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下一代可见光通信的可打印有机发光二极管：评论
摘要。可见光通信（VLC）是一项采用发光二极管（LED）的新兴技术，可以同时提供照明和无线数据传输。利用具有成本效益的可打印有机LED（OLEDS）作为VLC系统中环保发射器对光谱，物联网，感应和光学范围的未来应用非常有吸引力。在这里，我们总结了VLC中LED来源的新兴半导体材料的最新研究进度，并突出显示基于无毒和成本效益的有机半导体的OLED有很好的光学通信机会。我们进一步研究了为一般照明实现高性能的白色OLED的努力，尤其是关注基于OLED的VLC的研究状况和机会。还讨论了开发高性能OLED的不同解决方案处理的制造和打印策略。最后，提供了下一代有机VLC的未来挑战和潜在前景的前景。
mose2/ws2杂合光电二极管与氮化硅波导集成，用于近红外光检测，响应性高
摘要我们根据近红外光谱制度的芯片尺度集成光电探测器的实现和表征，基于在氮化硅硅硅硅基上的摩西2 /WS 2异缝的整合。这种配置在780 nm的波长（表明内部增益机制）下达到〜1 a w -1的高响应性，同时将暗电流抑制至〜50 pa的水平，与仅Mose 2的参考样本相比，降低了〜50 pa的水平。我们测量了暗电流的功率频谱密度低至〜1×10 - 12 a hz -0.5，从中，我们从中提取噪声等效功率（NEP）为〜1×10-12 - 12 W Hz -0.5。为了演示设备的实用性，我们将其用于表征与光电探测器相同芯片上的微林共振器的传输函数。能够在芯片上整合局部光电电视机并在近红外制度下操作具有高性能的设备，这将在光学通信，量子光子学，生物化学传感等的未来集成设备中发挥关键作用。
大面积 InGaAs PIN 光电二极管
信息 xcelitas Technologies 的大面积 PIN 光电二极管类型 C30619GH、C30641GH、C30642GH、C30665GH 和 C30723GH 是高响应、低电容 InGaAs 探测器。它们专为测量应用而设计，如光功率计、光纤测试设备、近红外光谱和仪器。它们的平面钝化结构具有低电容以扩展带宽和高分流电阻以实现最大灵敏度。典型设备对大于 +13dBm (20 mW) 的光功率具有 1% 以上的非线性，并且在整个探测器有效面积上具有 2% 以内的均匀性。我们的大面积 InGaAs 设备在 850 nm 处的典型响应度为 0.2 A/W，允许在设计为在 850 nm、1300 nm 和 1550 nm 下工作的光纤测试仪器中使用单个探测器。提供可选的超低电容设备（-LC 选项）。它们电容只有标准类型电容的一半，因此 3 dB 带宽是其两倍。这些器件的有效面积从 0.5 mm 到 5.0 mm，采用密封 TO 封装。Excelitas 认识到不同的应用具有不同的性能要求，因此提供了这些光电二极管的各种定制以满足您的设计挑战。响应度和噪声筛选、定制器件测试、TEC 冷却器件和结合带通滤波器是许多可用的特定于应用的解决方案中的一部分。测试方法 Excelitas 会验证每台器件的电光规格。制造过程中的目视检查按照我们的质量标准进行，并剔除不合格器件。Excelitas Technologies 经过 ISO-9001 认证，光电二极管设计符合 MIL-STD-883 和/或 MIL-STD-750 规格。包装和运输所有大面积 InGaAs PIN 二极管都装在 ESD 安全塑料托盘中运输。
有机光电二极管中超低暗电流的来源识别
X. Ma, H. Bin, BT van Gorkom, TPA van der Pol, MJ Dyson, CHL Weijtens, SCJ Meskers, RAJ Janssen, GH Gelinck 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 电子邮件： rajjanssen@tue.n l M. Fattori 电气工程系 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 AJJM van Breemen, D. Tordera, GH Gelinck TNO/Holst Center High Tech Campus 31 Eindhoven 5656 AE, 荷兰 瓦伦西亚 C/ Chair of J. Beltran 2, Paterna 46980, 西班牙 RAJ Janssen 荷兰基础能源研究所 De Zaale 20, Eindhoven 5612 AJ, 荷兰
有机光电二极管中超低暗电流的来源识别
X. Ma, H. Bin, BT van Gorkom, TPA van der Pol, MJ Dyson, CHL Weijtens, SCJ Meskers, RAJ Janssen, GH Gelinck 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 电子邮件： rajjanssen@tue.n l M. Fattori 电气工程系 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 AJJM van Breemen, D. Tordera, GH Gelinck TNO/Holst Center High Tech Campus 31 Eindhoven 5656 AE, 荷兰 瓦伦西亚 C/ Chair of J. Beltran 2, Paterna 46980, 西班牙 RAJ Janssen 荷兰基础能源研究所 De Zaale 20, Eindhoven 5612 AJ, 荷兰
氮化硅上的 UTC 光电二极管可实现 300 GHz 的 100 Gbit/s 太赫兹链路
简介：下一代无线网络将依靠更小的蜂窝和更大的带宽来增加容量。通过保持无线电头硬件简单，光纤无线电技术可以实现这种密集的基站网络。利用硅光子技术实现基站硬件的小型化，可以降低尺寸和成本。对于微波光子应用，氮化硅 (SiN) 平台提供损耗极低的波导和一些最好的集成滤波器。然而，随着转向更高的载波频率，在毫米波和太赫兹频段，对光电二极管带宽的要求也会增加。当前的 SiN 平台缺少这种光电二极管，因此阻碍了高频微波光子应用。[1] 我们展示了一种 300 GHz 的通信链路，该链路由 SiN 上的异构集成单行载波 (UTC) 光电二极管作为发射器中的光电换能器实现。
III-氮化物 p 向下绿色（520 nm）发光二极管，带有...
