短期战略:2020 - 2021 • 为现有或新的儿童保育项目提供启动小额补助,以创造新的名额,特别是在农村地区。 • 为接受 CCSP 的婴儿看护者提供每周 100 美元的津贴,以认识到提供婴儿保育的高成本。 • 提高婴幼儿质量评级和改进系统 (QRIS) 中儿童保育项目的质量标准。 • 提供奖学金,帮助低收入和中等收入的学生获得幼儿教育副学士和学士学位。 • 为儿童保育项目提供小额补助,以提高质量和 QRIS 评级。 • 扩大专业学习机会,支持早期护理和教育 (ECE) 环境中的包容性和创伤知情实践。 • 为早期儿童综合数据系统 (ECIDS) 构建基础设施。
路线查找是一个常见问题,适用于许多抽象问题,例如帮助游戏中的虚拟角色决定下一步去哪里。这也是我们自己可以欣赏的问题:如何通过迷宫般的街道(嘿,它们可以表示为图表!)从维多利亚车站找到通往贝克街 221b 号的路。和无数可能的路线。与以往一样,有许多路线查找算法。其中一种从原点开始,并形成一个我们可以到达目的地的网络,同时从目的地开始,并形成一个我们可以回到原点的网络。这两个网络中第一个相撞的部分是最短路线。这大致就是您的卫星导航所做的。[ 我们的卫星导航系统似乎也有一种邪恶的幽默感,可能是某个心情不好的程序员放在那里的。 ]
• 为提高性能,晶圆工艺技术的快速发展推动了 HKMG 和 FinFET 等可靠性极限。 • 晶圆上新材料的加速引入:铜、超低 k ILD、气隙、氮化氧化物、高 K 栅极电介质和新互连 • 先进的封装和凸块技术:fcBGA、fcCSP、WLCSP、无铅凸块、铜柱、铜线、微凸块、多层 RDL、TSV/Interposer、3D/2.5D、FanOut WLP 封装和 SiP • 新封装材料:增材制造基板、超低损耗电介质、底部填充材料、塑封材料、基板表面处理、无铅和铜凸块等 • 多级应力相互作用使可靠性失效机制变得复杂 • 日益严格的客户要求和应用 • 快速上市需要可靠性设计以减少认证/批量生产时间
简介 直接键合是一种在室温下自发的电介质-电介质键合,通过低温批量退火工艺(200°C – 300°C)实现金属-金属连接(此处为 Cu-Cu 键合)。因此,直接键合工艺对于异质集成具有吸引力,并且与使用焊料的微凸块键合相比具有多种优势 [1, 2]。此外,对于这种无金属帽键合工艺,互连密度和互连缩放限制较少。该技术可以消除电气短路的风险,因为键合过程中不会有焊料从微凸块中挤出,这对于细间距应用至关重要。通过混合键合成功开发晶圆-晶圆键合,导致该技术迅速引入大批量制造 [3]。混合键合互连在 Cu/Cu 界面处表现出出色的可靠性和稳定的微观结构,这已在最近的研究中发表。[4, 5, 6]
摘要 — 碳纳米材料、石墨烯和碳纳米管 (CNT) 已成为未来先进封装技术集成的有前途的材料。碳纳米材料的主要优点包括出色的电性能、热性能和机械性能。在本文中,成功实现了顶部石墨烯层到原生 CNT 束的转移过程,界面处直接实现石墨烯与 CNT 接触。四点探针 (4PP) I – V 特性表明石墨烯和 CNT 之间实现了欧姆接触。在 90 000 μ m 2 CNT 面积(包括 CNT-石墨烯接触电阻)中获得了 2.1 的低 CNT 凸块电阻,表明在相同的制造和测量条件下 CNT 和 Au 之间的接触电阻降低。这项工作展示了顶部转移石墨烯在碳纳米管上的组装过程以及碳纳米管-石墨烯直接接触的电学特性的初步结果,为实现全碳基三维(3-D)互连铺平了道路。
2.2。方法论和实验结果,在每个脉冲之间,将重复的短路测试应用于DUT。测试条件为V ds = 600 V,V缓冲区= -5V/+18V和t情况=室温。已经进行了先前的研究[1,3],以估计平均T SCWT(短路承受时间),约5 µs。找到了这段时间,设置了脉冲宽度的70%T SCWT(3.5 µs)的百分比。因此,防止热失控,然后防止了灾难性的排水量故障模式。SC中的所有测试设备仅显示栅极源降解。图2,第一个短电路事件(#Cycle1,蓝线)和最后一个(#Cycle400,红线)中的波形显示。在栅极电流(I G)上观察到的异常效应(电流凸起)可能是由于PCB(印刷板电路)寄生元件引起的电磁干扰以及相关的共同模式电流。
