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Gaucher病 - 底物还原疗法 - Miglustat
使用以下覆盖范围政策的说明适用于Cigna公司管理的健康福利计划。某些CIGNA公司和/或业务范围仅向客户提供利用审核服务，并且不做覆盖范围的确定。引用标准福利计划语言和覆盖范围确定不适用于这些客户。覆盖范围政策旨在为解释Cigna Companies管理的某些标准福利计划提供指导。请注意，客户的特定福利计划文件的条款[集团服务协议，覆盖范围证据，覆盖证证书，摘要计划描述（SPD）或类似计划文件]可能与这些承保范围政策所基于的标准福利计划有很大差异。例如，客户的福利计划文件可能包含与覆盖策略中涉及的主题相关的特定排除。发生冲突时，客户的福利计划文件始终取代覆盖策略中的信息。在没有控制联邦或州承保范围授权的情况下，福利最终取决于适用的福利计划文件的条款。在每个特定实例中的覆盖范围确定需要考虑1）根据服务日期生效的适用福利计划文件的条款； 2）任何适用的法律/法规； 3）任何相关的附带资料材料，包括覆盖范围政策； 4）特定情况的具体事实。应自行审查每个覆盖范围请求。医疗总监有望行使临床判断，并在做出个人覆盖范围确定方面有酌处权。覆盖范围政策与健康福利计划的管理仅有关。覆盖范围政策不是治疗的建议，绝不应用作治疗指南。在某些市场中，可以使用授权的供应商指南来支持医疗必要性和其他承保范围的确定。
酶底物从三维特征进行预测...
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RF-35A2超低损耗功率放大器基板
耐电弧性 IPC-650 2.5.1 秒 242 秒 242 弯曲强度 (MD) IPC-650 2.4.4 kpsi 24 16 N/mm 2 165 弯曲强度 (CD) IPC-650 2.4.4 kpsi 15 8 N/mm 2 103 拉伸强度 (MD) ASTM D 3039 psi 16,800 N/mm 2 116 拉伸强度 (CD) ASTM D 3039 psi 11,000 N/mm 2 75.8 杨氏模量 (MD) ASTM D 3039 psi 10 6 N/mm 2 8,343 杨氏模量 (CD) ASTM D 3039 psi 10 6 N/mm 2 7,171 泊松比 (MD) ASTM D 3039 0.14 0.14 泊松比 (CD) ASTM D 3039 0.10 0.10 断裂应变 (MD) ASTM D 3039 % 1.6 % 1.6 断裂应变 (CD) ASTM D 3039 % 1.4 % 1.4 压缩模量 (Z 轴) ASTM D 695 (23ºC) kpsi 385 N/mm 2 2,650 剥离强度 (1 盎司 VLP) IPC-650 2.4.8 (热应力) 磅/英寸 12 N/mm 2.1 剥离强度 (1 盎司 VLP) IPC-650 2.4.8.3 (150ºC ) (高温) 磅/英寸 14 N/mm 2.5 剥离强度 (1 盎司VLP）IPC-650 2.4.8秒5.2.3 (Proc. Chemicals) 磅/英寸 11 N/mm 2.0 密度 (比重) gm/cm 3 2.28 gm/cm 3 2.28 比热 ASTM E 1269 (DSC) (100ºC) J/g/K 0.99 J/g/K 0.99 热导率 ASTM F 433 W/M*K 0.29 W/M*K 0.29 T d (热分解温度) IPC-650 2.4.24.6 2% 重量损失 ºC 528 ºC 528 T d (热分解温度) IPC-650 2.4.24.6 5% 重量损失 ºC 547 ºC 547 CTE (x) IPC-650 2.4.41 (>RT - 125ºC) ppm/ºC 10 8 ppm/ºC 8 热膨胀系数 (y) IPC-650 2.4.41 (>RT - 125ºC) ppm/ºC 13 10 ppm/ºC 10 热膨胀系数 (z) IPC-650 2.4.41 (>RT - 125ºC) ppm/ºC 108 104 ppm/ºC 108
