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最低温度测量值 - 量子设计
Low vibration level and the positional drift Temperature range from ~3.5 K to 475 K (optional: 8 K to 650 K) (depending on probes) Works either with liquid nitrogen or liquid helium Helium consumption less than 1 L/h Accommodates up to 2 in (51 mm) diameter wafers (optional: up to 8 in [203 mm]) Up to seven cooled, easily interchangeable, micro-manipulated probe手臂电气测量从DC到67 GHz的各种廉价的LF探针尖端易于替换非常低的三轴探针泄漏电流，仅几个FA非接触式，无损坏的开尔文探针多尖端探针通过单台和多模式Fiber formations进行了启用，以示例型号的启用型号，以示例型号探测器，并探测型号的多模式探测器。微型真空室从杂物盒中传递真空下的样品到探测站非常光滑的X-Y-Z旅行阶段，用于所有单镜系统组件的可选移动样品架系统自定义选项
TechniStrip® D350
工艺要求：40°C 至 90°C 工艺时间：<30 分钟 设备：浸没、批量喷淋和/或单晶圆 直接水冲洗 槽寿命：>72 小时至数周 流速：3-12/分钟 取决于工艺工具和残留物 批量喷淋中可能需要高流量喷嘴 自动喷淋工具标准工艺应用： 步骤 时间 RPM 工艺源 排水 1 0:05 35 预热室 废液 2 0:15 100 化学回收至排水 T1 废液
半导体：日常生活的战略推动者
然后，这些晶圆被反复涂上薄薄的功能材料层，图案化，蚀刻，以在其上形成晶体管结构。数百个高度发达的工艺步骤被执行并重复。为了完成加工并制造最终产品，需要一系列额外的材料，包括化学品、金属、塑料、特种气体等等。所有这些步骤都是必不可少的，并且需要最高的制造精度。因此，在这种所谓的“前端”制造中，需要进行数百次测试和测量，以确保芯片的功能性。
TSTH 总体叙述-绝对最终版本
1) 执行摘要：由南卫理公会大学 (SMU) 领导的德克萨斯半导体技术中心 (TSTH) 提供了一种新的创新型生态系统发展模式，将在十年内将德克萨斯地区提升为 KTFA#2 半导体领域的全球领导者——半导体是所有现代技术进步中不可或缺的组成部分。TSTH 地区是集成电路的发源地，服务于 29 个县的 8,500,000 名居民。该地区从德克萨斯州中北部延伸到俄克拉荷马州南部，其独特之处在于目前已经存在或计划为整个半导体供应链提供基础设施，包括：1) 制造裸半导体晶圆，2) 使用晶圆制造电子和光电设备，以及 3) 在对经济和国家安全至关重要的行业中使用这些芯片，例如交通运输、人工智能和国防。TSTH 地区的独特之处还在于它靠近半导体制造所需的许多原材料的产地，例如氦气。 TSTH 的核心是一个可扩展的基于 Fablet 的生态系统，由分布式模块化制造设施、实验室和车辆以及数字平台组成，该平台将用于培训当前和未来的劳动力，作为技术创新的原型设计和开发设施，并鼓励下一代学生立志从事半导体事业，从而解决关键差距。 Fablet 的实施（尤其是移动 Fablets）将迅速为所有社区提供半导体培训和创业资源，并将满足行业对受过培训的工人的需求。
基于颜色空间变换模型的晶圆颗粒计算机视觉检测技术
结果表明，由于背景图像噪声比颗粒尺寸更占主导地位，因此无法辨别晶圆上的颗粒。另一方面，所提出的方法可以以最小的串扰检查晶圆表面，并且使用实验定义的 HSV 颜色空间模型，可以按类型分离颗粒。生成的图像在视觉上清晰，没有颗粒和背景之间的串扰。所提出的方法简单、快速且易于使用，并表现出良好的颗粒分类性能。因此，该方法有望用于晶圆缺陷检测步骤，增强晶圆缺陷分类过程。
Somayyeh Rakhshani 物理学和纳米技术......
我的实验论文是关于晶体硅异质结太阳能电池中选择性接触的新材料。我参与了通过透射率和反射率、电导率和活化能测量对薄膜进行材料表征，以及通过 IV 特性和量子效率测量对硅基异质结太阳能电池进行光电表征。我在硅晶片的清洗、洁净室中的湿化学处理和钝化过程中工作，然后沉积不同的薄膜。我证明了使用 NiLiO 作为空穴选择层的 a-SHJ 的可行性。
Somayyeh Rakhshani 物理学和纳米技术......
我的实验论文是关于晶体硅异质结太阳能电池中选择性接触的新材料。我参与了通过透射率和反射率、电导率和活化能测量对薄膜进行材料表征，以及通过 IV 特性和量子效率测量对硅基异质结太阳能电池进行光电表征。我在硅晶片的清洗、洁净室中的湿化学处理和钝化过程中工作，然后沉积不同的薄膜。我证明了使用 NiLiO 作为空穴选择层的 a-SHJ 的可行性。
晶圆级封装的光子脱键合
2 2401 Brewer Driver，Rolla，MO 65401，美国 * 通讯作者的电子邮件：vikram.turkani@novacentrix.com 摘要 临时键合和脱键合 (TB/DB) 工艺已成为晶圆级封装技术中很有前途的解决方案。这些工艺为晶圆减薄和随后的背面处理提供了途径，这对于使用 3D 硅通孔 (TSV) 和扇出晶圆级封装等技术实现异质集成至关重要。这些对于整体设备小型化和提高性能至关重要。在本文中，介绍了一种新颖的光子脱键合 (PDB) 方法和相应的键合材料。PDB 通过克服与传统脱键合方法相关的许多缺点来增强 TB/DB 工艺。PDB 使用来自闪光灯的脉冲宽带光 (200 nm – 1100 nm) 来脱键合临时键合的晶圆对与玻璃作为载体晶圆。这些闪光灯在短时间间隔（~100 µs）内产生高强度光脉冲（高达 45 kW/cm 2 ）以促进脱粘。通过成功将减薄（<70 μm）硅晶圆从玻璃载体上脱粘，证明了 PDB 在 TB/DB 工艺中的可行性。对减薄晶圆和载体的脱粘后清洁进行了评估。通过每个闪光灯提供均匀、大面积照明（75 mm x 150 mm），并且能够串联灯以增加 PDB 工具的照明面积，PDB 方法为晶圆级和面板级封装技术提供了一种高通量、低成本的脱粘解决方案。关键词光子剥离、闪光灯、临时键合和脱粘、临时键合材料、晶圆级封装。