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基于光伏电池和超级电容器的直流微电网电源管理
太阳能发电是将阳光转化为电能的简单概念。自然界的能量来源之一是阳光。太阳能资源已被广泛用于通过太阳能电池为通信卫星供电。这些太阳能电池没有旋转部件，也不需要燃料，它们可以产生无限量的电能，这些电能直接来自太阳。因此，太阳能系统经常被认为是纯净且对环境有益的。与主电网不相连的太阳能系统称为独立系统。因此，考虑到昼夜循环，夜间太阳辐射为 0 W / m2，拥有备用电源至关重要。备用电源通常在电网系统中联网，但在离网系统中，备用电源必须是储能系统，例如电池、水泵储能、储热或超级电容器。由于这些独立系统的电压和电流不足以满足许多用途，因此太阳能模块通常通过串联许多太阳能电池来创建。在 MATLAB/SIMULINK 环境中使用超级电容器和 PV 电池设计和仿真直流微电网电源管理系统。在电池向负载供电的启动过程中，超级电容器用于弥补任何功率不足。还考虑了电池充电和放电电流的限制。仿真结果证明了所建议的电源管理方法的有效性。在所有模拟情况下，电池和超级电容器的充电状态都保持在允许范围内，并且电源和负载之间的功率流保持平衡。在电源管理策略获得最佳调整结果后，PV 和 PID 中的最大功率点 (MPP) 的扰动和观察 (P&O) 算法根据负载要求在负载处调整最佳结果。从仿真结果可以看出，该系统具有更好的结果，因为它在 1000 W/m2 期间补偿了多余的负载功率，并将电池输入增加了 162.261 W，即 69.836%。由于超级电容器作为二次储能的作用，因此影响不大。
基于负电压自举电容器的具有改进线性度的自举开关
摘要 本文提出了一种用于改善采样线性度的新型自举开关。该技术通过引入负电压自举电容来降低关键信号节点的寄生电容，从而提高其线性度。采用0.18 µ m互补金属氧化物半导体技术对所提电路进行仿真，其寄生电容比传统结构大约降低30%。在轨到轨输入情况下，在50 MHz采样率下，采用1.2 V电源供电时，所提开关实现了83.3 dB的信噪比 (SNDR) 和82.3 dB的无杂散动态范围 (SFDR)。与传统自举开关相比，所提自举开关的SFDR和SNDR分别提高了11.7和12.7 dB。关键词：自举开关、线性、低电压 分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、射频、传感器）
电池类型行为保留 Ni(OH)2–rGO 复合材料用于超高比容量非对称电化学电容器电极
摘要：纳米尺寸的电池型材料应用于电化学电容器中，可以有效减少电导率低、体积变化大带来的一系列问题，但这种方式会导致充放电过程以电容行为为主，造成材料的比容量严重下降。通过控制材料颗粒为合适的尺寸以及合适的纳米片层数，可以保留电池型行为而维持较大的容量。本文在还原氧化石墨烯表面生长典型电池型材料Ni(OH)2，制备复合电极，通过控制镍源的用量，制备出合适Ni(OH)2纳米片尺寸和合适层数的复合材料，在保留电池型行为的情况下获得了高容量的电极材料，制备的电极在2 A g −1 时比容量为397.22 mA hg −1。当电流密度增加到20 A g − 1 后，保持率高达84%。制备的非对称电化学电容器在功率密度为1319.86 W kg − 1 时的能量密度为30.91 W h kg − 1，20 000次循环后保持率可达79%。我们主张通过增加纳米片的尺寸和层数来保留电极材料电池型行为的优化策略，这可以显著提高能量密度，同时结合电化学电容器的高倍率性能的优势。■ 介绍
130 nm CMOS 中带有衰减电容器的 6 fJ/转换步长 200 kSps 异步 SAR ADC
在能量受限的应用中，例如无线传感器节点、植入式医疗设备或便携式娱乐设备，为了延长系统电池寿命，必须采用超低功耗电路。具有中等采样率（0.01-1 Msps）和分辨率（8-10 位）的 ADC 是此类设备的关键组件。在不同的转换器架构中，SAR ADC 是最佳选择，因为它在功率效率、转换精度和设计复杂性之间实现了良好的平衡。在这种转换器中，主要的功耗源是数字控制电路和电容式 DAC 阵列。虽然数字功耗受益于技术进步，但电容阵列导致的功耗受到电容不匹配的限制，这几乎与技术无关。为此，已提出了大量 DAC 拓扑和开关算法，以在不影响精度的情况下降低 DAC 功耗。最新趋势是依靠传统二进制加权 (CBW) 阵列的高线性特性，采用亚 fF 范围内的全定制单位电容 [ 1 – 3 ]。事实上，通用设计套件提供的电容最小值远大于满足线性要求所需的值，导致阵列电容相当大，从而导致开关功率很高。这种方法需要额外努力来设计和建模单位电容或误差校正技术，从而增加了面积和电路复杂性。
安全通量电容器：从过去和现在中学习决定你的未来！
