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马约拉纳演示器的锗探测器能量校准
洛斯阿拉莫斯国家实验室是一家采取平权行动/提供平等机会的雇主，由 Triad National Security, LLC 为美国能源部国家核安全局运营，合同编号为 89233218CNA000001。通过批准本文，出版商承认美国政府保留非独占的、免版税的许可，可以为了美国政府的目的出版或复制本文的已发表形式，或允许他人这样做。洛斯阿拉莫斯国家实验室要求出版商将本文注明为在美国能源部的支持下完成的工作。洛斯阿拉莫斯国家实验室坚决支持学术自由和研究人员的发表权利；但是，作为一个机构，实验室并不认可出版物的观点，也不保证其技术上的正确性。
基于近红外波长的透明导电氧化物基于透明的导电氧化物
抽象的片上光电探测器是光学通信中必不可少的组件，因为它们将光转换为电信号。光压计是光电探测器的类型，它通过在光吸收时由电子温度波动引起的电阻变化起作用。它们被广泛用于从紫外线到mir的宽波长范围，并且可以在宽大的材料平台上运行。在这项工作中，我引入了一种新型的波导集成剂量计，该重点在标准材料平台上从NIR到MIR以透明的导电氧化物（TCO）作为活性材料运行。此材料平台可以使用相同的材料同时构建调制器和光电探测器，该材料完全兼容CMO，并易于与被动芯片组件集成。此处提出的光压计由放置在肋光子波导内部的薄质TCO层组成，以增强光吸收，然后将TCO中的电子加热至高于1000 K的温度。电子温度的升高导致电子迁移率降低电子迁移率和导致的电阻变化。因此，只需几乎没有光学输入功率的微量流量，就可以达到超过10 A/W的响应率。计算表明，通过较低的TCO掺杂，可以预期进一步改进，从而在片上光电探测器中打开新的门。
分析激光警告系统中使用的各种光电探测器的结构和技术：评论
摘要。随着近几十年来激光技术的发展，该设备已用于多种应用，例如医学，军事，工业，全息，光谱和天文学。在过去的几年中，军事行动进行更好的沟通取决于射频。对安全威胁和电磁干扰的脆弱性是该电磁频谱区域的主要问题。因此，注意可见和红外（IR）区域。此频谱提供了数据的安全传输。由于狭窄光束的差异和光束的相干性，拦截激光信号的概率非常低。因此，它使该设备成为安全军事行动的好候选人。结果，激光设备和激光引导的武器（LGW），例如激光目标指定者和横梁骑手，已成为战场上不可否认的工具。通过提供激光检测，到达角度，波长歧视和时间表征来减少对LGW威胁的脆弱性是激光警告系统（LWS）的主要意图。该系统由三个主要子系统组成。光学子系统将由频谱过滤器，聚焦镜头和检测一个组成，该检测是由唯一数组配置（尤其是IR光电探测器（IRPD）]和处理子系统中的少数检测器制成的。本评论论文给出了LWSS检测子系统中使用的光电遗传学的特定浓度。另外，在表中比较了所有研究的结构。在过去的几十年中，随着纳米制作和纳米技术取得的进展，已进行了结果研究，以提高IRPD的性能，例如提高生产产量，使其在制造过程中变得简单，降低制造成本，并提高工作温度。此外，已经对一些纳米结构进行了调查，以增强IRPD的光耦合和光 - 物质相互作用。最后，我们将分析我们在纳米基质研究中心模拟和构建的检测子系统。
单发定量相成像的非对称跨表面光电视
摘要：通过波前传感对纯相对象的可视化具有重要的应用，从表面效果到生物医学显微镜，通常需要涉及光空间过滤，干涉测量法或结构化照明的笨重且复杂的设置。在这里，我们引入了一种新型的图像传感器，该传感器对光传播的局部方向具有独特的敏感性，基于涂有特殊设计的等离子跨表面的标准光电探测器，从而产生了对表面正常围绕入射角的不对称响应性的不对称依赖性。使用模拟光电传动探测器平台证明了元表面设计，制造和角度敏感的操作。测量结果，结合计算成像计算，然后用来表明基于这些跨表面像素的标准摄像头或微观范围可以直接访问相位对象，而无需任何其他光学元素，而最先进的最小可检测到的最小可检测相的相比是10 mrad。此外，在同一像素阵列上具有相等和相反角度响应的传感器的组合可用于在单个镜头中执行定量相成像，并具有定制的重建算法，该算法也在这项工作中也开发。凭借其系统的微型化和测量简化，这些设备启用的相成像方法对于涉及涉及空间约束和便携式设置的应用尤其重要（例如，现场的想象和内镜和内镜）和涉及自由移动对象的测量值。
NLGAD检测器上的增益测量
在过去的几年中，低增益雪崩探测器（LGAD）在检测高能电荷颗粒时表现出了出色的性能。但是，由于孔和电子的乘法机制的差异，低穿透性颗粒（例如低能质子或软X射线）的检测性能大大降低。在CNM上设计和制造了LGAD检测器NLGAD的新型设计，以克服这一缺点。在这项工作中介绍了NLGAD概念的定性描述，以及在660 nm和15 keV X射线的可见光下对第一原型的增益响应测量。此外，在这项工作中还评估了对404 nm的增益响应的综述，而先前研究的1064 nm的IR光也为1064 nm。结果表明，NLGAD概念具有检测低穿透性颗粒的潜力。
