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针对机器人辅助的细胞治疗产品的制造 通过脉冲激光沉积在石墨烯上的远程外氧化物远程外观上的生长动力学控制 数字病理中人工智能的未来 达到LFP电池的强大状态估计 商业车队中的电池电动汽车 人脑活动的时空复杂性结构 碳纳米功能化的大孔镍泡沫 内质网应激和过敏性接触性皮炎的炎症反应 整个生命周期的皮层卷 - RWTH出版物
通过2D材料的远程外观远处为研究和应用打开了新的机会，克服了经典外观的某些局限性，并允许创建独立层。然而，将石墨烯作为金属氧化物远程外观的2D中间剂具有挑战性，尤其是当通过脉冲激光沉积（PLD）进行时。石墨烯层可以很容易地在通常施加的高氧气压力下氧化，并且血浆羽流的高度动力学颗粒的影响会导致严重的损害。在这项研究中，解决了这两个方面：氩气被作为惰性背景气体引入，以避免氧化并减少血浆物种对石墨烯的动力学影响。激光斑点尺寸被最小化以控制等离子体的羽流和颗粒通量。作为模型系统，钛酸锶（Sto）是在石墨烯缓冲的STO单晶上生长的准同性恋。拉曼光谱法以评估石墨烯层的2 d，g和d带指纹，并评估沉积后层中层的缺陷结构。我们的结果证明，通过降低激光斑点大小和使用高氩增压提供了对生长动力学的控制，这提供了一种关键策略，以保存PLD期间缺陷密度低的石墨烯，同时允许结构相干氧化物层的一层生长。该策略可能会概括为许多复杂氧化物的PLD远程外延，为使用广泛可访问的PLD工艺将2D材料与复杂氧化物集成开辟了道路。
通过物理信息机器学习和 Shapley 加法解释预测定向能量沉积中的拉伸强度
在定向能量沉积 (DED) 中，局部材料微观结构和抗拉强度由零件上每个空间位置经历的热历史决定。虽然先前的研究已经调查了热历史对机械性能的影响，但仍然需要一种物理上可解释、简约且具有良好预测精度的抗拉强度预测模型。本文研究了一种基于 Shapley 加性解释 (SHAP) 模型解释的数据驱动预测模型来解决这一问题。首先，将从先前的实验工作中翻译出来的物理上有意义的热特征用作神经网络的输入，以进行抗拉性能预测。然后计算各个输入特征的 SHAP 值，以量化它们各自对抗拉性能预测的影响，并使用累积相对方差 (CRV) 度量降低模型复杂性。对实验获得的 Inconel 718 (IN718) 抗拉强度的预测表明，通过开发的方法量化的特征影响可以通过先前研究的结果来验证，从而证实了神经网络预测逻辑的物理可解释性。此外，基于CRV的模型复杂度降低表明，简约模型只需要不到10%的原始特征即可达到与先前文献报道相同的拉伸强度预测精度，从而证明了基于SHAP的特征降低方法在改进DED过程表征方面的有效性。
NA金属电池中钠金属沉积和相间的定量分析
更广泛的环境不断升级的全球能源需求强调了储能系统的关键作用。虽然锂离子电池已经占据了田野，但少数国家的锂资源集中却导致了供需不平衡，尤其是在电动汽车和电子设备的激增中。这推动了锂的市场价格，促使人们探索了替代品。钠离子电池是有前途的候选人，可持续性，每项能量密度低的成本和可靠性。在这里，我们展示了一个钠金属电池，该电池可实现出色的功率密度，这是由于钠金属通过界面工程的均匀沉积而实现的。使用致密的电镀钠金属，所得的全细胞表现出色：在2C速率下500个循环后，能力保留率为91.84％，在45c速率下为86 mA H G 1放电能力。单轴压力用于控制钠金属沉积，以确保高库仑的官能。对固体电解质相间的分析揭示其特性取决于电解质的成分，该组件决定了沉积金属的微观结构。这些进步位置位置钠金属作为实现下一代储能技术的可行候选者，其规格接近实际要求。
