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使用两种氧二氧化硅的反应性离子蚀刻...
等离子体系统在硅和二氧化硅蚀刻期间发生过多的聚合物形成的额外问题。当血浆中的游离碳原子相互联系而不是与其他原子形成挥发性物种时，这种聚合物形成。具有高碳与氟比率的蚀刻气体经常遇到这种情况，这是因为它们释放到等离子体的自由碳原子数量越大。反应器表面上的聚合物形成会影响蚀刻的可重复性，也可以作为颗粒污染的来源。可以通过氧血浆在以后的时间彻底去除该聚合物，但仍然需要减少其初始形成。实现这一目标的一种方法是改变蚀刻化学。在血浆中添加含有化合物的氧或氧将抑制聚合物形成，但本身将对等离子体的蚀刻特性产生影响[4]。
koh湿蚀刻下的gan纳米氏菌的刻度机制
alpes，ltm，Grenoble F-38054，法国 * erwine.pargon@cea.fr，Univ。Grenoble Alpes，CNRS，LTM，17 Rue des Mardyrs，38054 Cedex 09法国Grenoble，法国摘要摘要本研究提出了通过在上衣的室内饮用量的策略，该策略通过与上衣相结合的室友eTch fat Chip Chore to Chore Choh toper fore the toper the toper fore the notch facking Koh weats face face face the the gan支柱。的确，KOH溶液中的gan蚀刻是一个各向异性过程，这意味着它允许在宏观尺度上出现稳定的面，而原子过程（例如踩踏）驱动湿蚀刻的基本机制在微观尺度上驱动湿蚀刻的基本机制。我们的研究强调了形状（圆形或六角形，与M平板或A平板对齐）的关键作用，以及硬面膜在确定所得的结晶刻面形成及其相关的粗糙度方面的粗糙度。此外，它强调了等离子体图案后的GAN支柱剖面（重入，直，锥形）的重要性，因为它们会强烈影响随后的湿蚀刻机制。最终，该文章证明，可以通过在等离子蚀刻后在略微倾斜的GAN曲线上使用室温湿KOH（44 wt％）来实现平滑的M型面，并结合使用六边形M的Masks。
综述：碳化硅的电感耦合等离子体反应离子蚀刻
摘要：电感耦合等离子体反应离子刻蚀 (ICP-RIE) 是一种选择性干法刻蚀方法，用于各种半导体器件的制造技术。刻蚀用于形成非平面微结构 - 沟槽或台面结构，以及具有受控角度的倾斜侧壁。ICP-RIE 方法结合了高精加工精度和可重复性，非常适合刻蚀硬质材料，例如 SiC、GaN 或金刚石。本文回顾了碳化硅刻蚀 - 介绍了 ICP-RIE 方法的原理、SiC 刻蚀结果和 ICP-RIE 工艺的不良现象。本文包括 SEM 照片和从不同的 ICP-RIE 工艺获得的实验结果。首次报道了向 SF 6 等离子体中添加 O 2 以及 RIE 和 ICP 功率的变化对工艺中使用的 Cr 掩模的刻蚀速率和 SiC/Cr 刻蚀选择性的影响。 SiC 是一种极具吸引力的半导体，具有许多优异的性能，通过亚微米半导体加工技术的进步可以带来巨大的潜在利益。最近，人们对 SiC 产生了浓厚的兴趣，因为它在电力电子领域具有广泛的应用潜力，特别是在汽车、可再生能源和铁路运输领域。
通过 SLM 制造并经化学蚀刻处理的表面形貌和润湿性表征
摘要 选择性激光熔化工艺代表了生物医学领域制造定制植入物的一个有趣机会。然而，通过增材制造获得的部件的表面粗糙度是一个主要限制因素，并且会影响表面润湿性。在这项研究中，采用化学蚀刻来解决这一问题。为此，分析了化学蚀刻参数（如浸入时间和溶液成分）对表面粗糙度、重量损失和润湿性的影响。考虑了不同的样品（通过不同的打印方向获得）。测试表明，由于化学蚀刻，表面的粗糙度和润湿性得到改善。主要结果表明，对表面润湿影响最大的参数是两个：粗糙度和材料特性（随样品深度而变化）。
低温蚀刻的低温极限：准原位XPS研究
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
综述：碳化硅的电感耦合等离子体反应离子蚀刻
摘要：电感耦合等离子体反应离子刻蚀 (ICP-RIE) 是一种选择性干法刻蚀方法，用于各种半导体器件的制造技术。刻蚀用于形成非平面微结构 - 沟槽或台面结构，以及具有受控角度的倾斜侧壁。ICP-RIE 方法结合了高精加工精度和可重复性，非常适合刻蚀硬质材料，例如 SiC、GaN 或金刚石。本文回顾了碳化硅刻蚀 - 介绍了 ICP-RIE 方法的原理、SiC 刻蚀结果和 ICP-RIE 工艺的不良现象。本文包括 SEM 照片和从不同的 ICP-RIE 工艺获得的实验结果。首次报道了向 SF 6 等离子体中添加 O 2 以及 RIE 和 ICP 功率的变化对工艺中使用的 Cr 掩模的刻蚀速率和 SiC/Cr 刻蚀选择性的影响。 SiC 是一种极具吸引力的半导体，具有许多优异的性能，通过亚微米半导体加工技术的进步可以带来巨大的潜在利益。最近，人们对 SiC 产生了浓厚的兴趣，因为它在电力电子领域具有广泛的应用潜力，特别是在汽车、可再生能源和铁路运输领域。
