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使用基于线性的渠道和基于规则的binning算法
使用基于线性的频道和基于规则的算法的硅晶片制造中的表面缺陷分类，在硅晶片制造中，在硅晶片制造中使用基于线性的信道和基于基于规则的固定算法的硅晶片制造中的基于线性的基于线性的频道渠道晶体轴向循环和基于规则的基于基于规则的灯泡的局限性的线化算法在硅晶片制造中使用基于线性的旋转算法进行了表面缺陷分类，并 Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the Linear-Based Channeling and Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the Linear-Based Channeling and Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the Linear-Based Channeling and Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the基于线性的渠道和基于规则的包裹算法，使用基于线性的渠道和基于规则的双钉算法在硅晶片制造中进行表面缺陷分类，并使用基于线性的信中的硅晶状体和基于规则的基于基于线性的基于线性的基于硅的渠道临床构造的硅化算法分类的硅晶片制造中的硅晶片制造中的表面缺陷分类，并使用基于线性的渠道和基于规则的算法的晶圆制造，使用基于线性的渠道和基于规则的binning算法使用基于线性的频道和基于规则的算法的硅晶片制造中的表面缺陷分类，在硅晶片制造中，在硅晶片制造中使用基于线性的信道和基于基于规则的固定算法的硅晶片制造中的基于线性的基于线性的频道渠道晶体轴向循环和基于规则的基于基于规则的灯泡的局限性的线化算法在硅晶片制造中使用基于线性的旋转算法进行了表面缺陷分类，并 Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the Linear-Based Channeling and Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the Linear-Based Channeling and Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the Linear-Based Channeling and Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the基于线性的渠道和基于规则的包裹算法，使用基于线性的渠道和基于规则的双钉算法在硅晶片制造中进行表面缺陷分类，并使用基于线性的信中的硅晶状体和基于规则的基于基于线性的基于线性的基于硅的渠道临床构造的硅化算法分类的硅晶片制造中的硅晶片制造中的表面缺陷分类，并使用基于线性的渠道和基于规则的算法的晶圆制造，使用基于线性的渠道和基于规则的binning算法
GaN 晶圆级 AuSn 焊料沉积
关键词：GaN、焊料、AuSn 焊料、溅射、共晶、芯片粘接摘要对于 GaN MMIC 芯片粘接，经常使用 80%Au20%Sn 共晶焊料。通常的做法是使用预制件 AuSn 将芯片粘接到 CuW 或其他一些基板上。在此过程中，操作员可能需要将预制件切割成芯片尺寸，然后对齐预制件、芯片和基板。由于操作员需要同时对齐三个微小部件（预制件、芯片和基板），因此这是一个具有挑战性的过程，可能需要返工。此外，预制件厚度为 1mil（在我们的例子中），这可能导致过量的焊料溢出，需要清理，因为它会妨碍其他片外组装。整个芯片粘接过程可能很耗时。在本文中，我们描述了一种在分离芯片之前在 GaN 晶圆上使用共晶成分溅射靶溅射沉积共晶 AuSn 的方法。