围产期胆碱补充剂可防止学习和记忆缺陷，并减少AppNL-G-F阿尔茨海默氏病中的脑淀粉样蛋白Aβ42沉积模型小鼠
阿尔茨海默氏病（AD）的特征是认知和记忆障碍和神经病理异常。AD无法治愈，治疗方案不足以及对可能的预防措施的了解有限。先前的研究表明，在基本营养胆碱中接受饮食较高的AD模型小鼠减少了杏仁症，胆碱能缺陷和神经胶质病以及神经发生增加。在这项研究中，我们研究了围产期胆碱补充对APP NL-G-F AD模型小鼠行为，认知功能和淀粉样变性的终身影响。孕妇和泌乳小鼠的饮食中含有1.1 g/kg（对照）或5 g/kg（补充）的胆碱氯化物，直到断奶，然后随后，所有后代一生都接受了对照饮食。在3、6、9和12个月大时，在开放式测试中进行了行为测试，升高的迷宫，Barnes Maze以及情境恐惧调节范式。对β42的免疫组织化学分析也对这些小鼠的大脑进行了。应用NL-G-F
利用微针中的新型创新热响应聚合物进行靶向的皮内沉积
微针作为一个多功能药品平台，可以利用该药物在皮肤中和整个皮肤中运送药物。在当前的工作中，聚（N-异丙基丙烯酰胺）（PNIPAM）合成并将其表征为开发生理响应式微针的基于微对药物的药物递送系统的新型材料。通常，该聚合物在较低温度下的膨胀状态和较高温度下更疏水状态之间可逆地过渡，从而实现精确的药物释放。这项研究表明，溶解由PNIPAM制成的微针斑块，结合了Bis-PNIPAM（一种交联聚合物变体）具有增强的机械性能，这可以从微针的较小高度降低（〜10％）中可见。尽管仅使用PNIPAM的微针是可以实现的，但它表现出较差的机械强度，需要包括其他聚合物赋形剂（例如PVA）来增强机械性能。此外，热响应聚合物的结合对针的插入性能没有显着（p> 0.05），因为所有配方都插入了500 µm的所有配方中，将其插入离体皮肤中。Furthering this, the needles were loaded with a model payload, 1,1 ′ -dio ctadecyl-3,3,3 ′ ,3 ′ -tetramethylindodicarbocyanine perchlorate (DID) and the deposition of the cargo was moni tored via multiphoton microscopy that showed that a deposit is formed at a depth of ≈ 200 µ m.另外，还发现交联 - PNIPAM（BIS-PNIPAM）制剂仅在4小时后才表现出染料的显着皮肤，与所使用的赋形剂基质无关。在非交联的PNIPAM制剂中不存在此现象，表明BIS-PNIPAM微针中的沉积物形成。总的来说，这项概念证明的研究使我们对使用PNIPAM溶解微对甲的制造的可能性提出了我们的理解，这可以利用，该制造可以用于将纳米颗粒沉积到真皮中，以在皮肤内扩展药物释放。
定向能量沉积过程中通过层间铣削提高 Ti-6Al-4V 的延展性
增材制造 (AM) 通常会导致钛合金强度高但延展性差。混合 AM 是一种能够同时提高延展性和强度的解决方案。在本研究中，通过将定向能量沉积与层间加工相结合，实现了 Ti-6Al-4V 的混合 AM。通过检查微观结构、残余应力和显微硬度，可以解释层间加工如何在保持与打印样品相同的强度的同时使延展性提高 63%。层间加工在打印中引入了反复中断，从而导致加工界面处针状 α 板条在缓慢冷却下变粗。选择性加工层上的粗 α 板条增加了拉伸载荷下的位错运动并提高了整体延展性。本出版物中强调的结果证明了混合 AM 提高钛合金韧性的可行性。关键词：混合增材制造、铣削、定向能量沉积、钛 1. 简介
