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金属定向能量沉积的过程要求
•零件验证过程是一份文档，描述了过程，构建布局，无损测试，破坏性测试和样品提取地点以及对零件验证构建的任何特定应用程序测试。•必须在执行零件验证构建和相关测试之前批准零件验证过程。•零件验证构建是使用批准的DED程序产生的牺牲构建。此构建包含在单个生产版本中生产的所有零件和见证优惠券。•捕获对材料性能的任何不可预见的几何影响，并允许特定于组件的测试（例如，爆发测试）。
面向芯片的选择性钴原子层沉积...
为了满足人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 等数据密集型应用的需求，需要更紧密的集成以最大限度地减少电气互连延迟和能耗。遗憾的是，随着器件规模缩小，片上互连寄生效应变得越来越重要，因此纳米级 CMOS 技术的传统器件规模缩小正在放缓。因此，人们对 3D 异构集成技术的兴趣日益浓厚，台积电的 SoIC [1] 和 AMD 的 3D V-Cache [2] 技术就是明证。3D 异构集成技术具有高密度互连、带宽和低功耗的潜力 [3]，但由于材料和小尺寸，键合技术存在局限性，这可能会带来挑战。例如，μ 凸块已采用回流或热压工艺制造，然而，随着其间距缩小，凸块下金属化 (UBM) 厚度开始成为瓶颈 [4- 5]。
粉末床融合与定向能量沉积
添加剂制造（AM）研究已经大幅增长，其应用程序从医疗部门到汽车不等。，由于其温度升高，因此对航空航天部门引起了极大的兴趣。组件是使用两个最常见的金属AM工艺制造的，激光粉末床融合（L-PBF）和激光定向能量沉积（L-DED）。比较了两个过程之间的微观结构和机械性能并对比，表明尽管这些过程从根本上是基于相同的物理现象，但过程之间的规模差异使它们无法直接可比。因此，必须在特定的应用程序和过程中执行合金设计和处理窗口开发。
原子层沉积（ALD）前驱体本地招标（...
• 投标人应属于 1 类或 2 类供应商，以 GFR 最近修订版中定义的“本地内容”为区分。投标人应在附信中明确说明其属于哪一类。a) 1 类供应商：货物和服务的本地内容应等于或大于 50%。b) 2 类供应商：货物和服务的本地内容应等于或大于 20% 且小于 50%。• 报价应仅来自印度原始设备制造商 (OEM) 或其印度授权经销商。• 报价应以 FOR-IISc 班加罗尔为基础，仅以印度卢比为单位。• 提供进口产品的投标人将属于非本地供应商类别。他们不能通过以下方式声称自己是 1 类本地供应商/2 类本地供应商：
大气等离子体辅助天然聚合物的沉积和图案化
近年来，能够引导细胞行为和形态的聚合物涂层引起了越来越多的关注。已知涂层特性（包括表面形态、表面结构和化学性质）会显著影响细胞粘附、定向、引导、分化、增殖和基因表达。[1–4] 此类涂层在生物传感器、生物芯片、药物输送装置、假体和植入物中也得到了有效应用。可以使用多种合成和天然来源的生物相容性聚合物。尽管合成聚合物在加工、稳定性和机械性能方面具有优势，但天然聚合物由于其生物活性、生物降解性和生物相容性而在许多应用中更受青睐。 [5– 6 ] 在天然聚合物中，壳聚糖是一种从几丁质中提取的线性多糖，由于其无毒、[7]可生物降解、[8]抗菌活性、[9]生物相容性[10]和免疫活性[11]等显著特性，已广泛应用于生物医学、环境和食品应用。此外，由于壳聚糖的可加工性，它可以设计成各种结构，包括薄膜、[12]膜、[13]微/纳米纤维、[14]绷带、[15]微/纳米颗粒[16]和水凝胶。[17]
氧化膜上铜的原子层沉积
