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伸展运动对中风患者痉挛的影响 - 系统评价Abdulkarim Sulaiman al-Humaid 1*，Khaled Bassem Alzamil 2，Azza
伸展运动对中风患者的痉挛的影响 - 系统评价Abdulkarim Sulaiman al-Humaid 1*，Khaled Bassem Alzamil 2，Azzam Saad Almutairy 3，Sultan Mohammed Samoun Banten 4 1高级疗法疗法疗法，苏丹王子医疗城，riiz riyad riyadh riyadh 2,3 3.3 KSA，RIYADH的国民警卫队健康事务城市 - 地区4物理疗法技术员，苏丹军事医疗城市，利雅得 *生活质量降低甚至生活丧失。进行了不一致的结果研究，并且已经指示了一些程序限制，以评估淀粉对中风患者的有效性。目标：这项系统的审查旨在研究伸展运动对中风患者的有效性。方法：搜索了五个数据库（PubMed，Cinahl，Cochrane，Web of Science，Google Scholar）以识别合格的研究。使用随机效应模型计算汇总的标准化平均差异。遵循Prisma声明以提高报告的清晰度。结果：分析了五项研究，包括168名患者，报告了有关伸展运动和常规物理疗法的报告。结论：伸展运动似乎是减少痉挛的最有效治疗方法。适当定位时，它会显着提高灵活性和姿势平衡。这些干预措施对运动范围的增长，痉挛的减少，肌电活性的改善，肌肉柔韧性的提高以及体重分布和姿势平衡的提高表现出统计学上的显着影响。关键词：中风，痉挛，运动，神经动力学。引入工业化国家，中风是成年人最常见的残疾原因。问题在问题发生后立即因更好的护理提供而导致的死亡率降低。因此，可以预期，中风后残疾的人数可能会增加1。此外，在年轻受试者中，中风的发生率显着增加，超过20％的人受到65岁2岁以下的人。根据美国中风协会的说法，大约87％的病例是缺血性的，其余13％是出血3。最常见的症状包括瘫痪（在一个或两侧），失去平衡和痉挛，通常在中风4发生后几天或几周出现。在包括神经动力或神经动员（NM）技术在内的中风患者的管理中，使用了几种手动治疗技术。神经动力学技术被定义为手动技术或运动干预措施，旨在直接或间接影响神经结构或周围的组织（界面），以减轻疼痛，减轻神经张力，改善肌肉柔韧性和运动范围5,6。的研究表明，NM改善了神经和肌肉骨骼组织的弹性，增加了内部血液流动，改善了内部液体液体分散体，减少了内部浮肿，减少了热和机械性
![b“ mxene具有通用式M 1.33 ct z的 b”。[6] [6]这些mxenes源自平面内有序的Quaternary 211最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x80 \ x9c 0.66）Alc。 m \ xe2 \ x80 \ x9d被蚀刻了，现在将2D纸带到平面内有序的分区。在三种电极构型中（例如，在21 m kch 3 COO中至1.6 V与AgCl [8]），更多的工作集中在基于MXENE的自由膜上，以实现高体积电容（C V），因为它们的高度密度和固定材料的速度，Ontivive of Bindistive of Bindistive oterive otericive oteric oder coldice oteric，选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。 [5d，10]然而，与中性水晶相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“
神经形态感知的有机电化学神经元
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b“ mxene具有通用式M 1.33 ct z的 b”。[6] [6]这些mxenes源自平面内有序的Quaternary 211最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x80 \ x9c 0.66）Alc。 m \ xe2 \ x80 \ x9d被蚀刻了，现在将2D纸带到平面内有序的分区。在三种电极构型中（例如，在21 m kch 3 COO中至1.6 V与AgCl [8]），更多的工作集中在基于MXENE的自由膜上，以实现高体积电容（C V），因为它们的高度密度和固定材料的速度，Ontivive of Bindistive of Bindistive oterive otericive oteric oder coldice oteric，选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。 [5d，10]然而，与中性水晶相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“ 神经形态感知的有机电化学神经元 在学校环境中实施数字技术 性别表达睾丸激素治疗期间的免疫系统适应 运营大众乘客渡轮MF Estelle 离网小房屋 b''
b“ Mxene具有通用公式M 1.33 CT Z的MXENE于2017年首次报道。[6]这些mxenes来自平面内排序的第四纪最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x9c 0.66）alc。蚀刻后，蚀刻了Al层和少数过渡金属M \ Xe2 \ X80 \ X9D，将其留下了平面内有序的分区的2D纸。By now MXenes are well recognized as performing well as negative electrodes in AASCs, [5a\xe2\x80\x93c,7] because of their high conductivity, excellent hydrophilicity, great tolerance to accom- modate various ions and negative operation potential window in three electrode configurations (e.g., to 1.6 V vs. Ag/AgCl in 21 M KCH 3 COO [8] ).最近，由于其高密度和无效材料的避免，诸如粘合剂，导电剂等，更多的工作集中在基于MXENE的自由层膜上，以实现SCS中的高体积电容（C V）。[9]在先前的报告中，硫酸（H 2 SO 4）一直是选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。[5d，10]但是，与中性水解物相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“
