XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemZR
li – mg – zr – cl尖晶石
摘要：基于氯化物的固体电解质是由于其高LI +离子电导率和与高压氧化物阴极的全溶剂锂电池相关的材料而引人入胜的材料。然而，这些材料的主要示例仅限于三价金属（例如SC，Y和IN），这些金属价格昂贵且稀缺。在这里，我们通过用二二元和四价金属（例如Mg 2+和Zr 4+）代替三价金属来扩展这种材料家族。我们合成李2 mg 1/3 zr 1/3 cl 4在尖晶石晶体结构中，并将其性质与先前报道的高性能LI 2 SC 2/3 Cl 4进行比较。我们发现Li 2 mg 1/3 Zr 1/3 cl 4的离子电导率较低（在30°C时为0.028 ms/cm），比同构结构LI 2 SC 2/3 Cl 4（30°C时1.6 ms/cm）。我们将这种差异归因于Mg 2+和Zr 4+在LI 2 mg 1/3 Zr 1/3 Cl 4中的无序排列，这可能会阻止LI+迁移途径。但是，我们表明，Li 2 -Z Mg 1 - 3 Z /2 Zr Z Cl 4之间的Aliovalent取代在Li 2 MgCl 4和Li 2 Zrcl 6之间可以提高离子电导率，而ZR 4+含量的增加，可能是由于引入了Li +空位。这项工作为基于卤化物的固体电解质打开了一个新的维度，从而加快了低成本固态电池的开发。■简介
谷轮 ZP ZPD ZR ZRD
为什么选择谷轮涡旋™？客户选择谷轮涡旋™ 的原因有很多，包括： - 艾默生环境技术公司专利的独特设计。它保证涡旋压缩机具有市场上最低的噪音和最高的效率和耐用性。- 久经考验的业绩记录：全球安装了超过 6000 万台涡旋压缩机。- 全球供应：艾默生环境技术公司在三大洲拥有九家涡旋压缩机工厂，所有工厂均采用符合相同严格质量标准的生产技术。为全球初始安装或现场服务提供的压缩机具有完全相同的高质量设计。- 客户支持：艾默生环境技术公司在欧洲和世界各地设有办事处和批发商网络，为所有客户提供支持，无论他们身在何处。
施加应力对薄ZR的铁电性的影响...
摘要：已经广泛研究了基于HFO 2的铁电材料，用于将其用于铁电FET，这与常规CMOS过程兼容。但是，材料固有的疲劳特性的问题限制了其用于设备应用的潜力。本文系统地研究了拉伸应力和退火温度对ZR掺杂的HFO HFO 2铁电灯面临的耐力和铁电特性的影响。残余极化（P R）显示了退火温度的趋势增加，而在与应激或退火温度的关系方面，强制性电场（E C）的变化并不明显。此外，拉伸应力的应用确实有助于将耐力特性提高到两个数量级的数量级，而耐力特性显示出与退火温度负相关的趋势。总体而言，尽管应力对HZO材料的铁电性的影响并不明显，但它对其耐力的特性具有很大的影响，并且可以优化材料的耐力，而铁电性对温度的依赖性更高。通过压力优化HZO材料的耐力特性可以促进其在未来的集成电路技术中的开发和应用。
超导$ a \ text { - } {{\ rm {re}}} _ 6 6 {\ rm {zr {zr}} $ thin Film
我们报告了在5 nm厚的无定形无代数超导式RE X Zr（X≈6）（A-Rezr）薄纤维中，使用较小的型号的固定温度参数空间的形成，该区域在5 nm厚的无定形超导超导中的形成，使用较低的扫描型隧道隧道型仪表仪（STSSSS）组合。涡流液体的性质与常规液体显着不同。分析作为时间函数捕获的一系列STS图像，我们观察到，固定和干预互动的相互作用会产生非常不均匀的状态，其中一些涡旋保持静态，而另一些涡流则在其中形成旋转网络的旋转网络，而涡流是移动的。随着温度或磁场的升高，该网络变得更加密集，最终涵盖了所有涡流。我们的结果提供了对固定涡流液体的性质以及超薄超导薄膜运输特性中的某些特殊性的关键见解。
水含量对 Zr-卟啉基 MOF 中形态和相形成的影响
