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在远程激光焊接铜到钢电池选项卡连接器远程激光焊接过程中，光电二极管的特征用于检测部分部分间隙和焊接渗透深度
本文介绍了传感器表征，以在电池选项卡连接器的远程激光焊接（RLW）期间使用基于光电二极管的信号来检测部分部分间隙和焊接渗透深度的变化。基于光电二极管的监测已大部分用于结构焊缝，因为其成本相对较低和易于自动化。但是，在电池选项卡连接器连接过程中，对传感器表征，监测和诊断焊缝缺陷的研究尚不确定，结果尚无定论。通过不同金属薄箔焊接过程中的高变异性进行了。 基于光电二极管的信号是在铜到钢薄层束接头的RLW期间（Ni-Plated Copper 300 µm到Ni-Plated Steel 300 µm）的收集信号。 提出的方法基于对信号的能量强度和散射水平的评估。 能量强度给出了有关焊接过程中发出的辐射量的信息，并且散射水平与累积和未控制的变化有关。 的发现表明，可以通过观察等离子体信号中的级别变化来诊断部分零件间隙的变化，而反射反射没有显着贡献。 结果进一步表明，过度渗透对应于传感器信号中散射水平的显着增量。 讨论了基于监督机器学习的自动隔离和诊断有缺陷焊缝的机会。。基于光电二极管的信号是在铜到钢薄层束接头的RLW期间（Ni-Plated Copper 300 µm到Ni-Plated Steel 300 µm）的收集信号。提出的方法基于对信号的能量强度和散射水平的评估。能量强度给出了有关焊接过程中发出的辐射量的信息，并且散射水平与累积和未控制的变化有关。的发现表明，可以通过观察等离子体信号中的级别变化来诊断部分零件间隙的变化，而反射反射没有显着贡献。结果进一步表明，过度渗透对应于传感器信号中散射水平的显着增量。讨论了基于监督机器学习的自动隔离和诊断有缺陷焊缝的机会。[doi：10.1115/1.4052725]
朝向连贯的O波段数据中心互连
ntegrated Photonics已使数字通信时代依靠各级的光网络以非常高的速度和低成本传输数据。大规模数据中心需要高度集成的成本效益的光学通信解决方案，因为数据中心互连已成为主要成本因素之一。与光学互连相关的技术和经济必需品促进了当今普遍存在的1,300–1,600 nm范围内使用的两种综合光子技术平台的开发和快速成熟。这些平台通常用其材料基础来计数：（1）硅光子学和（2）基于磷化物（INP）基于磷化物（INP）的集成光子学。这两个平台的重要性远远超出了光电收发器和光学通信。硅光子学和基于INP的光子学都在Terahertz的产生和传感，高速信号处理以及潜在的神经形态计算中发现了应用。尽管硅光子学比INP整体光子学具有明显的优势，例如其可扩展性高达300毫米的晶片，并通过高速电子设备与高速电子设备协调，但使用INP 1、2实现了最终和基准的光电测量。基于INP的波导耦合光二极管，即使是几年前，也已经证明了170 GHz的3-DB带宽（F 3-DB），竞争激烈，竞争激烈，竞争势力为0.27 a w-1（参考文献3）。相比之下，在主要硅光子平台上可用的锗光二极管通常显示在50-70 GHz范围内的带宽（参考文献。4 - 7）。以外，具有F 3-DB≈120GHz和相当高的深色cur的细菌光电二极管的演示脱颖而出，由于测量限制8，关于带宽的不确定性8。在本文中，我们证明了一个真正的硅光子光子检测器，从光扣带宽和响应性方面接近最终性能，这是一种基于表面上种植的锗的硅波导偶联P – I-N光电二极管。我们的锗光电二极管显示超过260 GHz
中子辐照 GaN 肖特基势垒二极管的温度相关电特性
