摘要。对乙醇的需求始终需要与乙醇生产相关的发展,尤其是通过发酵过程产生的乙醇,既在原材料和过程方面都开发。乙醇发酵过程继续存在问题,其中一个是洗净或将微生物携带到产品流中,这导致微生物的数量继续减少发酵罐。解决清洗问题的一种方法是首先将微生物束缚在锚固培养基(固定的细胞)上,然后选择合适的发酵罐类型。本研究的目的是确定葡萄糖浓度的影响,最佳条件对乙醇发酵过程的影响继续持续使用固定的细胞固定床发酵剂,以使产生的乙醇浓度和产量乙醇的价值以及仍然携带到产品流中的微生物的百分比。根据研究的结果,在停留时间为2天,乙醇浓度为1.20%v/v获得了最佳条件,发酵乙醇的产量为37.75%w/w,在150g/l的葡萄糖饲料浓度下释放的细胞数量为0.45%。发酵是在固定细胞的条件下使用酿酒酵母类型的微生物进行的。在这项研究中,被认为固定的变量是147m列高度的膨胀高度,温度为25-30 0 C和1 2
技术,3,4和神经形态离子化。5 - 7在这些应用中,石墨烯通常在透明的底物上支持,例如钙uoride(CAF 2)和二氧化硅(SIO 2)。8 - 10个在电位控制条件下底物支撑的晶状电极/水电电解质界面的分子细节至关重要,并且是理解这些系统机制的必不可少的先决条件,特别是在电极跨电极和电气双层(EDL)的机械机制(尤其是局部电气)。局部电气eLD显着影响界面的物理化学特性。例如,局部电动ELD可以修改电极 - 电解质相互作用,以改变反应动力学和电子传输11 - 17,并与电极/水溶液界面处的电荷存储密切相关。18,19因此,在石墨烯电极/水性电解质界面处的局部电子的知识对于其在电化学系统中的合理应用至关重要。越来越多的研究表明,石墨烯片不能将底物的表面电荷免受水解的水解状态,称为“润湿透明度”。20 - 22因此,底物的表面电荷极大地有助于局部电动ELD,并强烈影响EDL中的水和电解质离子的组织。10,20,23我们最近表明,由石墨烯电极上施加的电势引起的水解离会改变CAF 2支持的石墨烯电极附近的局部pH。自然排除了来自批量的信号。10通过单层石墨烯电极24 - 27在CAF 2表面诱导化学反应,从而改变了CAF 2底物的表面电荷。10,20,23这里出现的一个问题是这种化学反应引起的表面电荷变化是否是底物支持的石墨烯电极的普遍观察。在这里,我们使用界面水信号(C(C(2)),使用异差探测的总频率产生(HD-SFG)光谱探测SIO 2支持的透明烯电极/水晶电解质界面的充电。HD-SFG光谱是一种表面特定的技术,可选择性地探测界面上分子的分子振动。28,29重要的是,界面水的复合物C(2)信号不仅提供了界面结构和界面水的方向的见解,30,31,还提供了界面处的电荷。32,33,我们能够在电位控制的条件下直接探测界面的充电。除了HD-SFG测量值外,我们还使用拉曼光谱法独立地表征了石墨烯电极的电荷。将拉曼与HD-SFG结合在一起,使我们能够完全绘制SIO 2支持的石墨烯电极/水性电解质界面的电荷,并区分与石墨烯电极及其支持的底物对局部电气电气的支撑底物的不同贡献。此外,通过比较在SIO 2和CAF 2-支持的石墨烯电极表面上收集的数据,我们揭示了不同的底物对石墨烯和底物充电时的影响。Our approach allows us to obtain molecular details of the graphene electrode/aqueous electrolyte interface, including the reorganiza- tion of interfacial water molecules and charges of the interface, which are relevant for various technological applications of graphene such as water desalination, chemosensing, biosensing, energy storage and conversion, and neuromorphic iontronics.
