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范德华台式 X 射线的多功能性得到增强……
范德华 (vdW) 材料因其众多独特的电子、机械和热特性而备受关注。特别是，它们是单色台式 X 射线源的有希望的候选材料。这项研究表明，台式 vdW X 射线源的多功能性超出了迄今为止所展示的范围。通过在 vdW 结构和入射电子束之间引入倾斜角，理论和实验表明，可访问的光子能量范围增加了一倍以上。这使得 vdW X 射线源的实时调谐具有更大的多功能性。此外，这项研究表明，通过同时控制电子能量和 vdW 结构倾斜，可访问的光子能量范围可以最大化。这些结果将为高度可调的紧凑型 X 射线源铺平道路，其潜在应用包括高光谱 X 射线荧光和 X 射线量子光学。
图像预处理的范德华异质结构中的可调阴性和阳性光电导率
视觉信息的处理主要发生在视网膜中，视网膜预处理功能极大地提高了视觉信息的传输质量和效率。人工视网膜系统为有效的图像处理提供了有希望的途径。在这里，提出了石墨烯/ INSE/ H -BN的异质结构，该结构通过改变单个波长激光器的强度，表现出负和正照相（NPC和PPC）效应。此外，基于激光的功率依赖性光导不传导效应：I pH = -mp𝜶1 + 1 + NP 𝜶2，提出了一个修改的理论模型，该模型可以揭示负/阳性光导能效应的内部物理机制。当前的2D结构设计允许晶体管（FET）表现出出色的光电性能（R NPC = 1.1×10 4 AW - 1，R PPC = 13 AW - 1）和性能稳定性。，基于阴性和阳性光电传感效应成功模拟了视网膜预处理过程。此外，脉冲信号输入将设备的响应性提高了167％，并且可以提高视觉信号的传输质量和效率。这项工作为构建人工视觉的建设提供了一个新的设计思想和方向，并为下一代光电设备的整合奠定了基础。
在原子上薄的范德华磁铁Crsbr
摘要：在原子上薄的半导体中，CRSBR脱颖而出，因为它的散装和单层形式在磁性环境中均构成紧密结合的准二维激子。尽管对固态研究至关重要，但激子的寿命仍然未知。虽然Terahertz极化探测可以直接跟踪所有激子，而与带间选择规则无关，但相应的大型远场灶基本上超过了横向样品尺寸。在这里，我们将Terahertz极化光谱与近场显微镜结合在一起，以揭示CRSBR单层中的磁磁复发剂的飞秒衰减，该crsbr的单层比散装寿命短30倍。我们在散装CRSBR中揭示了结合和未结合的电子 - 孔对的低能指纹，并以无模型的方式提取单层的非平衡介电函数。我们的结果表明，首次直接访问CRSBR中准单维激子的超快速介电响应，可能会推进基于Ultrathin van der waals磁铁的量子设备的开发。关键字：原子上的固体，范德华磁铁，各向异性激子，超快动力学，飞秒近场显微镜，Terahertz
二维范德华异质结构中的电气可调巨型Nernst效果
图S4。 扫描跨INSE通道的NERNST效果的光电流图：（a）设备示意图显示了跨INSE通道的GR/5L-INSE异质结构和电气检测的照明。 在此示意图之后，任何测得的电流都被迫流过半导体。 （b）与扫描光电流图同时测量的感兴趣区域的激光反射图。 这种测量使我们能够将激光的位置与观察到的信号相关联。 被选中的位置分别标记为石墨烯和INSE/石墨烯异质结构的位置1和2分别为位置（c）Nernst效应信号记录了不同的磁场和50µW的激光照明和50µW的激光照明和V_G = 0 V的位置1和2，位于1和2的位置，在1和2中亮着，在1和2的位置上，在Chemaine ElectereDere和Hersossctuction上闪闪发光。 裸露的石墨烯信号以蓝色显示，通过一个数量级放大，以更好地突出两条曲线之间的斜率差异。 