas
在本文档中对未来的业务活动和绩效的陈述是前瞻性的陈述。前瞻性陈述包括但不限于“目标”，“预期”，“假设”，“信任”，“继续”，“尝试”，“尝试”，“估算”，“预期”，“预期”，“措施”，“预期”，“”，“项目”，“项目”，“”，“ 5月，”，“ PLAN”，“ PLAN”，“ PLANS”，“潜在”，“可能性，” Project，“ Project”，“““风险”，“”，“应该”，“”，“”，“”，“”，“” “目标”或其他类似的表达方式，以描述未来的业务活动，绩效，事件或情况前瞻性陈述是基于管理层的假设和信念，鉴于准备这些材料时可用的信息，并涉及许多风险和不确定性。因此，这些前瞻性陈述受到各种风险和不确定性的影响，这些风险可能会导致实际的未来业务运营，结果与此类前瞻性陈述所表达或暗示的陈述具有重大差异。因此，您警告不要对前瞻性陈述不过时。
特刊——碳化硅材料：晶体生长，...
碳化硅和类似材料的晶体生长和综合表征方面最近取得的进展为功能应用开发提供了巨大的可能性。这期材料特刊题为“碳化硅材料：晶体生长、器件加工和功能应用”，专门讨论与碳化硅和相关材料的晶体生长、材料特性、器件制造和应用有关的所有方面，主要目的是广泛概述该领域的现状和未来前景。欢迎在该领域工作的研究人员参与讨论。潜在的兴趣主题包括但不限于以下内容： - 晶体生长； - 宽带隙半导体； - 材料特性； - 器件制造； - SiC、GaN、Ga2O3、金刚石。
在内分泌干扰物属性的计算机预测中
内分泌干扰化学物质（EDC）是我们环境中存在的一类广泛的分子，怀疑通过干扰内源配体的合成，转运，降解或作用而怀疑会在内分泌系统中引起不良反应。表征环境化合物及其潜在的细胞靶标之间的有害涉及分性以及体内鲁棒的稳定性，体外和计算机筛选方法对于评估大量化学物质的毒性潜力很重要。在这种情况下，正在开发允许内分泌干扰物和环境风险评估活动预测的计算机辅助技术。这些技术必须能够应对各种数据，并将原子水平的化学与细胞，器官和生物体的生物活性联系起来。定量结构 - 活动关系方法因毒性问题而流行。他们通过许多分子描述子将化合物的化学结构与生物活性相关联（例如，分子量和参数，以说明疏水性，拓扑或电子特性）。化学结构分析是第一步；但是，对分子间相互作用和细胞行为进行建模也将是必不可少的。EDCS目标的三维晶体结构数量的增加提供了大量的结构信息，可用于使用对接和评分程序来预测其与EDC的相互作用。（内分泌学160：2709 - 2716，2019）在本综述中，我们描述了使用配体和靶向属性来预测内分泌干扰物活动的各种计算机辅助方法。