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用于高性能深紫外光电探测的微米厚氧化镓薄膜中的定向载流子传输 张文瑞, 1,2 * 魏瓦
微米级氧化镓薄膜中的定向载流子传输用于高性能深紫外光电探测 张文瑞 1,2 * 王伟 1 张金福 1 张谭 1 陈莉 1 王刘 1 张宇 3 曹彦伟 1 季莉 3 叶吉春 1,2 * 1 中国科学院宁波材料技术与工程研究所，浙江省能源光电子材料与器件工程研究中心，浙江 宁波 315201 2 甬江实验室，浙江 宁波 315201 3 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室，上海 200433 关键词：紫外光电探测器，宽禁带半导体，氧化镓，载流子传输，缺陷
薄膜系统的厚度相关拉曼散射
摘要：由于薄膜内激发光和拉曼散射光的干扰，薄膜多层膜的拉曼信号强度随薄膜层厚度非单调变化。这一现象不仅可用于增强拉曼信号，还可用于研究薄膜厚度和光学特性。本文，我们对几种薄膜材料系统的拉曼信号厚度依赖性进行了实验研究，包括蓝宝石上硅 (SOS) 和 SOS 上的氮化硅薄膜，以及在硅基板上制备的多层 MoS 2。将适当缩放的测得强度与从传输矩阵法开发的分析模型进行比较。当激光光斑尺寸足够大于薄膜厚度时，SOS 薄膜具有很好的拟合效果。对于多层 MoS 2，发现来自底层 Si 基板的拉曼信号强度具有极好的拟合效果，而 MoS 2 特征拉曼位移的强度受激光参数和样品方向的影响。这些结果对薄膜计量和光学特性表征具有重要意义。
金属单核化异质结构中的厚度和扭曲角度依赖的层间激子WenkaiZheng§，⊥，lixiang§，⊥
金属单核化杂质中的厚度和扭曲角度依赖性层间激素wenkaiZheng§，⊥，⊥，lixiang§，⊥，⊥，felipe dequesada˧，£，£，Mathias Augustinǂ，Mathias Augustinǂ，ƪ，金属单核化杂质中的厚度和扭曲角度依赖性层间激素wenkaiZheng§，⊥，⊥，lixiang§，⊥，⊥，felipe dequesada˧，£，£，Mathias Augustinǂ，Mathias Augustinǂ，ƪ，
最高厚度照片的研究抗Cu的cu后粉状晶圆级包装
ph： +82-041-925-1389电子邮件：yuseon.heo@samsung.com摘要移动设备有限的热预算几乎不允许全速使用高性能应用程序（AP）。但是，由于人工智能技术已迅速应用于移动设备，因此高速和大容量信号处理等需求正在不断增加。因此，控制AP芯片的热量生成成为关键因素，并且有必要开发基于重分配层（RDL）的风扇外套件（FOPKG）结构，该结构不会增加包装的厚度，同时最大程度地提高耗散量的厚度。CU柱的高度在产生可能施加厚的Fopkg的高度正在越来越高，并且在这项研究中，开发了世界上最厚的光孔材料（> 350UM厚度），以生产Cu Post（> 300UM厚度）。研究了光震鼠的光透射率的影响以及根据主聚合物的分子结构的溶解度的影响，以进行厚光构师的光刻过程。基于对这种厚的光质危行为的理解，开发了最佳的液体类型的光蛋白天抗事组成。通过光刻评估基于厚的光片特性，通过实施和CU电镀板进行深孔，以在AP产品设计施加的晶片中获得CPK 1.27的产率。关键字风扇外包装，厚度厚度光抗光毒师，Cu Post取决于对厚光构师的深入理解和实验，可以建立高级研究基础，以增加光孔厚度和更精细的CU后俯仰，以确保散热特征并提高建筑的自由度。
厚度依赖性的seebeck系数在混合2- ...
