电子传输层(ETL)的材料在聚合物太阳能电池(PSC)的性能中起着重要作用,但是面临挑战,例如低电子传输迁移率和电导率,较低的解决方案处理性以及极端的厚度敏感性,这将破坏光伏性能和大型制造技术的兼容性。为了应对这些挑战,设计和合成了两个特殊胺锚定的长链链的新型N型二酰亚胺分子(PDINB)可行地设计和合成。pdinb在常见的有机溶剂中显示出非常高的溶解度,例如二氯甲烷(> 75 mg ml -1)和乙醇含有乙酸作为添加剂(> 37 mg ml -1),当在活动层上沉积时会导致出色的纤维形成性。使用PDINB为ETL,全面增强了PSC的光伏性能,从而导致功率转化效率(PCE)高达18.81%。由于PDINB的强大自动效应和高电导率,它显示出可观的厚度耐受性能,其中设备保持持续高的PCE值,厚度从5到30 nm变化。有趣的是,PDINB可以用作不同类型的PSC中的通用ETL,包括非富烯PSC和全聚合物PSC。因此,PDINB可以作为PSC的有效ETL的潜在竞争候选者。
抽象的二维(2D)分层过渡金属的tellurides(Chalcogens)可以利用其表面原子的特征,以增强用于能量转换,存储和磁性应用的地形活动。每个纸的逐渐堆叠改变了表面原子的微妙特征,例如晶格膨胀,从而导致了几种现象和渲染可调的特性。在这里,我们评估了使用表面探针技术的2D Cote 2张2D COTE 2板和磁性行为的厚度依赖性力学特性(纳米级力学,摩擦学,潜在的表面分布,界面相互作用)。通过理论研究进一步支持并解释了实验观测:密度功能理论和分子动力学。理论研究中观察到的性质变化释放了COTE 2晶体平面的关键作用。所提出的结果有助于扩大在柔性电子,压电传感器,底机传感器和下一代内存设备中使用2D telluride家族的使用。
抽象的光腔在增强的光中起着至关重要的作用 - 物质相互作用,光控制和光学通信,但它们的尺寸受材料属性和操作波长的限制。超薄平面腔迫切需要大区域和集成的光学设备的需求。但是,极大地降低平面腔维度是一个关键挑战,尤其是在电信波长下。在这里,我们演示了一种基于大区域生长的Bi 2 Te 3拓扑绝缘子(TI)纳米膜的一种超薄腔,它们在近边缘区域呈现出不同的光学共振。结果表明,在电信波长时,BI 2 TE 3 Ti材料显示了超高折射率> 6。腔厚度可以接近共振波长的1/20,优于基于常规SI和GE高折射率材料的平面腔。此外,我们观察到电磁诱导的透明度(EIT)效应在电信波长上的类似物,通过将腔沉积在光子晶体上。类似EIT的行为是从纳米腔共振和TAMM等离子体之间的破坏性干扰耦合得出的。频谱响应取决于纳米腔的厚度,其调整可以产生明显的Fano共振。实验与仿真非常吻合。这项工作将为TI材料在光控制和设备中的超薄腔和应用开辟新的门。
随着航空航天,通信和能源存储系统中高功率电子设备的快速发展,巨大的热量频率对电子设备安全构成了越来越多的威胁。与几个微厚度的薄膜相比,高质量的石墨烯厚纤维(GTF)超过数百微米厚度是一个有希望的候选者,可以解决由于较高的热量量,以解决热管理挑战。然而,传统的GTF通常具有较低的导热率和弱的机械性能,归因于板板比对和脆弱的界面粘附。在这里,提出了一种无缝的键合组件(SBA)策略,以使GTF超过数百微米,具有可靠的合并界面。对于厚度为≈250μm的GTF-SBA,平面内和平面导热率分别为925.75和7.03 w m-1 K-1,大约是传统粘合剂组装方法制备的GTF的GTF的两次和12次。此外,GTF-SBA即使在77 k循环到573 K的严酷温度冲击后,也表现出了显着的稳定性,从而确保了其在极端条件下长期服务的环境适应性。这些发现提供了对石墨烯大块材料界面设计的宝贵见解,并突出了高性能石墨烯材料在极端热管理需求中的潜在应用。
随着航空航天,通信和能源存储系统中高功率电子设备的快速发展,巨大的热量频率对电子设备安全构成了越来越多的威胁。与几个微厚度的薄膜相比,高质量的石墨烯厚纤维(GTF)超过数百微米厚度是一个有希望的候选者,可以解决由于较高的热量量,以解决热管理挑战。然而,传统的GTF通常具有较低的导热率和弱的机械性能,归因于板板比对和脆弱的界面粘附。在这里,提出了一种无缝的键合组件(SBA)策略,以使GTF超过数百微米,具有可靠的合并界面。对于厚度为≈250μm的GTF-SBA,平面内和平面导热率分别为925.75和7.03 w m-1 K-1,大约是传统粘合剂组装方法制备的GTF的GTF的两次和12次。此外,GTF-SBA即使在77 k循环到573 K的严酷温度冲击后,也表现出了显着的稳定性,从而确保了其在极端条件下长期服务的环境适应性。这些发现提供了对石墨烯大块材料界面设计的宝贵见解,并突出了高性能石墨烯材料在极端热管理需求中的潜在应用。