金属有机骨架 (MOF) 的形成依赖于无机节点和有机连接体通过配位自组装形成周期性配位网络。[1] 无机和有机结构单元的多样性使得 MOF 拓扑结构更加多样化，可以满足催化、药物输送或气体分离等特定材料的要求。[2] 通常，相同的节点和连接体可以由不同的试剂（例如金属盐）形成，并形成具有不同连通性、拓扑结构甚至组成的各种产品。[3] 因此，典型的 MOF 合成可以产生两个或多个相，有时甚至在同一反应混合物中也可以产生两个或多个相。[3b] 在某些情况下，混合相可以出现在同一个粒子中，甚至在同一晶体内，作为共生或纳米级不均匀性，说明了骨架结晶过程和结构的复杂性。[3b] 这种现象在 Zr 基 MOF 中尤为普遍。例如，基于芘的 NU-1000 可以在晶体中心包含多晶型物 NU-901 的结构图案。[4] 尽管 NU-1000 和 NU-901 都由八个相连的 Zr 簇组成，但 NU-901 具有四方孔，其孔体积低于 NU-1000 中的六方孔。[4] 另一方面，UiO-66 经证实通常包含有序缺失簇相 reo UiO-66 的区域，其中四分之一的 Zr-氧簇缺失。[5] 在这两种情况下，这些特性都对孔径产生决定性影响，从而影响材料性能。[3a] 许多合成方案还需要在形成框架之前由前体物种形成无机节点本身，这使情况变得更加复杂。例如，在由 Zr 6 O 4 (OH) 4 团簇构建的 Zr 基 MOF 的合成中，预计六核 Zr-oxo 节点会从 ZrCl 4 或 ZrOCl 2 ·8H 2 O 前体中形成。[6] 最近的研究开始更具体地描述 pH 值、前体来源和浓度以及溶剂类型等合成参数对溶液中形成的簇结构的影响。[7]
多孔结构增强了无铅 - 无铅（BA0.85CA0.15）（ZR0.1TI0.9）的纵向压电系数和机电耦合系数O3
将孔隙度引入铁电陶瓷可以降低有效的介电常数，从而增强直接压电效应产生的开路电压和电能。然而，纵向压电系数的减小（D 33）随着孔隙率的增加，目前限制了可以使用的孔隙率范围。通过将排列的层状孔引入（Ba 0.85 Ca 0.15）（Zr 0.1 Ti 0.9）O 3中，本文在D 33中表现出与其密集的对应物相比，D 33中的22–41％增强。这种独特的高D 33和低介电常数的独特组合导致了明显改善的电压系数（G 33），功能收获（FOM 33）和机电耦合系数（k 2 33）。证明改进特性的基本机制被证明是多孔层状结构内的低缺陷浓度和高内极化场之间的协同作用。这项工作为与传感器，能量收割机和执行器相关的应用的多孔铁电剂设计提供了见解。
外延PB（Zr，Ti）O3薄膜的组成修饰，用于高性能压电收割机
在这项研究中，由RF磁铁溅射以不同的ZR/[ZR + Ti]比率而沉积的压电能量收割机（PEHS）是基于外部PB（ZR，Ti）O 3（PZT）薄膜制造的。对于与微电力系统的兼容性，外部PZT薄膜被沉积在SI底物（PZT/SI）上。形态相边界（MPB）的组成范围为0.44≤zr/[Zr + Ti]≤0.51的外观PZT/Si的0.51，其比散装PZT的宽度要广泛得多。同时，使用Unimorph Cansilever方法，通过直接和逆向压电效应评估有效的横向压电系数（| E 31，F |）值。在组成中，Zr/[Zr + Ti]的菱形统治MPB（MPB-R）= 0.51表现出直接| E 31，f |在这项研究中，10.1 C m -2和相对介电常数（𝝐 r）为285，最大程度的功绩为40 GPA。另一方面，最大匡威| E 31，f |从Zr/[Zr + Ti]的四方优势MPB（MPB-T）测量14.0 C m-2的2。在共振频率下，MPB-T在加速度为3 m-1 s-2的加速度下，高输出功率密度为301.5μW-1 /（cm 2 g 2），这对于高表现PEH应用非常有前途。
在HF 0中的铁电和电阻开关之间自由切换。 5 ZR 0。 5 o 2薄膜及其在片上的高精度上应用深度神经
