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定量评估依赖性含量密度 -
随着电子设备和组件的变化比以往任何时候，杂项外延半导体的尺寸越来越小（Moore，1965）。对于小型设备，异性外延结构中的位错和晶格不匹配等缺陷对设备的整体性能显着影响。尤其是主要缺陷，位错在外延层的生长和特性中起主要作用（Wagner，1998）。因此，量化错位分布并评估外延层中的脱位密度很重要。详细的位错密度数据，其中外延层的生长将为异核外延结构提供脱位效应。始终寻求许多杂种外延半导体，以提高设备的性能和高产量的产量。根据这种需求，量错密度的量化对于未来半导体的发展至关重要。
对III-V太阳能电池外延升降的审查
外延提升（ELO）作为制造III-V设备的一步，可通过非破坏性去除生长基板进行大量的成本降低，随后可以重复使用。特别是在太阳能细胞生产中，ELO促进了超过基于底物细胞性能的薄膜构型的创建。此过程涉及牺牲层的选择性侧面蚀刻，通常是高铝含量藻类层，含水氟酸（HF）。在反应中，形成了各种铝氟化物化合物，砷气体，氟离子和水。然而，由于几何限制和导致固体材料沉积物（包括铝离子，氢气和固体砷）导致的几何限制和侧反应，出现了挑战。本评论概述了所有主要方面，涉及外延升降的理论理解和实际应用。对在各种实验条件下影响牺牲层蚀刻速率的过程参数的各种研究进行了分析。这包括诸如释放层的铝制部分，厚度和掺杂浓度以及实验条件（例如HF浓度和温度）之类的因素。还解决了压力和压力对ELO过程的影响，以及全面研究的挑战。这项工作以底物再利用以及ELO的挑战和机会的评论，例如薄膜脆弱性，替代释放层和多释放ELO。
P2.2：MBE的Lacoo3薄膜的外延生长。P2.2：MBE的Lacoo3薄膜的外延生长。
Giorgos Boras, Haotian Zeng, Raghavendra Juluri, Stephen Church, Huiwen Deng, Hui Jia, Anton Velychko, Chong Chen, Ziyue Yin, Mingchu Tang, David Mowbray, Patrick Parkinson, Ana M. Sanchez, Huiyun Liu Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, WC1 E7J，英国物理系，沃里克大学，考文垂CV4 7AL，英国物理与天文学系和曼彻斯特大学光子科学研究所，M13 9PL，英国物理与天文学系，谢菲尔德大学，英国S3 7RH，英国S3 7rh，英国王国
Finerenone在2型糖尿病患者，慢性肾脏疾病和肝脏脂肪变性和纤维化标记的患者中的功效：富达亚组分析
1 Copenhagen Center for Arthritis Research (COPECARE), Center for Rheumatology and Spine Diseases, Center for Head and Orthopaedics, Rigshospitalet, Glostrup, Denmark 2 DANBIO Registry, Center for Rheumatology and Spine Diseases, Center for Head and Orthopaedics, Rigshospitalet, Glostrup, Denmark 3 Department of Clinical Sciences Lund,瑞典隆德大学斯科恩大学医院风湿病学4临床流行病学科，医学系索尔纳，卡罗林斯卡研究所，瑞典斯德哥尔摩，斯德哥尔摩，5 5号风湿病学研究院，风湿病学研究所和风湿病学系，1 st carlles of Medicine of Medicine of Charles novely of Charles novely of Charles of Charles of Charles of Charles of czech Crufence 6以及西班牙马德里马德里大学合并的医学学院。里斯本，葡萄牙里斯本：Reuma.PT注册表15医学和风湿病学部，赫尔辛基大学医院，赫尔辛基，芬兰赫尔辛基，芬兰16号炎症中心，风湿病学系，赫尔辛基大学医院，赫尔辛基，芬兰，芬兰赫尔辛基17号，苏里奇大学苏黎世苏里奇大学，苏里奇大学苏黎世大学医院。