进行测量是没有任何应用偏差的，因为它会掩盖Nern的效果，从而诱导图片中的其他光电流机制。 （d）扫描光电流图显示了在完整设备上的完整设备的测得的光电流，以-1T的施加了平面外电场。 （e）和（f）分别为0T和1T显示的类似扫描光电流图。图S4。扫描跨INSE通道的NERNST效果的光电流图：（a）设备示意图显示了跨INSE通道的GR/5L-INSE异质结构和电气检测的照明。在此示意图之后，任何测得的电流都被迫流过半导体。（b）与扫描光电流图同时测量的感兴趣区域的激光反射图。这种测量使我们能够将激光的位置与观察到的信号相关联。被选中的位置分别标记为石墨烯和INSE/石墨烯异质结构的位置1和2分别为位置（c）Nernst效应信号记录了不同的磁场和50µW的激光照明和50µW的激光照明和V_G = 0 V的位置1和2，位于1和2的位置，在1和2中亮着，在1和2的位置上，在Chemaine ElectereDere和Hersossctuction上闪闪发光。裸露的石墨烯信号以蓝色显示，通过一个数量级放大，以更好地突出两条曲线之间的斜率差异。进行测量是没有任何应用偏差的，因为它会掩盖Nern的效果，从而诱导图片中的其他光电流机制。（d）扫描光电流图显示了在完整设备上的完整设备的测得的光电流，以-1T的施加了平面外电场。（e）和（f）分别为0T和1T显示的类似扫描光电流图。
基于强粘合剂
观察到扭曲的双层石墨烯中新出现的量子相促使范德 - 瓦尔斯（VDW）材料的活动促进了石墨烯之外的材料。大多数当前的扭曲实验都使用称为PPC的聚合物使用所谓的撕裂和堆栈方法。但是，尽管当前的PPC撕裂和堆栈方法具有明显的优势，但也存在技术局限性，主要是有限数量的VDW材料，可以使用此基于PPC的方法进行研究。这种技术瓶颈一直在阻止少数可用的VDW样品之外的令人兴奋的领域的进一步发展。为了克服这一挑战并促进了未来的扩张，我们使用了强烈的粘合性多丙酮酸（PCL）开发了一种新的撕裂方法。具有相似的角度精度，我们的技术允许制造无上限层，促进表面分析并确保固有的清洁界面和低工作温度。更重要的是，它可以应用于基于PPC的方法仍然无法访问的许多其他VDW材料。我们介绍了通过多种VDW材料制成的扭曲同源物 - 从两种经过良好的VDW材料（石墨烯和MOS 2）到其他VDW材料的首次演示（NBSE 2，NIPS 3和Fe 3 Gete 2）。因此，我们的新技术将有助于将Moiré物理学扩展到少数选定的VDW材料之外，并开辟更令人兴奋的发展。
直接观察范德华磁铁CRI3
van der waals（vdw）堆叠是一种强大的技术，可以通过逐层晶体工程在凝结物质系统中实现所需的特性。一个了不起的例子是控制人工堆叠的VDW晶体之间的扭角，从而实现了从超导性到强相关的磁性范围内的Moiré结构中非常规现象的实现。在这里，我们报告了VDW磁铁CRI 3晶体中不寻常的120°扭曲断层的出现。在去角质样品中，我们观察到厚度低于10 nm的垂直扭曲结构域。扭曲结构域的尺寸和分布在很大程度上取决于样品制备方法，而合成的未脱落样品显示出比去角质样品的厚域更厚的域。冷却引起不同扭曲结构域之间相对种群的变化，而不是先前假定的结构相过渡到菱形堆积。样品制造过程引起的堆叠障碍可能解释了CRI 3中观察到的未解决的厚度依赖性磁耦合。
探测范德华磁性半导体crsbr