评估现代应用程序的内存预取技术
2理论3 2.1测量预取效率。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3 2.2预取技术。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。5 2.2.1软件预取。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 2.2.2一个块lookahead预摘要。。。。。。。。。。。。。。6 2.2.3参考预测表预取。。。。。。。。。。。。7 2.2.4基于GHB的预取。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。8 2.2.5目标线预取。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 2.2.6错误的路径预取。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 2.2.7内容有向预取。。。。。。。。。。。。。。。。。9 2.2.8数据预取控制器预取。。。。。。。。。。。。。10 2.3预取问题。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。10 2.3.1缓存污染。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。10 2.3.2区域。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。11 2.3.3增加内存曲线和力量。。。。。。。。。。。。。11 2.4预取替代方案。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。11
四氯化硅中钽的反应离子蚀刻
金属结构的精确图案化在可行的金属基器件的开发中起着至关重要的作用。通过研究适当蚀刻材料层的蚀刻条件，可以进一步优化和控制蚀刻过程。这项工作报告了使用四氯化硅 (SiCl 4 )/氩 (Ar) 等离子体对钽 (Ta) 微米膜进行反应离子蚀刻 (RIE)。研究了蚀刻特性与 SiCl 4 /Ar 比率、等离子体功率和腔室压力的关系。结果发现，增加 SiCl 4 的流速或等离子体功率会导致蚀刻速率增加。此外，观察结果表明，将 Ar 的流速增加到 30 sccm 以上和将等离子体压力增加到 100 mTorr 以上是无效的。此处实施的工作代表着开发可用于广泛设备的钽基结构的重要一步。
低偏压六氟化硫等离子体蚀刻硅的现象学建模
使用六氟化硫 (SF 6 ) 等离子体对硅 (Si ) 进行低偏压蚀刻是制造电子设备和微机电系统 (MEMS) 的宝贵工具。这种蚀刻提供了几乎各向同性的蚀刻行为，因为低电压偏置不会为离子提供足够的垂直加速度和动能。由于这种近乎各向同性的行为，上述等离子体蚀刻可作为湿法蚀刻的替代方案，例如在 MEMS 和光学应用中，因为它提供了更清洁、更精确的可控工艺。然而，各向同性的程度以及最终的表面轮廓仍然难以控制。在这项工作中，我们将三维特征尺度地形模拟应用于 Si 中的低偏压 SF 6 蚀刻实验，以帮助工艺开发并研究控制最终表面几何形状的物理蚀刻机制。我们通过准确再现三个不同的实验数据集并详细讨论地形模拟中涉及的现象学模型参数的含义来实现这一点。我们表明，与传统的严格各向同性和自下而上的方法相比，我们的现象学自上而下的通量计算方法更准确地再现了实验结果。反应堆负载效应被视为模型蚀刻速率的普遍降低，这通过比较不同负载状态下模拟的蚀刻深度与实验确定的蚀刻深度得到支持。我们的模型还能够使用给定反应堆配置的单个参数集，准确地再现不同掩模开口和蚀刻时间的报告沟槽几何形状。因此，我们提出模型参数，特别是平均有效粘附系数，可以作为反应堆配置的代理。我们提供了一个经验关系，将反应堆配方的平均粘附系数与可测量的蚀刻几何各向同性程度联系起来。这种经验关系可以在实践中用于 (i) 估计独立实验的平均有效粘附系数和 (ii) 微调蚀刻几何形状。
基于指令关键性的节能硬件数据预取
摘要 — 硬件数据预取是一种延迟隐藏技术，通过在处理器需要之前将数据块提取到缓存中来缓解内存墙问题。对于高性能的先进数据预取器，由于请求数量的增加，这会增加内存层次结构中的动态和静态能量。提高硬件预取器能效的一种简单方法是预取执行关键路径上的指令。由于基于关键性的数据预取不会显著降低性能；这是解决能效问题的理想方法。我们讨论了现有关键指令检测技术的局限性，并提出了一种新技术，该技术使用重新排序缓冲区占用率作为检测关键指令的指标，并执行特定于预取器的阈值调整。使用我们的检测器，我们实现了最大内存层次结构节能 12.3%，PPF 性能提高 1.4%，平均值如下：(i) SPEC CPU 2017 基准：IPCP 在 L1D 时能耗降低 2.04%，性能降低 0.3%；(ii) 客户端/服务器基准：PPF 时能耗降低 4.7%，性能降低 0.15%；(iii) Cloudsuite 基准：IPCP 在 L1D 时能耗降低 2.99%，性能提高 0.36%。IPCP 和 PPF 是最先进的数据预取器。
可以疫苗剂量拉伸减少199例死亡...