Surface plasmon assisted high-performance photodetectors based on hybrid TiO 2 @GaO x N y -Ag heterostructure
摘要：在这项工作中，我们报告了基于TIO 2 @GaO x n y -ag异质结构的基于高性能的紫外线可见（UV-VIS）光电探测器。Ag颗粒被引入TIO 2 @GaO X n y，以增强异质结设备的可见光检测性能。在380 nm处，TIO 2 @gao x n y -ag的响应率和探测率分别为0.94 A/W和4.79×10 9 Jones，它们在580 nm处增加到2.86 A/W和7.96×10 10 Jones。响应的上升和下降时间分别为0.19/0.23和0.50/0.57 s。唯一的，在580 nm处，制造的设备的响应性比基于Tio 2，Ga 2 O 3和其他异质界的光电探测器高1-4个数量级。TiO 2 @gao x n y -ag杂结型装置的出色光电特性主要归因于金属 - 高中 - 微米 - 金属中的异质结的类型结构的协同效应，而不是有效地促进了成立式的ag级，而不是有效地促进了ag的等化速率。它被有限的差异时间域法（FDTD）模拟和光电测量所照亮。具有高效率检测的TiO 2 @GaO X N Y -AG阵列是适合在节能通信，成像和传感网络中应用的候选者。
InAs 胶体量子点固体中的顺序共钝化可实现高效的近红外光电探测器
III-V 族胶体量子点 (CQDs) 是用于光电应用的有前途的材料，因为它们避免了重金属，同时实现了从可见光到红外 (IR) 的吸收。然而，III-V CQDs 的共价性质要求开发新的钝化策略来制造用于光电器件的导电 CQD 固体：这项工作表明，先前在 II-VI 和 IV-VI 量子点中开发的使用单个配体的配体交换不能完全钝化 CQD，并且这会降低设备效率。在密度泛函理论 (DFT) 模拟的指导下，这项工作开发了一种共钝化策略来制造砷化铟 CQD 光电探测器，该方法采用 X 型甲基乙酸铵 (MaAc) 和 Z 型配体 InBr 3 的组合。这种方法可保持电荷载流子迁移率并改善钝化效果，斯托克斯位移减少 25%，第一激子吸收线宽随时间推移的增宽率降低四倍，并使光致发光 (PL) 寿命增加一倍。所得器件在 950 nm 处显示 37% 的外部量子效率 (EQE)，这是 InAs CQD 光电探测器报告的最高值。
一项关于自动驾驶占用感知的调查
抽象2D铁电/石墨烯异质结构是通过机械去角质制造的，横穿异质结构界面的载体动力学已通过拉曼，光致发光和瞬态吸收测量值进行了系统地研究。由于有效的界面照片激发电子传递和捕获孔的光吸收效果，异质结构设备显示出卓越的性能，最大响应性为2.12×10 4 A/W，在λ= 532 nm laseer Illumuminention下，探测率为1.73×10 14 jones和快速响应时间（241 µS）。此外，还研究了受铁电化场影响的照片反应。我们的工作确认铁电β-inse/石墨烯异质结构是敏感光电应用的出色材料平台。
实现高度稳定的钙钛矿光电探测器，其寿命很长，可以通过全效沉积过程
摘要：混合有机 - 无机金属卤化物钙钛矿（HOIP）由于其出色的光电特性，已成为一种有希望的可见光感应材料。尽管有优势，但克服商业化的稳定问题仍然是一个挑战。在此，通过全瓦库姆工艺证明了一个极为稳定的光电探测器，并用CS 0.06 fa 0.94 pb（I 0.68 BR 0.32）3 per-Ovskite制造。在标准的一个太阳太阳照明下，光电探测器达到的电流密度高达1.793×10-2 a cm -2，同时在零偏置电压下保持电流密度低至8.627×10-10 - 10 a cm -2。线性动态范围（LDR）和瞬态电压响应与基于硅的光电探测器（Newport 818-SL）相当。最重要的是，该设备在一个太阳太阳照明下不断暴露后，保持了95％的初始性能的95％。这些出色的结果的成就促成了全面的沉积过程，从而提供了具有很高稳定性和良好均匀性的薄膜，从而延迟了退化过程。通过阻抗光谱法进一步研究了降解机制，以揭示在不同暴露时间下光电探测器中的电荷动力学。关键词：钙钛矿，光电探测器，稳定性，特定探测率，热蒸发</div
用于光电探测器的钙钛矿单晶的微流体辅助生长
有机金属卤化物钙钛矿 (OMHP) 是快速、灵敏、大面积光电探测器的有希望的候选材料。在过去十年中，已经开发出几种具有互补优势的技术。薄膜器件很薄，可以扩展到大面积，但具有大量与晶界相关的缺陷。单个块体晶体的纯度更高，但更厚，不易在大面积上生产。在这项工作中，我们介绍了一种微流体辅助技术，可直接在导电图案化基板上实现 OMHP 单晶（微线形式）的受控生长。该技术可以实现具有像素化传感器层的垂直设备。由此产生的设备具有增益、高达 200 AW − 1 的响应度和低至 35 μ s 的快速上升时间。这是首次使用微流体辅助技术在图案化基板上实现 OMHP 垂直设备的演示。