明确研究了直径 400 μ m 的中子辐照 (NI) GaN 肖特基势垒二极管 (SBD) 的温度相关电特性。根据 CV 测量，与原始样品相比，NI 二极管的电子浓度明显下降，表明存在热增强载流子去除效应。中子辐照会导致明显的肖特基势垒高度不均匀性，这可以通过双势垒模型进行研究。数据表明，中子辐照会对漏电流以及低频噪声水平产生微小但可测量的抑制。尽管发现了新的深能级陷阱，但温度相关的电学结果表明 GaN SBD 具有出色的抗中子辐照性能和在极端工作温度下的稳定性。
压力传感器的肖特基二极管温度传感器
开发了具有平面电极排列的小型硅肖特基二极管 (0.8x0.8x0.4 mm 3 ) 芯片 (PSD)，用作温度传感器，在压力传感器的工作条件下工作。PSD 芯片的正向 IV 特性由 Mo 和 n-Si (ND = 3 × 10 15 cm -3 ) 之间的势垒决定。在电源电流 IF = 1 mA 时，实现了正向电压 UF = 208 ± 6 mV 和温度系数 TC = - 1.635 ± 0.015 mV/⁰C（线性度 k T <0.4%，温度范围为 - 65 至 +85 ⁰C）。由于芯片 PSD 包含沿阳极周边的两个 p 型保护环结构，因此反向 IV 特性具有高击穿电压 U BR > 85 V 和低漏电流 IL < 5 μA（25 ⁰C 时）和 IL < 130 μA（85 ⁰C 时）（UR = 20 V）。证明了 PSD 芯片适用于从 - 65 到 +115 ⁰C 的更宽温度范围。温度传感器的独立芯片 PSD 位于距离压力传感器芯片不到 1.5 毫米的位置。PSD 芯片传输输入数据，以通过 ASIC 对压力传感器误差进行温度补偿并进行直接温度测量。关键词：温度传感器、肖特基二极管、Mo/Si-n 屏障、保护环、压力传感器。
nanodiodes中的空间 - 充电限制电流
这种观点回顾了空间的基本物理 - 在各种媒体中很重要的电荷相互作用：真空间隙，气隙，液体和固体（包括量子材料）。它概述了自先前关于二极管物理学的评论论文以来的关键和最新发展[Zhang等。应用。物理。修订版4，011304（2017）]特别强调了空间的各个理论方面 - 电荷有限电流（SCLC）模型：纳米级，时间依赖性和瞬态行为的物理学；高维模型；和电子发射机制和材料特性之间的过渡。尽管许多研究集中在稳态SCLC上，但快速时间电脉冲，高频微波炉和Terahertz源的重要性日益增加，以及超快激光器在时间依赖于SCLC的理论研究中进行了研究。我们特别关注最近在离散粒子效应，时间现象，依赖于SCLC的时间依赖的光发射和交流光束载荷的研究上。由于物理大小和复杂的几何形状的减少，我们报告了多维SCLC的最新研究，包括有限的粒子效应，突出的SCLC，外来几何形状的新技术和分数模型。由于使用SCLC模型确定有机材料的迁移率的重要性，本文显示了SCLC模型在经典块状固体与最近的二维（2D）DIRAC材料之间的过渡。接下来，我们描述了SCLC在纳米二极管中的一些选定应用，包括纳米级真空通道晶体管，微等化晶体管，热能能转换器和多缸。最后，我们通过强调SCLC的理论建模和应用中的未来方向来得出结论。
蓝色有机发光二极管的主体策略
- 高三线态能量主体 (Host(ET )>Dopant(ET )) - 双极电荷传输特性 (载流子平衡) - 抑制降解机制 (TTA, TPA) - 在正/负极化子、单线态/三线态激子下的稳定性
通过阻抗测量值对Algan/GAN自切换二极管中陷阱状态的分析