它消除了预制件和芯片的对准，并且不会挤出多余的 AuSn。通过使用共晶溅射靶，它还可以简化靶材制造。下面给出了芯片粘接结果。引言宽带微波 GaN MMIC 功率放大器在国防和通信应用中具有重要意义。随着设备性能的提高，芯片粘接变得非常重要，因为它会极大地影响 MMIC 的热预算。80%Au/20%Sn 焊料已用于半导体应用超过 50 年，通常作为冲压预制件。然而，由于需要将 MMIC 芯片中的多个小块和焊料预制件对准到载体上，因此芯片粘接过程可能很繁琐且耗时。在芯片分离之前在整个晶圆上溅射沉积 AuSn 将大大简化芯片粘接过程。然而，溅射的 AuSn 成分对于正确的焊料回流至关重要。由于 Au 和 Sn 的溅射产率不同，AuSn 溅射靶材的化学性质和沉积的 AuSn 薄膜之间存在显著的成分变化 [参考文献 1]。下图 1 显示了 Au-Sn 相图。通过仔细控制溅射参数（功率、压力和氩气），我们能够从共晶成分溅射靶中沉积共晶 AuSn。制造共晶成分溅射靶要容易得多/便宜得多。
晶圆翘曲和背面冷却条件变化对静电吸盘 (ESC) 性能的影响
在 ESC/BSG 系统中，冷却气体（氦气）的漏流被测量为夹紧性能的标准：大量的 BSG 漏流意味着晶圆未正确夹紧，因此冷却气体未到达晶圆。相反，少量的漏流代表晶圆夹紧良好且冷却效率高。在这种情况下，20 sccm 或以上的氦气流量代表夹紧彻底失败以及工具故障。图 2 显示在“A”和“B”型载体上制备的样品晶圆的冷却气体漏流。在所有施加电压下，弯曲程度较高的晶圆的 BSG 流量最高，漏流值已达到最大值 20 sccm。但是，只要背面冷却气体压力较低，较高电压条件就会消除弯曲对 BSG 流量的影响。换句话说，需要将 BSG 压力降低至约 10 Torr 以下才能夹住弯曲的晶圆，这会导致背面冷却系统的边缘性更严格，并且等离子蚀刻等高温工艺中晶圆过热的可能性更高。
倒装芯片芯片到晶圆键合回顾
在本文中，我们考虑了对于 D2W 键合，封装集成商可以使用几种键合技术，从焊球到底部填充 TCB 和混合键合。讨论了各种特定的应用差距和技术载体，以强调 HVM 的采用目前还不是交钥匙工程，而与一直占主导地位的成熟引线键合相比，该技术似乎非常年轻。由于特定外形封装尺寸或设备应用对性能的要求很高，代工封装公司或使用内部封装工艺的大型半导体制造商，因此采用年轻的技术需要仔细规划，以解决潜在的差距和障碍，以实现具有成本效益、高产量和可扩展的技术。I/O 密度将受到关键因素的限制，例如键合对准精度、焊盘或凸块尺寸和金属界面、晶圆或载体晶圆形状/翘曲、如果采用了 CMP 技术，界面均匀性、退火和 DT 限制、底部填充特性、凸块金属选择、应力诱导裂纹形成；必须谨慎处理此处未考虑的其他差距和风险，以确保
晶圆可扩展的单层非晶态三氧化钼
摘要：三氧化钼 (MoO 3 ) 是一种重要的过渡金属氧化物 (TMO)，由于其在现有技术和新兴技术（包括催化、能源和数据存储、电致变色器件和传感器）中的潜力，在过去几十年中得到了广泛的研究。最近，人们对二维 (2D) 材料的兴趣日益浓厚，与块体材料相比，二维材料通常具有丰富的有趣特性和功能，这导致了对 2D MoO 3 的研究。然而，大面积真正的 2D（单原子层至几原子层厚）MoO 3 尚未实现。在这里，我们展示了一种简单的方法来获得晶圆级单层非晶态 MoO3，该方法使用 2D MoS2 作为起始材料，然后在低至 120°C 的基板温度下进行紫外臭氧氧化。这种简单而有效的过程可产生具有晶圆级同质性的光滑、连续、均匀和稳定的单层氧化物，这通过几种表征技术得到证实，包括原子力显微镜、多种光谱方法和扫描透射电子显微镜。此外，使用亚纳米 MoO3 作为夹在两个金属电极之间的活性层，我们展示了最薄的基于氧化物的非挥发性电阻开关存储器，该存储器具有低压操作和高开/关比。这些结果（可能可扩展到其他 TMO）将使进一步探索亚纳米化学计量 MoO3 成为可能，扩展超薄柔性氧化物材料和器件的前沿。关键词：晶圆级、单层、氧化钼、非晶态、电阻开关存储器