我们认为，替代的COVID-19疫苗给药方案可能会大大加速全球COVID-19-19疫苗接种并降低死亡率，并且测试这些方案的成本因其潜在收益而矮。我们首先使用中和抗体反应与对疾病有效性之间的高相关性（Khoury等al。2021）表明，某些疫苗的一半甚至四分之一剂量会产生与高疫苗功效相关的免疫反应。然后，我们使用SEIR模型来估计，在这些功效水平下，使用分数剂量将疫苗接种率翻了一番或四倍将大大降低感染和死亡率。由于免疫反应与疗效之间的相关性可能无法完全预测分数剂量的功效，因此我们使用SEIR模型表明分数剂量将大大降低在广泛的合理疗效水平上的感染和死亡率。针对一系列疫苗和剂量组合的进一步的免疫原性研究可能会在数周内提供结果，并且可以与数百位健康的志愿者一起进行。国家监管机构还可以决定基于现有的免疫反应数据在疫苗接种运动中测试分数剂量的功效，就像有些延迟的第二剂量一样。如果效力证明很高，则可以广泛地实施该方法，而事实证明该方法很低，则可以通过对接受分数剂量的人进行全剂量来限制下行风险。SEIR模型还表明，延迟第二次疫苗剂量可能会对多个（但不是全部）疫苗变化的组合具有可观的死亡率，从而强调了正在进行的监视的重要性。最后，我们发现，对于在批准但较低的疗效疫苗之间进行选择的国家，立即使用的效力疫苗和等待mRNA疫苗，使用立即可用的疫苗通常会降低死亡率。
疫苗剂量拉伸可以减少199例死亡吗？
摘要：我们认为，替代性covid-19疫苗剂量方案可能会大大加速全球共证体-19疫苗接种并降低死亡率，并且测试这些方案的成本与其潜在的受益人相矮。我们首先使用中和抗体反应和对疾病的效率之间的高相关性（Khoury等al。2021）表明，某些疫苗的一半甚至四分之一剂量会产生与高真空效应相关的免疫反应。然后，我们使用SEIR模型来估计，在这些效率水平下，使用替代剂量将疫苗接种率加倍或四倍，将大大降低感染和死亡率。由于免疫反应与有效性之间的相关性可能无法完全预测效率，因此我们使用SEIR模型表明，替代剂量将大大降低多种合理效率水平的感染和死亡率。对一系列疫苗和剂量组合的进一步的免疫原性研究可能会在数周内解散，并且可以与数百名健康的志愿者一起进行。国家监管机构还可以决定基于现有的免疫反应数据在疫苗运动中测试替代剂量的效率，就像有些人对延迟的第二剂剂量所做的那样。如果效率很高，则可以广泛地实施该方法，而事实证明该方法很低，下行风险可能会通过对接受过剂量剂量的人进行全剂量限制。SEIR模型还表明，延迟第二次疫苗剂量可能对多种（但不是全部）疫苗变化的组合具有实质性的死亡率，从而强调了正在进行的监视的重要性。最后，我们发现，对于在经过证明但立即使用效率疫苗和等待mRNA疫苗之间选择的国家，使用立即可用的疫苗通常会降低死亡率。
印刷电路板孔表面的调理和蚀刻
莫斯科，俄罗斯联邦 电子邮件：mariya.solopchuk.96@mail.ru，bardinaoi@yandex.ru，ngrigoryan@muctr.ru。摘要：这项工作致力于研究印刷电路板 (PCB) 孔化学镀铜之前的清洁调节和微蚀刻阶段的溶液。结果表明，在调节溶液中存在季胺的情况下，PCB 孔的带负电的初始表面会重新带电。这显然促进了随后带负电的钯活化剂胶体颗粒在 PCB 孔中的静电吸附。结果表明，微蚀刻溶液中铜离子的存在会导致表面粗糙度增加，这有助于提高所得金属层与电介质的粘附强度。关键词：印刷电路板、印刷电路板通孔、化学镀铜、通孔金属化、介电表面处理、表面充电、微蚀刻、清洁调节。1. 简介
AlN 和 AlScN 薄膜 ICP 蚀刻微
随着对电子设备成本更低、性能更好、尺寸更小、可持续性更强的需求，微机电系统 (MEMS) 换能器成为受益于小型化的主要下一代技术候选之一 [1-3]。压电 MEMS 谐振器具有高品质因数和大机电耦合度，是射频 (RF) 系统中很有前途的产品 [4-8]。压电 MEMS 谐振器的主要材料是氮化铝 (AlN)、压电陶瓷 (PZT)、氧化锌 (ZnO) 和铌酸锂 (LN) [9-13]。近年来，掺杂 AlN 薄膜，尤其是氮化铝钪 (AlScN)，因其能提高 d 33 和 d 31 压电系数而备受研究 [14]。基于AlN和AlScN薄膜的压电MEMS谐振器凭借单片集成度高、性能优越等特点，受到越来越多的关注。MEMS谐振器种类繁多，如表面声波（SAW）谐振器[15，16]、薄膜体声波谐振器（FBAR）[17-19]。但SAW器件与CMOS工艺不兼容，FBAR的频率主要取决于压电层厚度，因此很难在一个芯片上实现多个工作频率或宽频率可调性。另一方面，基于AlN和AlScN的轮廓模式谐振器（CMR）与CMOS工艺兼容[20-24]。同时，工作频率和谐振频率与CMOS工艺兼容，而基于CMR的器件的工作频率和谐振频率与CMOS工艺不兼容。