在过去的几年中，基于Algan/GAN异质结构的设备因其物质特性而受到了极大的关注，包括宽带，高电子迁移率和二维电子气体（2DEG）的高密度，使其成为高功率和高频应用的最佳选择之一。然而，在散装或表面上存在几个不同性质的陷阱，阻碍了这些设备的性能，其行为的不良变化并限制了其可靠性[1]。捕获gan设备中的效果是显着的，这是两个有趣的原因。首先，它们可以通过捕获电子来耗尽2DEG，从而减少电流。第二，它们的缓慢性质会导致频率分散，从而限制了它们的动态性。最近，已经使用了多种技术来研究捕获机制的行为[2-4]，这是由阻抗测量组成的最流行方法之一，允许查找电荷陷阱的激活能（E A）。晶体管中的表面和散装陷阱通常与经典的小信号等效电路并行或串联为RC电路建模，从而捕获设备输出阻抗的频率分散体。为了确定陷阱的参数，必须以广泛的温度（首先进行）进行AC表征，因为陷阱机制的影响在降低温度时会增加，其次，因为人们可以观察到电荷释放的热激活。
无窗的硅雪崩光二二极管对90-900 eV范围中电子的响应
硅雪崩光二极管（APD）被广泛用作光子探测器，但是它们也可用于检测具有能量𝐸𝐸100keV的电子。尤其是，近年来对APD的使用来检测中等能量范围（10-100 KEV）的电子，特别是对于空间任务中的应用[1-3]，APD耐用性与对磁场对磁场的敏感性相结合，具有吸引人的特征。虽然已经进行了一些研究使用APD来检测低能电荷颗粒[4]，但使用APD来检测低（<1 keV）的能量电子是一个较少研究的领域，这是这项工作的主题。本文介绍的结果是在新型UV光检测器（Nanouv）开发的背景下产生的，并具有由垂直分配的碳纳米管制成的光（5-8]。垂直分配的碳纳米管可以使用化学蒸气沉积技术[9]生长至几百μm的长度，结果是获得高度各向异性的材料，并获得了管道方向的理想情况下，具有理想的消失密度[10，11]。由这种材料制成的光电行为可以显着降低照相电子重新吸收的可能性，这是现代紫外线探测器的不良效率的主要原因，因为光电子将直接散发到真空中，并且能够使纳米纤维ex nanotubes exul is the Mommante is pare the tube tube tube ubsum tube ubsum tub tubsum tubsum tubsum tub tub。然后通过施加的电势δ𝑉10kV加速电子，然后由位于真空管另一端的硅APD检测到长达几厘米。在图中可以看到Nanouv检测器概念的示意图1。
量子阱肖特基二极管参数
本文的主要贡献是对不同的提取方法进行了比较研究，并在很大的温度范围内进行了测试（从极低的温度 100 K 到室温 300 K）。更准确地说，已经开发了四种技术来解决这个问题，例如 Cheung [ 1 ]、PSO、ABC 和 DE。关于所使用的启发式技术，PSO 算法最初模仿生物的社会行为和运动，例如一群鸟或一群鱼。同时，ABC 算法模拟了自然界中蜜蜂的觅食行为。而最后一种算法，即 DE，是一种基于种群的算法，旨在解决实际的优化问题。该算法需要四个主要步骤，例如初始化、突变、重组和选择。有关这些算法的更多详细信息，请参阅参考文献 [ 5、11、12 ]。
增强型门控二极管触发可控硅整流器...
随着集成电路规模的不断缩小，静电放电 (ESD) 已成为影响集成电路可靠性的关键因素。[1] 目前，超过三分之一的芯片损坏与 ESD 有关，迫切需要可靠有效的 ESD 防护设计。ESD 防护设计存在许多难点，例如在期望高稳健性和小尺寸的同时满足设计窗口。传统的 ESD 防护器件例如 GGNMOS、二极管、NPN 和 RC 电源钳位通常占用大量的芯片面积。[2] 为了减轻集成电路中每个 I/O 引脚的 ESD 防护对硅片的消耗，可控硅 (SCR) 因其最高的稳健性和最小的尺寸成为各种 ESD 防护器件中最具吸引力的选择。[3] 然而，SCR 固有的再生反馈机制会导致深度回跳和相对较小的保持电压，造成闩锁效应。 [4] 另外，随着保持电压的提高，ESD器件的瞬态功耗必然增大，导致ESD故障电流（It2）急剧下降。因此，在保持足够高的故障电流的同时提高保持电压是极其困难的。人们致力于提高SCR的保持电压。[5-8] 最简单的方案是扩大SCR阳极和阴极之间的距离，[5] 但这种方法效率低，不足以实现闩锁效应。