1 俄亥俄州立大学电气与计算机工程系，美国俄亥俄州哥伦布 43210。2 Lumileds LLC，美国加利福尼亚州圣何塞 95131。3 俄亥俄州立大学材料科学与工程系，美国俄亥俄州哥伦布 43210。*通讯作者：rahman.227@buckeyemail.osu.edu 摘要：我们展示了通过高效隧道结实现的低开启电压 P 向下绿光 LED。由于 (In,Ga)N/GaN 界面中的极化场排列具有 p 向下方向，与传统的 p 向上 LED 相比，电子和空穴注入的静电耗尽势垒降低了。具有 GaN 同质结隧道结的单个 (In,Ga)N/GaN 异质结构量子阱有源区在 20A/cm 2 时表现出非常低的 2.42V 正向工作电压，当电流密度高于 100 A/cm 2 时，峰值电致发光发射波长为 520 nm。底部隧道结具有最小的电压降，能够实现向底部 p-GaN 层的出色空穴注入。III 族氮化物半导体在光电子学和电子学 1-12 中的广泛应用具有重要的技术意义，并已广泛应用于照明和显示应用。虽然过去十年来，紫/蓝光发射波长范围内的 GaN 基发光二极管的效率和功率输出有了显着提高，但较长波长的发射器仍然表现出较低的效率。对于为更长波长设计的发射器，(In,Ga)N 量子阱中的铟摩尔分数会导致与更大的晶格失配、量子阱内的缺陷以及阱-势垒界面处更高的极化片电荷密度相关的挑战，所有这些都会导致器件性能下降。13-16
基于石墨烯/基于SOI的自动schottky屏障光电二极管阵列
我们已经在基于绝缘体（SOI）的Schottky屏障光电二极管阵列（PDA）上制造了四元素的石墨烯/硅，并研究了其光电设备性能。在我们的设备设计中，单层石墨烯被用作SOI基板上N型SI通道的光刻定义的线性阵列上的常见电极。通过波长解析的光电流光谱测量显示，在自动操作模式下，PDA结构中的每个元素均显示出最大的光谱响应性约为0.1 A/W。时间依赖的光电流光谱测量值分别具有1.36和1.27 L S的升高时间和秋季时间，显示出出色的光电流可逆性。阵列中的每个元素的平均特定检测率约为1.3 10 12琼斯，而从代码上则是0.14 pw/hz 1/2的小噪声等效功率。预计此处提供的研究将在高增值石墨烯/基于SI的PDA设备应用方面提供令人兴奋的机会。
光电二极管剂量计中利用开关偏置减少热漂移
温度对剂量测量的影响是固态剂量计的主要限制因素。对于 PIN 光电二极管剂量计尤其如此，因为其暗电流与温度呈指数相关。为了尽量减少这种影响，提出了一种补偿方法，该方法依赖于二极管结构本身，而无需外部传感器或设备。在辐照期间，光电二极管定期从反向极化切换到正向极化，以确定设备的温度。该测量基于二极管在恒定电流下工作时温度与正向电压之间的线性依赖关系。开发了一种实现此程序的电子电路，用于实验表征 BPW34S Si PIN 光电二极管对辐射的响应。所提出的程序将热漂移引起的不确定性降低了 7.5 倍。此外，测量的平均剂量率灵敏度为 12 ± 2 nC/cGy，在 6 MV 光子束下进行的 21.4 Gy 辐照周期中灵敏度下降低于 2%。我们已经证明，pn结可以成功地用于补偿温度对剂量测量的影响。
大电流真空二极管中“异常”电子的物理性质
简介/目的：从理论上解释亚纳秒真空二极管中存在一组电子，其动能远高于施加电压（乘以基本电荷值）qU max 。方法：采用基于 Vlasov-Poisson 微分方程组数值解的数学方法，用于各种设计的一维真空二极管。结果：详细显示了所谓的“异常”电子出现在表征真空二极管中建立电流流动过程的瞬态时间域中。结论：令人信服地表明，“异常”电子的存在与二极管设计或额外电流载体的存在无关。在电压脉冲前沿为亚纳秒的真空二极管中，超过 qU max 的能量可能超过 20%。