底物对电气化石墨烯/水接口充电的效果
技术，3,4和神经形态离子化。5 - 7在这些应用中，石墨烯通常在透明的底物上支持，例如钙uoride（CAF 2）和二氧化硅（SIO 2）。8 - 10个在电位控制条件下底物支撑的晶状电极/水电电解质界面的分子细节至关重要，并且是理解这些系统机制的必不可少的先决条件，特别是在电极跨电极和电气双层（EDL）的机械机制（尤其是局部电气）。局部电气eLD显着影响界面的物理化学特性。例如，局部电动ELD可以修改电极 - 电解质相互作用，以改变反应动力学和电子传输11 - 17，并与电极/水溶液界面处的电荷存储密切相关。18,19因此，在石墨烯电极/水性电解质界面处的局部电子的知识对于其在电化学系统中的合理应用至关重要。越来越多的研究表明，石墨烯片不能将底物的表面电荷免受水解的水解状态，称为“润湿透明度”。20 - 22因此，底物的表面电荷极大地有助于局部电动ELD，并强烈影响EDL中的水和电解质离子的组织。10,20,23我们最近表明，由石墨烯电极上施加的电势引起的水解离会改变CAF 2支持的石墨烯电极附近的局部pH。自然排除了来自批量的信号。10通过单层石墨烯电极24 - 27在CAF 2表面诱导化学反应，从而改变了CAF 2底物的表面电荷。10,20,23这里出现的一个问题是这种化学反应引起的表面电荷变化是否是底物支持的石墨烯电极的普遍观察。在这里，我们使用界面水信号（C（C（2）），使用异差探测的总频率产生（HD-SFG）光谱探测SIO 2支持的透明烯电极/水晶电解质界面的充电。HD-SFG光谱是一种表面特定的技术，可选择性地探测界面上分子的分子振动。28,29重要的是，界面水的复合物C（2）信号不仅提供了界面结构和界面水的方向的见解，30,31，还提供了界面处的电荷。32,33，我们能够在电位控制的条件下直接探测界面的充电。除了HD-SFG测量值外，我们还使用拉曼光谱法独立地表征了石墨烯电极的电荷。将拉曼与HD-SFG结合在一起，使我们能够完全绘制SIO 2支持的石墨烯电极/水性电解质界面的电荷，并区分与石墨烯电极及其支持的底物对局部电气电气的支撑底物的不同贡献。此外，通过比较在SIO 2和CAF 2-支持的石墨烯电极表面上收集的数据，我们揭示了不同的底物对石墨烯和底物充电时的影响。Our approach allows us to obtain molecular details of the graphene electrode/aqueous electrolyte interface, including the reorganiza- tion of interfacial water molecules and charges of the interface, which are relevant for various technological applications of graphene such as water desalination, chemosensing, biosensing, energy storage and conversion, and neuromorphic iontronics.
C-V测量和双盒陷阱富含SOI底物的建模
高抗性（HR）硅在胰上石（SOI）底物，具有富含陷阱的（TR）层（图。1（a））广泛用于RF芯片。富含陷阱的层是一种捕获自由载体并因此消除盒子基底界面处的寄生通道的多层膜，使底物能够保留其高标称电阻率，从而导致较低的损失并改善线性性[1，2]。然而，捕集层中的部分结晶和杂质污染会影响局部电阻率，因此，RF性能[3]。为了解决这些问题，Uclouvain和Soitec提出了一种名为Double-Buried-Oxide（D-Box）TR底物的新结构，如图1（b）[4]。该结构在TR层下方结合了第二个薄氧化物（Box2），以防止TR层和硅基板之间的直接接触。在本文中，我们通过电容 - 电压（C-V）测量来表征D框结构。Box2的存在消除了整体耗竭层对C-V性能的影响，从而简化了分析。D-box结构还可以在晶圆级别表征TR层。