摘要 — 为满足对小型天线、更高性能和更低成本的需求,大多数下一代架构都要求更高的集成电路 (IC) 芯片集成度。与传统封装配置相比,2.5D 和 3D 等先进芯片封装技术提供了更高的芯片兼容性和更低的功耗。鉴于这些优势,采用先进封装是不可避免的。在先进封装中,铜柱互连是一项关键的支持技术,也是下一个合乎逻辑的步骤。该技术提供了多种优势,包括提高抗电迁移能力、提高电导率和热导率、简化凸块下金属化 (UBM) 和提高输入/输出 (I/O) 密度。铜柱允许的细间距有助于该技术取代焊料凸块技术,后者的最小间距约为 40 微米。更细的间距允许更高的 I/O 数量,从而提高性能。在本研究中,成功展示了在高密度中介层上超薄单片微波集成电路 (MMIC) 氮化镓 (GaN) 细间距铜柱倒装芯片组件的组装。使用 150 毫米间距铜柱倒装芯片,评估了有机印刷电路板 (PCB) 和硅中介层的组装工艺,并评估了化学镀镍浸金 (ENIG) 和共晶锡铅焊盘表面处理。对于 2D/2.5D/3D 组装工艺开发,使用了标准的内部拾取和放置工具,然后进行大规模焊料回流,最后进行底部填充以进行可靠性测试。互连稳健性由芯片拉力强度、助焊剂冲压调查和横截面决定。完成了 GaN 铜柱倒装芯片 2D 组装的完整可靠性和鉴定测试数据,包括 700 次温度循环和无偏高加速温度/湿度应力测试 (UHAST)。将铜柱技术添加到 GaN MMIC 芯片中,将 GaN Cu 柱技术集成到 2.5D/3D 封装技术中,并在中介层级评估 GaN Cu 柱互连可靠性都是这项工作的独特之处。
本发明涉及一种轮椅导航系统,其特征在于:眼动追踪装置,用于检索用户的眼动数据;触摸输入装置,用于接收来自用户的触摸命令;语音输入装置,用于接收来自用户的语音命令;以及微处理器,用于处理眼动数据或触摸命令或语音命令,从而确定轮椅的移动方向并触发轮椅移动,其中眼动追踪装置包括光学网络摄像头;触摸输入装置包括智能手机;语音输入装置包括麦克风或手机耳机;从用户接收的眼动数据或触摸命令或语音命令被处理并通过无线连接传输到微处理器;一个或多个传感器附接到轮椅以防止轮椅与障碍物相撞;并且传感器包括超声波传感器和碰撞传感器。
摘要:单分子磁铁{Mn 84}是对理论的挑战,因为它的核性很高。我们使用无参数理论直接计算两个实验可访问的可观察到的可观察到的可观察到的磁化值,最高为75 t和温度依赖的热容量。特别是,我们使用第一个原理计算来得出短期和远程交换相互作用,并计算所有84 MN S = 2旋转的所得经典Potts和Ising Spin模型的确切分区函数,以获得可观察的物品。通过使用绩效张量张量网络收缩来实现后一种计算,这是一种用于模拟量子至上电路的技术。我们还合成了磁铁并测量其热容量和磁化,观察理论与实验之间的定性一致性,并确定热容量中异常的颠簸和磁化强度的高原。我们的工作还确定了大磁铁中当前理论建模的某些局限性,例如对小型,远程交换耦合的敏感性。
• 因头部或身体受到撞击、打击或震动而引起 • 可能改变大脑的正常工作方式 • 可能发生在任何运动或娱乐活动的练习或比赛中 • 即使您没有被击倒也可能发生 • 即使您只是被“撞”或“被打”也可能很严重 所有脑震荡都是严重的。脑震荡会影响您完成学业和其他活动的能力(例如玩视频游戏、使用电脑、学习、驾驶或锻炼)。大多数脑震荡患者都会好转,但重要的是让您的大脑有时间恢复。脑震荡的症状是什么?您看不到脑震荡,但您可能会在受伤后不久、几天后甚至几周后注意到下面列出的一种或多种症状,或者您“感觉不对劲”。