• 随着时间的推移 • 70 年代 – 一些活动，但主要是遵守 OSHA 的创作 • 80 年代 – James Reason 的瑞士奶酪模型 • 90 年代 – BBS 观察计划（STOP、BST、安全绩效系统、SafeTrack 等）• 90 年代末 – Larry Wilson 与 SafeStart（意识和技能）和 Scott Geller（以人为本的安全/积极关怀） • 2000 年代 – 2020 年代 – Dekker/Reasons（公正文化）、Hollnagel（安全 2）和 Conklin/其他人（HOP）
有限披露 使用新型硅缓冲电容器技术改进高压电源模块
• MIS SiCap 电容器的电容稳定性是除 ESL/ESR 之外的一个关键参数。由于矿物介电材料的性质和高品质，无需考虑会降低电容有效值的降额
过渡金属硫属化物基阳极在钾离子混合电容器中的研究进展：综述
混合离子电容器 (HIC) 是一种快速发展的技术，它结合了电池和 SC 的最佳特性，可在长时间内以高速率产生巨大的能量密度。根据之前的研究，这些 HIC 可以提供 60 到 200 W h kg 1 之间的能量（考虑到活性材料的质量），优于传统的 SC，它们的主要强度在 200 到 20 000 W kg 1 之间，大大高于电池。20,21 与锂（0.0017%）相比，钠（Na，2.6%）和钾（K，2.1%）在地壳中储量丰富，使它们成为促进电池发展的有希望的替代品。22,23 此外，K 和 Na 都属于元素周期表中锂之后的同一组，表现出相似的物理化学性质。因此，对 Na + /K + 存储技术的研究正在获得发展势头，为成功的可再生能源存储系统商业化铺平了道路。 24 K + 存储装置之所以受到关注，是因为它们的工作电压比 Na 离子存储装置高，电解质中的离子电导率也更出色。例如，K/K + 氧化还原对的电位为 2.93 V（相对于标准氢电极 (SHE)），低于 Na/Na +
CA-IF43232E 3V至5.5V两通道RS-232收发器，±15KV
NAME PIN NUMBER TYPE DESCRIPTION C1+ 1 Input/Output Positive lead of C1 capacitor V+ 2 Output Positive charge pump output for storage capacitor only C1- 3 Input/Output Negative lead of C1 capacitor C2+ 4 Input/Output Positive lead of C2 capacitor C2- 5 Input/Output Negative lead of C2 capacitor V- 6 Output Negative charge pump output for storage capacitor only DOUT2 7 Output Second RS-232 line data output, cable side RIN2 8 Input Second RS-232 line data input, cable side ROUT2 9 Output Second logic data output, logical side DIN2 10 Input Second logic data input, logical side DIN1 11 Input First logic data input, logical side ROUT1 12 Output First logic data output, logical side RIN1 13 Input First RS-232 line data input, cable side DOUT1 14 Output First RS-232 line data output, cable side GND 15 Ground Ground VCC 16电源电压
摘要 本文提出了一种基于开关电容的CMOS带隙基准源，采用温度补偿的方法，实现了较好的温度稳定性。
本文提出了一种基于开关电容的CMOS带隙基准源。利用开关电容，可以将两个一阶补偿基准电压组合起来，从而实现具有较低温度系数的新型基准电压。所提出的设计电路采用0.18μm CMOS工艺实现。在-40℃至120℃范围内，1.8V电源电压下基准输出电压的TC为14.5ppm/℃。所提出的基准电压为0.235V，开关电容操作引起的纹波电压为700μV。结果表明，本文描述的带隙基准源实现了比其他工作更好的TC，适用于
增益提升折叠共源共栅运算放大器，带电容耦合辅助放大器 M. Rashtian* a、M. Vafapour b
介绍了一种使用简单单级辅助放大器的新型增益提升折叠共源共栅运算放大器。所提出的辅助放大器的设计方式是，无需使用共模反馈网络，即可获得适当的输入和输出直流共模电压。辅助放大器的输入端由耦合电容器和浮栅 MOS 晶体管隔离。因此，直流输入电压电平限制已被消除。辅助放大器的输出端也使用了二极管连接的晶体管，使输出电压电平保持在所需的水平。与更复杂的放大器相比，简单的单级辅助放大器对主放大器施加的极点和零点更少，而且功耗也更低。0.18μm CMOS 技术的仿真结果显示直流增益增强了约 20 dB，而输出摆幅、斜率、稳定时间、相位裕度和增益带宽几乎与之前的折叠共源共栅设计相同。