石墨烯在铜箔上的堆垛关系和基底相互作用
石墨烯的生产是在金属基底上用化学气相沉积 (CVD) 方法进行的，因为该方法可重复、可扩展，且能获得具有大畴尺寸的高质量层。到目前为止，各种过渡金属已作为基底进行了测试 [4–10]，其中铜箔由于碳溶解度低，已被证明是控制单层和双层生长的合适基底。[11–14] 通常，铜箔上石墨烯畴的成核以随机取向发生，从而形成多晶单层石墨烯片 [15] 甚至扭曲的双层石墨烯。[16] 相邻畴合并后会引入晶界，从而限制载流子迁移率。[17] 使用六边形 Cu(111) 表面作为基底，结果表明石墨烯成核发生在与基底晶格对准的位置，从而有效减少晶界。 [18,19] 在实际应用中，需要将石墨烯从金属基底转移到非金属目标基底（如 SiO 2 、SiC）。在许多情况下，转移层的质量不如原生石墨烯。众所周知，基底的选择可能会影响石墨烯的特性。[20–22] 一方面，Kraus 等人早些时候提出，铜基底的刻面可能会压印在石墨烯上，即使在平坦的基底上，转移后也会导致层起波纹。[23] 另一方面，研究表明，在 SiO 2 上转移的单晶石墨烯中的纳米波纹会降低电子迁移率。[24] 此外，在 Bernal 堆叠双层石墨烯中，在不同基底上都观察到了应变诱导的位错线[25–27]，这可能会限制载流子迁移率。即使在目标基底上转移后，这些位错也可能存在。了解这些位错的形成和生长衬底的影响将为设计双层石墨烯和其他堆叠二维材料的特性开辟一条道路。我们利用低能电子显微镜 (LEEM) 和衍射 (LEED) 研究了在 Cu(111) 衬底上以及转移到外延缓冲层后 CVD 生长的石墨烯的厚度和晶体度。我们发现，在石墨烯生长过程中，衬底表面会重新构建为小平面，即使在单层石墨烯中也会留下波纹结构。LEEM 暗场测量揭示了衬底小平面在双层（和三层）石墨烯中堆叠域形成过程中的作用，这些堆叠域在转移过程中得以保留。
DARPA-EA-25-02-04晶体底物键合技术和算法（晶体）
ARC机会旨在使个人研究人员有机会和时间专注于新生的，范式转移的想法。虽然可以提出来自同一组织的多个研究人员，但预计提议的研究概念的总体努力水平应等于一个全职等价（FTE），而12个月作为ARC主题设计的想法是针对名义上将在1年内进行全年努力（1 fte）的想法而设计的。darpa预计，从事拟议思想的个人主要关注整个绩效期间的努力，以最大程度地实用。最高性能为12个月。每个ARC奖的总费用应从100,000美元到300,000美元不等，包括直接和间接费用以及研究生学费（如果适用）。根据Master Arc EA，DARPA-AE-25-02中概述的材料，设备和其他直接成本（ODC）的拟议费用受到限制。在任何情况下都不会授权获利。虽然没有预期的资源共享，但可以在提案中提供。darpa了解并非所有的想法和组织都可能适合此参数范围，并将与建议者合作，以确保可以使用所需的资源来探索真正的创新想法。可能不提出旅行和出版费用。不允许亚武器。
一种用于平菇栽培的蘑菇基质消毒的新方法
蘑菇栽培中最重要的方面之一是基质消毒。如果纤维素材料中的竞争性微生物没有被杀死，产量就会受到影响。通常使用蒸汽消毒来对蘑菇基质进行消毒。产生蒸汽需要大量的能量。能源来自天然气、柴油、电力或木柴。使用蒸汽会产生大量的运营成本，而且这个过程很耗时。需要开发一种更有效的臭氧灭菌技术来改善蘑菇基质灭菌。这种技术应该能够每天对大量基质进行灭菌，使种植者能够生产和销售更多的蘑菇，从而增加他们的收入。本文报道了一种新的基于臭氧的蘑菇基质灭菌技术，该技术在生产和时间方面更有效。这涉及将不同浓度的臭氧注入蘑菇基质，并进行分析以验证臭氧在蘑菇工业中的使用。分析了对整个基质体积进行灭菌所需的臭氧水平和处理时间。结果揭示了对整个蘑菇基质进行灭菌的最佳臭氧浓度和最佳时间。与传统的蒸汽灭菌技术相比，臭氧处理耗时更少。因此，从长远来看，它可以增加蘑菇基质的产量并降低成本。