通过 ALD 循环次数可以实现区域选择性沉积 (ASD)。然而，对薄膜生长的横向控制，即区域选择性沉积 (ASD)，对于 ALD 来说要困难得多。尤其微电子应用需要 ASD 来满足制造要求，因为关键特征尺寸缩小到纳米级，而且通过自上而下的光刻方法进行图案化变得越来越具有挑战性。[2,3] 光刻掩模需要以纳米级精度对准，即使是最轻微的掩模错位也必然会导致边缘位置误差 (EPE)。在 ALD 中实现 ASD 的传统方法可分为三大类：1) 非生长区域钝化；2) 生长区域的活化；3) 使用固有选择性沉积化学。在类别 (1) 中，非生长区域用钝化自组装单分子层 (SAM) 或聚合物膜进行功能化。 [4,5] 通常，当前体吸附在非理想组装或部分降解的 SAM 上时，会发生选择性损失。吸附在 SAM 上的前体分子作为后续前体剂量的反应位点，从而丧失选择性。[2] 在下一个处理步骤之前，还必须完全去除钝化层。在类别 (2) 中，生长区域表面在 ASD 之前进行功能化，以实现薄膜生长。[6–7] 然后，薄膜仅沉积在功能化表面上，而其他区域保持清洁。这种方法规定了非生长和功能化生长表面上的薄膜成核的明显对比。因此，它主要限于金属 ALD 工艺，因为金属表面比其他表面更容易成核。此外，需要仔细控制剂量以维持生长选择性。由于 ASD 的活化层被 ALD 膜掩埋，因此下一个处理步骤可以直接进行。在类别 (3) 中，即固有选择性 ALD，选择性完全由前体与基底上不同材料表面之间的反应决定。在正在制造的薄膜器件结构表面上，不同的材料暴露于 ALD 前体，但薄膜仅生长在某些优选材料上，从而定义生长区域。这是真正的自下而上的处理，将整体图案化步骤减少到最低限度。由于图案自对准，因此排除了 EPE。出于这些原因，(3) 是 ASD 的一个非常有吸引力的选择，但控制表面化学以在几个 ALD 循环中保持 ASD 极具挑战性。因此 (3) 主要限于金属的 ASD。[8–9]
在Sandia National Laboratories的Z机器上的磁惯性融合的概述D. A. Yager-Elorriaga，1 M. R. R. Gomez，1 D. E. Ruiz，1 S. A.
图2。使用0.03-30-0.015-30 s在50和75°C下的0.03-30-0.015-30 s在各种温度下对ALD ZRO 2进行测量，在50和75°C下，0.03-10-0.015-10 s在100 - 275°C的范围内，范围为100 - 275°C： 2胶与温度。
使用金属沉积进行增材层制造 - SAM
在金属增材制造技术中，涉及金属沉积的技术，包括激光熔覆/直接能量沉积（DED，带粉末送料）或线材和电弧增材制造（WAAM，带线材送料），具有几个吸引人的特点。例如，可以提到高质量效率（LMD 为 50-80%，WAAM 为 100%）、大构建速率（超过 100 cm 3 / h）、具有有限孔隙度的良好微观结构以及构建梯度或多材料的能力。尽管相应的工艺已经开发了相当长一段时间，但对各种主题的研究工作仍然有很大的需求，例如新型或梯度材料的沉积、后处理和沉积材料的磨损行为。当前的特刊包括六篇文章，旨在介绍针对所有这些方面的最新原创研究，重点关注涂层而不是 3D 结构。
X O4薄膜通过脉冲激光沉积
水性Zn-Ion电池（Azibs）代表了锂后系统中一种安全可持续的技术，尽管对阴极处的物质行为的不良理解阻止了Effi Cient Azibs的全面发展。Znmn 2 O 4（ZMO）被认为是锂离子电池的良好确定的Limn 2 O 4阴极的阴极候选者之一，但是在水性环境中锌离子存在的情况下，其电化学机制尚不清楚并且仍在辩论。在这项工作中，我们通过脉冲激光沉积（PLD）合成了纳米结构的ZMO薄膜，并通过微渗透，光谱和衍射技术进行了广泛的表征，评估了膜的特性和退火条件如何影响膜的特性。自给自足的性质和对纳米级的高度控制性使薄膜成为研究水溶液中材料的电化学的理想模型系统，并强调膜性能对其电化学反应的影响。我们强调了氧气在膜孔隙率调节中的关键作用，以及沉积压力和退火温度的综合作用，以产生具有量身定制特性的膜在形态，结晶度和Zn stoichiimetry方面。报道了一种复杂的氧化还原机制，涉及多种并发反应和氢氧化锌硫酸锌水合物（ZHS）的形成，以及膜孔隙率对膜以较高扫描速率的伏安行为的影响。我们的结果证实了ZMO材料的复杂电化学机制，它不仅涉及Zn 2 +插入/提取/提取，而且还涉及Mn 2 +从电解质中的关键参与，并为工程ZMO基的纳米级设计铺平了道路。