瑞士日内瓦，19 Izmir Katip Celebi大学，医学院，内科学系，丹麦哥本哈根大学哥本哈根大学，丹麦哥本哈根哥本哈根哥本哈根市伊兹米尔风湿病学系，哥本哈根哥本哈根，7，西班牙La Laguna的大学皮肤病学和精神病学系，卢布纳斯大学，卢布尔雅那大学医学中心，卢布尔雅那大学医学中心，卢布尔雅那大学，卢布尔雅那大学，卢布尔雅那9号，卢布尔杰纳大学（ICB），冰岛大学，冰岛雷克雅维克大学医学，冰岛大学医院11号风湿病学系，冰岛雷克雅未克11葡萄牙里斯本学校的学校； REMA.PT注册表14贝克斯科·沃格医院中心的风湿病学系，阿维罗和综合卫生研究中心，新星新大学新科学院。7，西班牙La Laguna的大学皮肤病学和精神病学系，卢布纳斯大学，卢布尔雅那大学医学中心，卢布尔雅那大学医学中心，卢布尔雅那大学，卢布尔雅那大学，卢布尔雅那9号，卢布尔杰纳大学（ICB），冰岛大学，冰岛雷克雅维克大学医学，冰岛大学医院11号风湿病学系，冰岛雷克雅未克11葡萄牙里斯本学校的学校； REMA.PT注册表14贝克斯科·沃格医院中心的风湿病学系，阿维罗和综合卫生研究中心，新星新大学新科学院。
硅纳米片在4H-SIC（0001）底物上略有缺陷的外延石墨烯中插入
图4 A：RT 1 mL Si蒸发后，EpiGr/Bl/4H-SIC（0001）表面的STM（6.5 nm x 6.5 nm）图像。值得注意的是，位于（6x6）bl bump的一个（6x6）BL凸起之一中的Si原子插入引起的额外质量。其表观高度由D中报告的线轮廓（绿线）证明（请参阅红色箭头）。偏置电压0.1 V，反馈电流0.36 Na。图像上显示了比例尺。b：RT 1 ml Si蒸发后的EpiGr/Bl/4H-SIC（0001）表面的STM（12 nm x 12 nm）图像，显示了两个不同尺寸的纳米结构。偏置电压0.17 V，反馈电流0.5 Na。c：在b中成像的区域的2d-fft。虽然微弱，但请注意石墨烯蜂窝晶格的典型六边形模式以及6个斑点的伸长表明存在几个石墨烯晶格参数，这可能是由于Epi-Gr遭受的菌株而导致的菌株。e：较小的纳米结构的变焦在B中的方形白框中，显示了石墨烯网络和红色箭头指示的错位的存在。f。该区域的2d-fft在E中的缩小，显示了石墨烯蜂窝网络典型的六边形模式。在A和B中的STM图像上扫描的所有区域都可以看到石墨烯网络。在SM2C中的线轮廓中报告了该纳米结构的明显高度。
同轴线激光增材制造工艺参数和头部方向对焊珠几何形状的影响
摘要。在金属材料的定向能量沉积 (DED) 工艺中，线激光增材制造 (WLAM) 的特点是使用激光束熔化金属线并产生焊珠。重叠焊珠的连续沉积产生体积以获得零件。因此，控制焊珠的几何形状对于增材制造工艺至关重要。一些研究工作已经研究了这些几何形状以及主要制造参数对其尺寸的影响，但很少有研究进料方向或线角度的影响。此外，所有关于线角度的研究都是在横向进料和恒定激光方向下进行的。本文重点研究了同轴线进料的沉积头方向对焊珠几何形状的影响，其中有 3 束激光。以相对于水平基板的不同方向进行实验，并使用光学仪器测量外部轮廓，以提取平均轮廓和特征尺寸。结果表明，头部绕其轴线旋转和横向倾斜会影响焊珠的高度、宽度和不对称性。
通过硫糖导向的 Pd 催化不对称 C–H 活化合成轴手性双芳基硫糖苷
尽管联芳骨架在天然化合物和药用化合物 1 中非常普遍，但包含糖部分的结构仍然很少。作为天然存在的物质，一些糖功能化的联芳分子（图 1）已从海棠 2 、火棘（ 1 ） 3 繁缕（ 2 ） 4 和珍珠菜 5 中分离出来，这些植物的茎、树皮、果实和根一直被用于传统中药。化合物 3a,b 存在于云芝 6 和厚朴 7 中，而它们的合成同源物 3c 则被证明 8 是一种很有前途的分子，可用于开发一类新型抗抑郁药物。鞣花单宁是天然多酚，属于可水解单宁类，具有一个或多个六羟基联芳单元，围绕着一个中心葡萄糖核心。 9 其中，1951 年从马豆中分离出来的 corilagin 4 表现出了较强的抗肿瘤活性。10 1995 年，11 对一系列 ( -D-甘露吡喃糖基)联苯底物 5 抑制 E-、P- 和 L- 选择素-IgG 融合蛋白与 HL60 细胞表面表达的 sLex 结合的能力进行了测定。糖功能化联芳分子生物活性的多样性使得它们的硫代类似物成为设计新型生物活性联苯糖苷的主要候选物。事实上，硫糖可以用作糖模拟物，对化学和酶降解都更加稳定。在此背景下，我们最近报道了两种通过