摘要：本研究通过全面的光致发光（PL）表征研究了硫磺溴（CRSBR）的电子带结构。我们清楚地确定了两个紧密相邻的传导带状态和两个不同的价带状态之间的低温光学转变。对PL数据的分析稳健地揭示了跨CRSBR的不同厚度（从单层到散装）的不同厚度的能量分裂，带隙和激子跃迁。依赖温度依赖性PL测量阐明了在NE e el温度以下的频带拆分的稳定性，这表明镁与激子结合的元素负责使对称性断裂和从二级传导带最小值（CBM2）向全局价最大带（VBM1）的对称性破坏和增亮。共同揭示了在传导和价带中的分裂，而且还突出了我们对抗超磁性二维Van der waals晶体的光学，电子和磁性能之间相互作用的显着进步。
基于Cuinp2s6/Mos2 van der waals异质结
摘要：由于热力学的局限性，电子的玻尔兹曼分布阻碍了晶体管晶体管的进一步减少功耗。然而，随着铁电材料的出现，预计将解决此问题。在此，我们基于CIPS/MOS 2 van der waals杂结型演示了或逻辑铁电位晶体管。利用铁电材料的电场放大，CIPS/MOS 2 VDW铁电晶体管在三个数量级上的平均亚阈值摇摆（SS）为52 mV/dec的平均下阈值（SS），最小SS SS SS SS SS SS SS SS SS SS SS SS/DEC的最低限度为BoltzMann限制，从而在室内温度下限制。双门控铁电位晶体管表现出出色或逻辑的操作，供应电压小于1V。结果表明，由于其在距离内造成的，陡峭的suppherope subthers thrope subphersholt swing and Powdertage and plow show thres thrope subshort swing and show thershold swing and show supshort swing and show powertapt and pow showtage and powertage and the cips/mos 2 vdw铁电晶体管具有很大的潜力。
垂直范德华异质结二极管由 3D β-Ga2O3 上的 2D 半导体组成
摘要：宽带隙半导体，例如氧化镓 (Ga 2 O 3 )，因其在下一代高功率电子器件中的应用而备受关注。尽管单晶 Ga 2 O 3 衬底可以常规地从熔体中沿各种取向生长，但关于这些取向的影响的报道却很少。此外，由于缺乏 p 型掺杂，用 Ga 2 O 3 制造整流 pn 二极管一直很困难。在本研究中，我们通过改变以下三个因素在 β-Ga 2 O 3 上制造和优化了 2D/3D 垂直二极管：衬底平面取向、2D 材料选择和金属触点。使用高温相关测量、原子力显微镜 (AFM) 技术和技术计算机辅助设计 (TCAD) 模拟验证了我们的设备的质量。我们的研究结果表明，2D/3D β-Ga 2 O 3 垂直异质结通过基底平面取向（-201）进行优化，结合 2D WS 2 剥离层和 Ti 接触，并显示出记录的整流比（> 10 6 ）同时具有导通电流密度（> 10 3 A cm -2 ），可用于功率整流器。
具有范德华铁磁体 Fe5GeTe2/石墨烯异质结构的室温自旋阀
范德华 (vdW) 磁体的发现为凝聚态物理和自旋电子技术开辟了新范式。然而，具有 vdW 铁磁体的有源自旋电子器件的操作仅限于低温，从而限制了它们更广泛的实际应用。本文展示了使用石墨烯异质结构中的 vdW 流动铁磁体 Fe 5 GeTe 2 的横向自旋阀器件在室温下的稳健操作。在具有负自旋极化的石墨烯界面处测量了 Fe 5 GeTe 2 的室温自旋电子特性。横向自旋阀和自旋进动测量通过自旋动力学测量探测 Fe 5 GeTe 2 /石墨烯界面自旋电子特性，揭示了多向自旋极化，从而提供了独特的见解。密度泛函理论计算与蒙特卡罗模拟相结合，揭示了 Fe 5 GeTe 2 中显著倾斜的 Fe 磁矩以及 Fe 5 GeTe 2 /石墨烯界面处存在负自旋极化。这些发现为范德华界面设计和基于范德华磁体的自旋电子器件在室温下的应用提供了机会。