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从PVC13切换到PCV10-知识集线器
所有患有严重肺炎的儿童，即胸部胸壁（下胸壁），鼻孔或氰化物的耀斑所有儿童<2个月<2个月对治疗儿童咳嗽的反应不足3周，以排除其他原因，例如TB，异物，抽吸或百日咳
FortisWitchos 7.4.0切换参考体系结构指南
Change log 4 Introduction 5 Intended audience 7 About this guide 7 Campus architectures 8 Wired local area network basics 10 Secured LAN 12 Network access control 14 Reference architectures 16 Security Fabric integration through FortiLink 16 MCLAG 16 Tiered architecture 17 Leaf-and-spine data center architecture 18 Network design principles 20 Dimensioning 20 Quality of service 21 Resiliency 22 Tier-1/core layer resiliency 22 Tier-2/aggregation layer resiliency 22 Tier-3/access layer弹性23未来验证24核心层26核心层平台27聚合层29聚合层平台30访问层31访问层部署建议建议31访问层平台35管理37最终设计39 SD-BRAND架构40 SD-BRANCH架构40小型SD-Branch 41中型SD-BRAND 41中型SD-Branch 42大型SD-Brank 43 Manager Brank 43 Management 43 Applences 43 Appendences 44 <
智能电动电动电动机电池用动态温度切换
除了监视温度和电荷水平之外，该系统还跟踪最佳EV性能必不可少的其他关键参数。这包括评估功耗和充电效率，以确保有效使用能源并最大程度地减少充电时间。还考虑了温度，湿度和高度等环境条件，因为它们会影响电池性能和整体车辆效率。此外，该系统通过分析数据趋势来预测潜在问题并建议主动维护操作来提供预测性维护。用户的偏好和设置（例如首选充电时间和温度舒适度）已集成以个性化驾驶体验并优化电池使用情况。通过考虑这些因素，电池监视系统提供了全面的概述，概述了电动汽车的性能和状况，使用户能够做出明智的决策并最大程度地提高效率和寿命。
固态电源控制器与机电开关
除了基本的 ON/OFF 电源切换之外，典型的 SSPC 还提供许多保护功能，包括快速短路保护，使电路停用时间达到 1 mS 左右。电路停用涉及在 500 µS 至 1mS 的时间内逐渐移除通道的开关 MOSFET 栅极驱动，以最大限度地减少 EMI 辐射。参考图 1，对于过载保护，SSPC 实施“I 平方 t”（I 2 t）检测方法来保护电线和负载，同时仍可防止高浪涌电流切换到电机、螺线管、电容负载（如电子电源）或白炽灯泡负载，从而导致“误跳闸”。借助 I 2 t 保护，当测量的负载电流为额定电流的十倍或更多时，SSPC 将立即跳闸。对于较低的电流值，SSPC 的处理器会执行连续计算，从而导致在负载电流为额定值一至十倍的过载情况下跳闸时间更长。
可扩展快速光路交换的电路设计
2.1 (a) 垂直 MEMS 耦合器的 (a) 关闭状态和 (b) 开启状态示意图 - 图片取自 [14] (c) MEMS 开关单元的 SEM - 图片取自 [22] . . 7 2.2 MEMS 开关元件的代表性传递函数。 . . . . . . . . . . . . . 8 2.3 (a) 128x128 SiPh MEMS 纵横开关 (b) 4x4 CMOS 高压驱动芯片倒装芯片接合到 SiPh MEMS 芯片的 GDS 屏幕截图。 . . . . . . . . . . . . 9 2.4 (a) SuperSwitch 1 高压驱动芯片的显微照片 (b) 驱动芯片的卡通布局图。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 2.5 假设采用单个 CMOS 芯片，则激活 128 行中的 1 行的简单原理图。 . 11 2.6 假设采用 4x4 CMOS 芯片阵列，则控制 128x128 开关的原理图。 12 2.7 (a) N c = 1 时第 0 列和第 1 列的逻辑 (b) N c = 2 时第 0 列和第 1 列的逻辑。 13 2.8 (a) 带有用于调试的环回多路复用器的 SuperSwitch1 控制芯片扫描架构的最终原理图。 (b) SuperSwitch1 控制器芯片的最终参数。 . . . . . 14 2.9 (a) SuperSwitch1 高压驱动电路原理图。 (b) 所有电源及其标称值的列表。 . . . . . . ... 19 2.13 (a) HVDD = 70 V、HVSS = 65 V 时所有角的 VSS 电阻 shmoo 图。 (b) 相同图，但 HVDD = 70 V、HVSS = 66 V。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 2.16 (a) 凸块 CMOS 焊盘的显微照片。(b) Au UBM 和 Au 微凸块的横截面。(c) 使用不同厚度的 UBM 在 SiPh 芯片上补偿 CMOS 焊盘高度差异的键合工艺说明。. . . . . . . . . 22
光电二极管剂量计中利用开关偏置减少热漂移
温度对剂量测量的影响是固态剂量计的主要限制因素。对于 PIN 光电二极管剂量计尤其如此，因为其暗电流与温度呈指数相关。为了尽量减少这种影响，提出了一种补偿方法，该方法依赖于二极管结构本身，而无需外部传感器或设备。在辐照期间，光电二极管定期从反向极化切换到正向极化，以确定设备的温度。该测量基于二极管在恒定电流下工作时温度与正向电压之间的线性依赖关系。开发了一种实现此程序的电子电路，用于实验表征 BPW34S Si PIN 光电二极管对辐射的响应。所提出的程序将热漂移引起的不确定性降低了 7.5 倍。此外，测量的平均剂量率灵敏度为 12 ± 2 nC/cGy，在 6 MV 光子束下进行的 21.4 Gy 辐照周期中灵敏度下降低于 2%。我们已经证明，pn结可以成功地用于补偿温度对剂量测量的影响。
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Sirius：具有纳秒光交换的扁平数据中心网络
由于摩尔定律的放缓，数据中心流量增长与电气交换机容量之间日益扩大的差距预计会进一步扩大，这促使人们需要一种新的交换技术来满足后摩尔定律时代日益严格的硬件驱动型云工作负载要求。我们提出了 Sirius，这是一种用于数据中心的光交换网络，它提供了一个单一的高基数交换机的抽象，可以连接数据中心中的数千个节点（机架或服务器），同时实现纳秒级的重新配置。在其核心，Sirius 使用可调激光器和简单的无源光栅的组合，可根据波长路由光。Sirius 的交换技术和拓扑与其路由和调度以及新颖的拥塞控制和时间同步机制紧密结合，以实现可扩展但平坦的网络，可提供高带宽和非常低的端到端延迟。通过使用可在 912 ps 内完成调谐的定制可调激光芯片的小型原型，我们展示了 50 Gbps 信道上 3.84 ns 的端到端重构。通过大规模模拟，我们表明 Sirius 的性能接近理想的电交换无阻塞网络，且功耗降低高达 74-77%。