在单个层压轨道的横截面形状上划分的能量沉积过程
在这项研究中，这项研究根据过程条件对熔体池形状变化特性进行了测试分析，以防止传感器在应用定向能源部门工艺技术作为生产嵌入式传感器金属结构的方法时，通过过程的高热能破裂。随着AI技术的发展，结构自我诊断的自我诊断的重要性正在增加，并且随着对结构和传感器融合措施的需求的增加，将传感器插入结构的研究正在扩大。如果将传感器和结构集成到一般制造方法中，则很难避免由过程热能造成的传感器损害。但是，如果您采用激光层压技术，则可以最大程度地减少融合能量以防止传感器破裂。的融合能。本研究比较了通过使用各种激光输出和射线低扫描速度组合的过程条件来比较熔体池组合的熔体池的宽度和深度。目标材料用于SUS316L，激光输出为900〜1,800W，扫描速度定义在800〜1,200mm/min的范围内。根据DIV的分析，随着能量密度的增加，熔体池的宽度增加，并且相同的能量密度证实，熔体池宽度随着产量的增加而增加。中产生的熔体池深度也与能量密度成比例增加，并在1,800W和800 mm/min的过程条件下显示最大深度为700μm。传感器盖的最小厚度，以防止传感器通过在熔体池上方制造。
直接能量沉积制备不同裂纹面取向的 AlSi10Mg 合金断裂韧性
研究了直接能量沉积制备的 AlSi10Mg 合金的断裂和拉伸行为。在室温下沿不同裂纹平面方向和载荷方向测试了三点弯曲断裂韧性和拉伸试样。在进行机械加工和测试之前，打印样品在 300 ◦ C 下进行 2 小时的热处理以释放残余应力。进行了微观结构和断口图分析，以研究每种裂纹取向的断裂机制和裂纹扩展路径。在裂纹平面方向上观察到断裂韧性的显著差异。裂纹取向在 XY 方向的试样具有最高的断裂韧性值（ J Ic = 11.96 kJ / m 2 ），而 ZY 裂纹取向（垂直于打印方向）具有最低的断裂韧性值（ J Ic = 8.91 kJ / m 2 ）。断裂韧性的各向异性主要与沿熔池边界的优先裂纹扩展路径有关。在熔池边界处，孔隙优先出现，微观结构变粗，且 Si 含量较高，导致该区域的延展性较差，且抵抗裂纹扩展的能力较差。
超符合硅碳化物涂料通过前体脉冲化学蒸气沉积
在这项工作中，碳化硅（SIC）涂层通过脉冲化学蒸气沉积（CVD）成功生长。未在连续流中提供四氯化硅（SICL 4）和乙烯（C 2 H 4），而是以H 2作为载体和清除气体交替脉冲到生长室中。典型的脉冲CVD循环为SICL 4脉冲 - H 2净化 - C 2 H 4脉冲 - H 2吹扫。这导致了超符号SIC涂层的生长，在相似的过程条件下，使用恒定的流动CVD工艺无法获得。我们通过脉冲CVD提出了一个两步的SIC生长框架。在SICL 4脉冲期间，沉积了一层Si。在以下C 2 H 4脉冲中，该Si层被渗入，并形成SIC。据信SICL 4脉冲后，高氯表面覆盖范围可以通过生长抑制作用来实现超级生长。
血浆极性由碱性沉积诱导的Hafnium disulfide $ 1T \ textrm { - } {\ rm hfs} _2 _2 $
我们将基于多体扰动理论和累积膨胀的AB从头算计算与角度分辨光发射光谱（ARPES）相结合，以量化高度掺杂的半导体过渡金属二核基因1 T -HFS中的电子样本相互作用。arpes揭示了传导带底部的准颗粒激发附近的卫星光谱特征的出现，这表明偶联与200 MeV的特征能量的玻体激发偶联。我们对光发射光谱函数的第一个原理计算表明，这些特征可以归因于电子耦合到载体等离子（掺杂诱导的集体电荷密度频率）。我们进一步表明，在表面上减少筛选会增强电子 - 种类的相互作用，并主要负责等离激子极性子的出现。