摘要:使用直接激光写入(激光诱导的石墨烯; LIG)合成的石墨烯材料,由于其较大的表面积,易于制造和成本效益而制成了有利的传感器材料。尤其是用金属纳米颗粒(NP)装饰的LIG已在各种传感器中使用,包括化学传感器以及电子和电化学生物传感器。但是,金属装饰对LIG传感器的影响仍然存在争议。基于计算模拟的假设并不总是与实验结果相匹配,甚至不同研究人员报告的实验结果也不一致。在本研究中,我们探索了金属装饰对LIG气体传感器的影响,分别为2和NH 3气体作为代表性的氧化和还原剂。为了消除金属盐残留物引起的不良副作用,金属NP通过真空蒸发直接沉积。尽管金属工作功能如何,但在金属装饰方面,传感器的气体敏感性会恶化,但在NH 3暴露的情况下,它们会改善金属装饰。对LIG传感器中金属NP的化学结构和形态进行了仔细的研究表明,具有低功函数的金属NP的自发氧化会改变LIG气体传感器的行为,并且在NO 2和NH 3中,传感器的行为遵循不同的原理。
摘要:单壁碳纳米管(SWCNT)和底物之间的界面热电导很少被表征和理解,这是由于在探测跨这样的NM范围接触的能量传输方面的重大挑战。在这里,我们报告了<6 nm厚的SWCNT束和Si底物之间的界面热电导。用于测量能量传输状态分辨的拉曼,其中拉曼频谱在连续波(CW)下变化,并测量20 ns脉冲激光加热,用于在稳定和短暂的热传导下通过界面热导电持续的稳定和短暂热传导的热响应。由于样品的激光吸收和温度升高不需要知识,因此测量可以实现极端的能力和置信度。在SWCNT束的三个位置中,测量界面热电阻为(2.98±0.22)×10 3,(3.01±0.23)×10 3,以及(1.67±0.27)×10 3 K M W - 1,对应于范围内的热电导率(3.3-3-6.0-×10)。我们的分析表明,SWCNT束和SI基板之间的接触松散,这主要归因于样品的明显不均匀性,这是通过原子力显微镜和拉曼光谱法解决的。对于假定的接触宽度约为1 nm,界面热电阻的阶将为10-6 W m-2 k-1,与报告的机械去角质石墨烯和二维(2D)材料一致。
摘要:此贡献量化了注射循环烯烃共烯板中的双折射,并讨论了其对平板机械性能的影响。它还侧重于双折射对集成波导和布拉格光栅的影响,并为此类结构提供制造准则。通过极化法和棱镜耦合器检查工件的所有三个维度的各向异性。发现双折射是在工件内分布的,而最大双折射不仅在本地变化,而且还取决于观察方向。总体而言,在注射门附近的板表面上发现了最大双折射10-4。各向异性然后以0.4 mm的深度为1.8×10-4饱和,在工件的中心呈指数级降低。因此,双折射强烈影响近地表光子结构。发现,取决于其方向和基板的局部双折射,带有可比参数制造的Bragg Gragg Gragg,在极化依赖性的光学衰减,横截面强度分布和Bragg Reflection信号方面,其表现完全不同。例如,TM模式的支持可以在总损耗和0.9 db×cm -1的光学衰减之间有所不同。因此,这项研究强调了量化注射循环烯烃共聚物工件的双重折射状态的重要性,如果应该用作综合光子结构的底物。此外,这项研究表明,可以通过将光子结构深入到热塑性塑料的体积中来省略双折射效应。
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摘要 - 在粮食生产期间,每年产生大量的有机废物,由于缺乏有效的利用解决方案和不足的处置实践,可能会对环境产生负面影响。真菌及其产生酶的显着能力可用于在较简单的糖中水解不同类型的食物废物。在最佳条件下,食物废物的真菌水解可以迅速有效。当前,此过程的能力仅在先前的研究中得到了简要证明。本综述描述了不同的实践,这些实践表明了真菌水解利用用于有效资源管理的潜力。重点是在先前的研究以及葡萄糖回收率中应用了哪些生物,废物底物和参数作为温度,pH水平。可以得出结论,可以有效地将食物垃圾用作使用顺序发酵的下游生产增值产物的底物。最佳温度得出的温度高于45°C,但最佳pH值可能会根据用过的生物体和取代而变化。在未来的研究中,应研究优化真菌菌株,创建具有增强酶的能力的突变体以及更多GRAS真菌物种的应用。要对真菌水解研究人员的新残基进行价誉测试,必须与制造商合作,从而探索更广泛的废物残留物对真菌水解的适用性。
摘要:腰果(AnaCardium occentale)加工产生具有健康益处的副产品(CB),这可能是添加到益生菌食品基质中的有利成分。这项研究旨在使用体外胃肠道条件评估具有益生菌和起始培养的发酵牛奶中CB的功能属性。测试了两种制剂,没有CB(对照制剂-CF)和CB(测试配方-TF),并且最适合CB的两种菌株,益生菌乳酸乳酸菌核酸杆菌paracasei subsp。paracaseiF19®和开胃链球菌嗜热链球菌ST-M6®被选择在CF和TF中发酵。在28天的制冷期(4℃)期间,CF和TF中使用的两种菌株均维持8.0 log cfu/ml以上的人群。在TF中培养的菌株在其保质期间的总酚类化合物和更大的抗氧化潜力显着增加,并且在体外模拟的胃肠道情况下,F19®的存活率提高了。 我们的研究揭示了CB在益生菌饮料中的有希望的潜力。 含CB的配方(TF)也表现出较高的酚含量和抗氧化活性。 此外,它在胃肠道模拟过程中充当细菌的保护因子,强调了其作为健康且可持续的产品的潜力。菌株在其保质期间的总酚类化合物和更大的抗氧化潜力显着增加,并且在体外模拟的胃肠道情况下,F19®的存活率提高了。我们的研究揭示了CB在益生菌饮料中的有希望的潜力。含CB的配方(TF)也表现出较高的酚含量和抗氧化活性。此外,它在胃肠道模拟过程中充当细菌的保护因子,强调了其作为健康且可持续的产品的潜力。
通过使用 SmartSiC™ 基板,无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板,无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板,无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板,无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板,无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板,无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证