摘要HF 0。5 ZR 0。 5 O 2（Hzo）基于基于铁的铁电场晶体管（FEFET）Synapse是符合处尺度深神经网络（DNN）应用的承诺候选者，因为其高对称性，准确的准确性，良好的准确性和快速运行速度。 然而，随着时间的流逝，由去极化场引起的remanent极化（P R）的降解尚未有效地解决，从而极大地影响了受过训练的DNN的准确性。 在这项研究中，我们证明了使用FE模式进行高速重量训练的铁电（Fe）抗性切换（RS）可切换突触，并进行稳定的重量存储的RS模式，以克服准确性降解。 FE-RS杂交特性是通过具有非对称电极的基于HZO的金属 - 有线金属（MFM）电容器来实现的，最佳的Fe耐力以及最可靠的RS行为可以通过测试多种电极材料来证明。 在FE和RS模式下都可以实现高内存窗口。 通过这种设计，通过网络仿真验证，随着时间的流逝，保持出色的精度。5 ZR 0。5 O 2（Hzo）基于基于铁的铁电场晶体管（FEFET）Synapse是符合处尺度深神经网络（DNN）应用的承诺候选者，因为其高对称性，准确的准确性，良好的准确性和快速运行速度。然而，随着时间的流逝，由去极化场引起的remanent极化（P R）的降解尚未有效地解决，从而极大地影响了受过训练的DNN的准确性。在这项研究中，我们证明了使用FE模式进行高速重量训练的铁电（Fe）抗性切换（RS）可切换突触，并进行稳定的重量存储的RS模式，以克服准确性降解。FE-RS杂交特性是通过具有非对称电极的基于HZO的金属 - 有线金属（MFM）电容器来实现的，最佳的Fe耐力以及最可靠的RS行为可以通过测试多种电极材料来证明。在FE和RS模式下都可以实现高内存窗口。通过这种设计，通过网络仿真验证，随着时间的流逝，保持出色的精度。
Hu等人：通过在铁电HF上插入Al 2 O 3 Interlayer的SI Channel FeFet内存窗口的扩大0.5 Zr 0.5 Zr 0.5 O 2 1 1
afnia（HFO 2）基于硅河道铁电场效应晶体管（HFO 2 Si-fefet）已对非挥发性记忆进行了广泛的研究[1-7]，这要归功于掺杂的hfo 2 [8]中发现铁电性的。HFO 2 Si-fefet的存储窗口（MW）大约是文献报告中的1-2 V [9-12]，该窗口不满足其对在多位数存储单元中应用的要求。最近，通过优化铁电层和栅极侧层间层[13]，在SI-FEFET中报告了最高10.5 V的大型MW [13]。但是，它没有给出层中层的材料。及其物理机制仍未报告和澄清。为了改善MW，通常有两种方法。当前方法之一主要集中于减少掺杂的HFO HFO 2铁电和Si通道之间的底部SIO X互层中的电场，从而抑制了在掺杂的HFO 2 /SIO X界面处的电荷捕获[14-17]。另一种方法侧重于改进SIO X数量。但是，仍然缺乏改善Si FeFet MW的有效方法。
b'功能陶瓷对于电池的可扩展生产固体电解质至关重要。 Li-Garnet Li 7 La 3 Zr 2 O 12 D（LLZO），尤其是其立方相（Cllzo），由于其较高的Li + conductitivity和广泛的电化学稳定性窗口引起了人们的注意。但是，高烧结温度引起了对阴极界面稳定性，生产成本和可扩展制造能源消耗的担忧。我们显示了一种替代性\ xe2 \ x80 \ x9csinter-free \ xe2 \ x80 \ x9d路线，以使Cllzo稳定为薄膜的一半，以稳定其烧结温度。具体而言，我们建立了一个时间温度的转换（TTT）图，该图捕获了基于结晶焓分析的无定形至晶体llzo转换，并确认薄膜cllzo的稳定在500 \ xc2 \ xc2 \ xb0的低频中，可以通过diacutation cove be fingation cove be fingation findings tage tage tavivan finge cove fivan tivation fivation。用于电池电池设计，以减少制造的碳足迹。
b'功能陶瓷对于电池的可扩展生产固体电解质至关重要。li-garnet li 7 la 3 Zr 2 O 12 D（LLZO），尤其是其立方相（Cllzo），由于其高LI + conductitivity和广泛的电化学稳定性窗口而引起了人们的注意。但是，高烧结温度引起了对阴极界面稳定性，生产成本和可扩展制造能源消耗的担忧。我们显示了一种替代\ Xe2 \ x80 \ x9csinter-free \ xe2 \ x80 \ x9d途径，以稳定Cllzo作为其烧结温度的一半胶片。具体而言，我们建立了一个时间温度的翻译（TTT）图，该图可捕获基于结晶焓分析的非晶态 - 结晶的LLZO转换，并确认在500 \ xc2 \ xc2 \ xb0的低温下进行薄膜薄膜的稳定稳定。可用于针对生产中碳足迹减少的电池电池设计。