摘要 - 单个分子中的Seebeck系数取决于费米水平的电荷载体的传输概率的斜率，这可能会导致高塞贝克系数。但是，由于单分子只能为热电应用产生有限的功率。因此，必须开发较大规模的系统，以便为实际应用提供足够的功率。在这项工作中，我们检查了维数对分子/Au纳米颗粒2D阵列的塞贝克系数的影响，该阵列在网络系统内具有大量分子连接。此方法随着系统尺寸尺度而增加组件之间的复杂性和相互作用。在这项工作中，我们观察到，与具有相同分子接头的单层结构相比，2D混合阵列的多层结构可提供更高的seebeck系数。尤其是，含油胺（OAM）和硫醇的蒽醌衍生物（5AQ5）用作结构中金纳米颗粒之间的分子交流器。实验结果表明，OAM/AU 2D阵列的四层结构可在单层结构（s = 3.36 µV/K）的Seebeck系数（s = 38.21 µV/K）方面提高约11倍，这在电导率的改善中可以提高6335次的电力系数。另一组结果表明，基于蒽醌的依子基桥（5AQ5）/AU 2D阵列的三层结构可在Seebeck系数（S = -3254 µV/K）上提高约26倍（S = -3254 µV/K），而单层结构（S = -127 µV/K）和A 177 Quelt time and 177 Quilties and 177。这些发现表明，可以通过控制层数来改善工程纳米结构的热电性能。
通过优化界面层厚度实现低肖特基势垒接触的 MoS2 晶体管
摘要：二硫化钼（MoS 2 ）因其较大的带隙、良好的机械韧性和稳定的物理性能而受到研究者的广泛关注，成为下一代光电器件的理想材料。但较大的肖特基势垒高度（ Φ B ）和接触电阻是阻碍大功率 MoS 2 晶体管制备的障碍。详细研究了具有两种不同接触结构的 MoS 2 晶体管的电子传输特性，包括铜（Cu）金属-MoS 2 通道和铜（Cu）金属-TiO 2 -MoS 2 通道。通过调整金属和 MoS 2 之间的 TiO 2 夹层的厚度来优化接触。具有 1.5 nm 厚 TiO 2 层的金属-夹层-半导体（MIS）结构具有较小的肖特基势垒，为 22 meV。结果为设计 MIS 接触和界面以改善晶体管特性提供了参考。
厚度对Ni/GaAs体系固相反应的影响
摘要：为研究 Ni 与 GaAs 衬底之间的固相反应，利用磁控溅射技术在 GaAs 衬底上生长不同厚度的 Ni 薄膜，并进行原位 X 射线衍射 (XRD) 退火。利用原位和非原位 XRD、极图和原子探针层析成像 (APT) 研究了厚度对金属间化合物形成的影响。结果表明，20 nm 厚的 Ni 薄膜与 GaAs 衬底呈现外延关系，沉积后为 (001) Ni//(001) GaAs 和 [111] Ni//[110] GaAs。增加薄膜厚度会导致 Ni 薄膜织构的变化。这种差异对 Ni 3 GaAs 的形成温度有影响。该温度随着厚度的增加而降低。这是由于初始 Ni/GaAs 界面的相干/非相干性质所致。Ni 3 GaAs 相在约 400 ◦ C 时分解为二元和三元化合物 xNiAs 和 Ni 3 − x GaAs 1 − x。与 Ni 3 GaAs 类似，第二相的分解温度也取决于 Ni 层的初始厚度。
基于纳米厚窄带隙半导体PbS薄膜的紫外光电探测器
摘要：紫外光电探测器（UVPD）在军事和民用应用中发挥着重要作用，通常采用宽带隙半导体（WBS）作为构造模块来制造。遗憾的是，基于 WBS 的 UVPD 商业化往往受到其相对较高的制造成本的限制，因为需要使用非常复杂的生长仪器。在本文中，我们提出了一种基于具有相对较小带隙的非 WBS 硫化铅（PbS）的灵敏 UVPD。器件分析表明，由 48.5 nm PbS 纳米薄膜制成的 UVPD 对 365 nm 的紫外线照射高度敏感。具体而言，在 365 nm 照射下的响应度和特定探测率分别为 22.25 AW − 1 和 4.97 × 10 12 Jones，与大多数传统的基于 WBS 的 UVPD 相当或更好。基于 PbS 纳米薄膜的 UVPD 还表现出优异的环境稳定性。实验结果和基于技术计算机辅助设计软件的模拟证实，PbS 纳米薄膜的异常特性与相对较薄的厚度和波长相关的吸收系数有关。这些结果为窄带隙半导体在未来光电设备和系统中实现低成本敏感 UVPD 提供了机会。关键词：紫外光电探测器、窄带隙半导体、PbS、高响应度、技术计算机辅助设计 ■ 介绍
在氧化铝上生长的纳米厚 ZnO/SnO2 异质结构可用于 H2S 传感
摘要：设计纳米级异质结构材料是增强气体传感性能的一种众所周知的方法。在本研究中，溶解在乙醇溶剂中的氯化锌和二水合氯化锡的混合溶液被用作初始前体，使用超声喷雾热解 (USP) 法在氧化铝基底上沉积传感层。通过在初始前体中应用不同的比例来生长几种 ZnO/SnO 2 异质结构。这些异质结构被用作传感 H 2 S 气体分子的活性材料。结果表明，USP 前体中氯化锌的增加会改变传感器的 H 2 S 灵敏度。发现最佳工作温度为 450°C。传感器的 USP 前体中含有 5:1（ZnCl 2:SnCl 2·2H 2 O）的比例，比纯 SnO 2（约 95 倍）样品和其他异质结构具有更高的响应。随后，还研究了 ZnO/SnO 2 异质结构对 5 ppm NO 2 、200 ppm 甲醇、100 ppm CH 4 、丙酮和乙醇的选择性。分析了 ZnO/SnO 2 的气敏机理，认为气敏性能的显著提高主要归因于 ZnO 和 SnO 2 之间异质结构的形成。还利用 X 射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散 X 射线、透射电子显微镜和 X 射线光电子能谱分析了合成的材料，以研究 ZnO/SnO 2 异质结构的材料分布、晶粒尺寸和材料质量。关键词：气体传感器、ZnO/SnO 2 、异质结构、超声喷雾热解、H 2 S ■ 介绍