电荷密度波由双轴拉伸应力调节
原子的精确排列和性质驱动凝结物质中的电子相变。为了探索这种微弱的联系，我们开发了一种在低温温度下工作的真正双轴机械变形装置，与X射线衍射和运输测量值兼容，非常适合分层样品。在这里我们表明，TBTE 3的轻微变形对其电荷密度波（CDW）具有显着影响，并具有从C到A / C参数驱动的方向转变，A = C附近的微小的同存区域，并且没有空间组的变化。CDW过渡温度t c在a = c 1 r的线性依赖性中，而间隙从共存区域中饱和。这种行为在紧密结合的模型中得到很好的解释。我们的结果质疑RTE 3系统中的间隙和T C之间的关系。此方法为研究中共存或竞争的电子订单的研究开辟了新的途径。
III-V 族半导体与硅外延杂化过程中的晶相控制
III-V 半导体与硅外延杂化过程中的晶体相控制 Marta Rio Calvo、Jean-Baptiste Rodriguez *、Charles Cornet、Laurent Cerutti、Michel Ramonda、Achim Trampert、Gilles Patriarche 和 Éric Tournié * Dr. M. Rio Calvo、Dr. J.-B.罗德里格斯、 L. Cerutti 博士、 Pr. É. Tournié IES，蒙彼利埃大学，法国国家科学研究院，F- 34000 蒙彼利埃，法国 电子邮箱：jean-baptiste.rodriguez@umontpellier.fr , eric.tournie@umontpellier.fr Pr. C. Cornet 雷恩大学，雷恩国立应用科学学院，法国国家科学研究院，FOTON 研究所 – UMR 6082，F-35000 雷恩，法国 Dr. M. Ramonda CTM，蒙彼利埃大学，F- 34000 蒙彼利埃，法国 Dr. A. Trampert Paul-Drude-Institut für Festocorporelektronik，Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin eV，Hausvogteiplatz 5-7，10117，柏林，德国 Dr. G. Patriarche 巴黎-萨克雷大学，法国国家科学研究院，纳米科学与技术中心纳米技术，91120，帕莱索，法国 关键词：外延生长，反相域，单片集成，III-V 半导体，硅衬底
如何通过近距性效应通过互距
摘要。石墨烯具有探索奇异的超导性的承诺。使石墨烯在大尺度上成为超导体是一个持久的挑战。可能使用超导底物依靠外延生长的石墨烯。这样的基材很少，通常会破坏电子带结构的狄拉克特征。Using electron diffraction (reflection high-energy, and low-energy), scanning tunneling microscopy and spectroscopy, atomic force microscopy, angle-resolved photoemission spectroscopy, Raman spectroscopy, and density functional theory calculations, we introduce a strategy to induce superconductivity in epitaxial graphene via a remote proximity effect, from rhenium底物通过插入的金层。弱的石墨烯-AU相互作用与强烈不希望的石墨烯 - RE相互作用形成鲜明对比，通过减少的石墨烯波纹，石墨烯和基础金属之间的距离增加，线性电子分散体和特征性振动签名，这证明了后者的两种特征，也揭示了略微的plate特征。我们还揭示了接近性超导性的插入方法的主要缺点是在石墨烯中产生高点缺陷密度（10 14 cm -2）。最后，我们在低温下展示了石墨烯/AU/RE（0001）中远程接近性超导性。