适用于扇出型晶圆级和面板级封装的细线和低应力 RDL 解决方案
本文通过 HRDP ®（高分辨率可剥离面板）技术介绍了一种新的 RDL 概念。它已受到业界的广泛关注，尤其是对于扇出型、芯片后置、晶圆级和面板级封装组件。本文介绍了 HRDP ® 的结构和材料。可提供各种尺寸和厚度的适用 HRDP ® 载体，用于圆形面板和带有玻璃或硅的方形/矩形面板，以满足客户要求。这可以简化流程并改善界面应力。本文详细介绍了使用 HRDP ® 的工艺步骤，这些步骤基本上使用 RDL 金属图案化中的现有工具（即光刻、显影/Descum 等），而不会破坏装配线布局和工艺流程。HRDP ® 与现有的电介质和光刻胶兼容。事实证明，基于凸块制造厂中用于 RDL 的电介质和光刻胶的功能，已经实现了 2/2 微米及以下的精细 L/S 几何形状。可靠性数据已共享。关键词 载体技术、HRDP ® (高分辨率可脱键面板)、机械脱键、线/间距 (L/S)、最后芯片、RDL、扇出型晶圆级 (FO-WLP)。面板级封装 (PLP)、热膨胀系数 (CTE)。
第 23 章：晶圆级封装 (WLP)
范围和章节大纲 本章旨在简要概述晶圆级封装 (WLP)，包括晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 和扇出型封装，作为这些技术未来发展路线图的背景。本文并非旨在提供详细的历史，也不是与这些技术相关的所有可能的结构、工艺和材料的详细描述。在有关该主题的各种文章和书籍中可以找到更详细的信息。本章试图回顾 WLP 技术迄今为止的发展，并预测未来的需求和挑战。 晶圆级封装是指在晶圆仍为晶圆时对芯片进行封装，可以单独封装，也可以与其他芯片或其他组件（例如分立无源器件）或功能组件（例如微机电系统 (MEMS) 或射频 (RF) 滤波器）组合封装。这允许使用异构集成进行晶圆级和面板级封装。尽管从定义上讲，WLP 历来都是使用直径为 200 毫米或 300 毫米的圆形晶圆格式生产的，但多家供应商正在将类似的制造方法扩展到矩形面板格式。这将允许不仅在晶圆级基础设施（晶圆级封装，或 WLP）上制造异构封装，而且还可以在面板级基础设施（面板级封装，或 PLP）上制造异构封装。本章将包括异构集成路线图 (HIR) 的 WLP 和 PLP 格式。本章分为 7 个部分：1. 执行摘要 2. 晶圆级封装的市场驱动因素和应用 3. 晶圆级封装概述：技术、集成、发展和关键参与者 4. 技术挑战 5. 供应链活动和注意事项 6. 总结、最终结论和致谢 7. 参考文献
硅晶片中集成的双层金属螺线管 3D 用于动能收集器
摘要：研制了一种基于硅芯片的双层三维螺线管电磁动能收集器，可高效将低频（<100 Hz）振动能转化为电能。利用晶圆级微机电系统 (MEMS) 制造形成金属铸造模具，然后采用随后的铸造技术将熔融的 ZnAl 合金快速（几分钟内）填充到预先微加工的硅模中，在硅片中制作 300 匝螺线管线圈（内螺线管或外螺线管均为 150 匝），以便锯切成芯片。将圆柱形永磁体插入预蚀刻的通道中，以便在外部振动时滑动，该通道被螺线管包围。收集器芯片的尺寸小至 10.58 mm × 2.06 mm × 2.55 mm。螺线管的内阻约为 17.9 Ω。测得的最大峰峰值电压和平均功率输出分别为 120.4 mV 和 43.7 µ W 。电磁能量收集器的功率密度有很大的提高，为 786 µ W/cm 3 ，归一化功率密度为 98.3 µ W/cm 3 /g 。实验验证了电磁能量收集器能够通过步行、跑步和跳跃等各种人体运动来发电。晶圆级制造的芯片式螺线管电磁收集器在性能均匀、尺寸小和体积大的应用方面具有优势。