摘要:早期寿命的使用,包括大麻和尼古丁,可能会对脑组织和灰质皮质发育的成熟产生有害影响。当前的研究采用线性回归模型来研究过去一年的尼古丁和大麻对灰质皮质厚度估计的主要和交互作用,在223 16-22岁的11个双边独立的额叶皮质区域中。随着额叶皮质在整个青春期和成年期都会发展,因此这一时期对于研究物质使用对脑结构的影响至关重要。双侧发现了尼古丁和大麻使用状态对皮质厚度的独特影响,因为大麻和尼古丁使用者都比非用户较薄。还观察到了尼古丁和大麻之间的相互作用,其中大麻的使用与较厚的皮质相关,对于尼古丁和烟草产物(NTP)在三个左额叶区域中使用的人(NTP)使用。这项研究阐明了物质使用与大脑结构之间的复杂关系,这表明大麻对尼古丁暴露对皮质厚度的影响潜在调节,并强调需要进一步的纵向研究以表征这些相互作用及其对大脑健康和发育的影响。
摘要:这项研究的目的是使用反射率光谱计算WSE 2层厚度,并使用Nemess 2D材料反射光谱使用NanoHub.org进行与石墨烯进行比较,该研究的数据被收集了。根据ClinicalCalc.com,将样品分为WSE2层的(n = 20),石墨烯层(n = 20)。在保持以下值的同时计算了总样本量:alpha误差阈值= 0.05,入学率= 0.1,95%置信区间= 80%,而G-power = 80%。使用SPSS软件通过独立样本测试进行比较。与石墨烯层(2.0669)相比,WSE 2层和石墨烯层的厚度具有统计学上的显着差异。WSE2层(3.4717)显示出更好的结果。与石墨烯层相比,WSE 2层具有更大的厚度。
摘要 焊料的润湿性对于实现电子元件和印刷电路板 (PCB) 之间的良好可焊性非常重要。锡 (Sn) 镀层被广泛用于促进焊料在基板上的润湿性。然而,必须考虑足够的锡镀层厚度才能获得良好的润湿性和可焊性。因此,本研究调查了电子引线连接器的锡镀层厚度及其对润湿性和电连接的影响。在电子引线连接器表面应用了两种类型的锡镀层厚度,~3 μm 和 5 μm。研究发现,~3 μm 的薄锡镀层厚度会导致电连接失败,并且焊点润湿性和可焊性不足。5 μm 的较厚锡镀层厚度表现出更好的润湿性和可焊性。此外,电连接也通过了,这意味着较厚的锡镀层厚度提供了良好的焊点建立,从而带来了良好的电连接。还观察到,较厚的锡镀层厚度实现了更好的焊料润湿性。场发射扫描电子显微镜 (FESEM) 的结果表明,对于较薄的锡镀层厚度 (~3 μm),引线连接器表面的金属间化合物 (IMC) 层生长被视为异常,其中 IMC 层被消耗并渗透到锡涂层的表面。这导致薄锡镀层与焊料的可焊性较差,无法形成焊点。本研究的结果有助于更好地理解考虑足够的锡镀层厚度的重要性,以避免锡镀层处的 IMC 消耗,以及更好的润湿性、可焊性和焊点质量,这对于表面贴装技术 (SMT) 尤其适用于电子引线连接器应用。
抽象目的:糖尿病(DM)和高血压是动脉硬化疾病的最常见原因之一。内膜媒体厚度通常会随动脉疾病而增加,颈动脉内膜厚度(CIMT)的增加与冠状动脉疾病(CAD)的存在和程度有关。这项研究旨在在超声检查中比较高血压和DM患者志愿者的CIMT。材料和方法:在拉合尔成像中心进行了病例对照分层研究。患者被邀请参加该研究,必须超过30岁,DM和高血压。来自同一年龄段的人没有高血压和DM作为研究对照。接受内部切除术或其他动脉介入手术以及先前的心血管疾病和中风病史的患者被排除在外。结果:对照组右颈动脉内的平均CIMT为0.53 mm,DM组为0.69 mm,高血压组为0.67 mm,DM和高血压患者为0.98 mm。对照组的左颈动脉平均CIMT为0.56 mm,DM组为0.7 mm,高血压组为0.68 mm,DM和高血压患者为1.01 mm。结论:DM和非DM个体之间的平均CIMT之间存在显着差异。对照组和DM或高血压组也有显着差异。然而,对照组的颈动脉以及DM和高血压的平均CIMT中发现了更明显的差异。
吞咽是指饮食行为。在正常的旋转旋转过程中,将固体食物放在口腔内进行咀嚼,这将食物分解成团块,然后将食物与唾液混合在一起。当推注进入口咽中时,气道被暂时关闭,以防止推注进入气管。然后将推注进入食道,该食管将注料转移到胃中以进行消化。吞咽液体的过程相似,除了咀嚼通常不是必需的[1]。将食物或液体从口腔转移到胃中的失败被称为吞咽困难[2]。患有中风,痴呆和帕金森氏病等神经系统疾病的患者患有吞咽困难的高风险[3]。吞咽困难的常见症状包括从嘴唇上泄漏食物或液体,吞咽前后长时间的咀嚼,窒息和咳嗽[4]。如果未正确实施吞咽困难,则患者可能会经历营养不良,脱水,抽吸甚至窒息,这可能是致命的[5]。