脉冲 HBr/O–2 等离子体中的硅蚀刻。II. 图案转移
由 HBr/O 2 组成的等离子体通常用于硅蚀刻工艺，如栅极蚀刻工艺或浅沟槽隔离蚀刻，由于人们对此类化学反应中的硅蚀刻相当了解，因此它成为研究等离子体脉冲对气相和等离子体-表面相互作用的影响的最佳选择。目标是了解连续等离子体和脉冲等离子体之间的根本区别，以及等离子体产生的变化如何影响最终的图案转移。在论文 I 中，我们展示了等离子体脉冲对离子通量和离子能量的强大影响。1 结果显示，占空比 (dc) 而不是脉冲频率对这些参数有显著影响。在本文中，我们重点研究等离子体脉冲对 HBr/O 2 等离子体中的蚀刻机制和图案转移的影响。先前的实验已经证明脉冲等离子体中等离子体引起的损伤有所减少，2 – 4 通常通过使用扫描电子显微镜 (SEM) 成像、椭圆偏振测量和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对侧壁钝化层 (SPL) 进行形貌分析。许多作者已经研究了 HBr/O 2 等离子体对硅和 SiO 2 的蚀刻机理。5 – 13 下面总结了 Si 和 SiO 2 蚀刻的基本机理，其中考虑了原料气中极小比例的氧气。含溴、氢和（较少量）氧的离子撞击硅表面、分解、破坏键并形成富含卤素的非晶层，也称为反应蚀刻层 (REL)，其中含有 H、Br 和一些 O 原子。非晶层的厚度和成分会根据离子能量、压力和原料气流量而变化。由于氢原子比其他粒子小得多，它们可以更深地渗透到硅层中，然后硅原子可以因碰撞而解吸，或可以融入挥发性物质，如 SiBr 4。含氢分子如 SiH 2 Br 2 的挥发性更强，13 但硅蚀刻并不
二氧化硅的各向异性气相 HF 蚀刻以释放 Si 微结构
制造微机电系统 (MEMS) 的两种主要方法是体微加工技术和表面微加工技术。在体微加工的情况下，可移动结构的制造是通过选择性蚀刻掉结构层下面的处理基板来完成的，而在表面微加工中，一系列薄膜沉积和对堆栈中特定层（称为牺牲层）的选择性蚀刻产生最终所需的悬浮微结构。这两种 MEMS 制造方法的关键步骤是控制释放区域，从而精确定义柔顺机械结构锚 [1]，如图 1 a 和 b 所示，显示了锚的底蚀。湿法或干法蚀刻工艺都可以去除牺牲层，使用前一种方法会遇到粘滞，而后一种方法会引入污染或残留物 [2]。选择牺牲层时需要考虑的重要设计因素包括：(i) 沉积膜的均匀性和厚度控制、(ii) 沉积的难易程度、(iii) 蚀刻和沉积速率、(iv) 沉积温度以及 (v) 蚀刻选择性。光刻胶由于易于蚀刻（使用氧等离子体或有机溶剂）且不会损害大多数结构材料而被用作牺牲层 [3–6]。然而，该工艺仅限于低温
表征和优化高密度等离子体蚀刻过程的高级记忆应用程序
许多人以不同的方式为我作为博士学位的经验做出了贡献。首先，我要感谢CMP的所有人。首先，非常感谢我的论文导演AgnèsRoussy多年来。感谢您不断的支持，尤其是在困难时期。，也感谢您每天都在您的办公室里支持我...幸福！我还要感谢当时CMP主任StéphaneDauzère-Pérès，因为我有机会在他的实验室中进行论文。我要特别感谢Jakey的所有帮助以及我一直学到很多东西的所有有趣的讨论（即使我们不一定人同意！）。和种族，感谢所有的SFL人！…为了休息，为了进行研讨会，分享美妙的食堂……与您和属于这个小组的博士学位真是太好了！
使用顺序氧化和脱氧氯化反应
摘要：使用O 3（臭氧）和SOCL 2（硫代氯化物）的顺序暴露证明了钼（MO）的热原子层蚀刻（MO）。原位石英晶体微量平衡（QCM）研究对溅射的Mo涂层QCM晶体进行。QCM结果表明，在短暂蚀刻延迟后，Mo Ale显示出线性质量下降与啤酒周期。每次o 3暴露都会观察到明显的质量增加。每次SOCL 2暴露都会发生巨大的质量下降。Mo Ale的每个周期的质量变化（MCPC）是在长时间的SCOL 2暴露后是自限制的。MCPC随着3个暴露时间的较长而增加。原位QCM研究表明，这种软饱和度更长的O 3暴露于Mo的扩散限制氧化引起的。mo蚀刻速率随蚀刻温度逐渐增加。在饱和条件下，在75、125、175和225°C时，mo蚀刻速率分别为0.94、5.77、8.83和10.98Å/循环。X射线光电子光谱（XPS）和原位四倍质谱法（QMS）研究进行了研究，以了解反应机制。XPS在150°C下暴露于O 3后主要在MO表面上显示MOO 3。从QMS研究中，当MO在200°°C中接触MO在MO中暴露于SOCL 2时，监测了挥发性SO 2和MOO 2 Cl 2。这些结果表明，这些结果表明，通过氧化和脱氧氯次反应发生。mo用O 3氧化为MOO 3。随后，MOO 3经历了脱氧氯化反应，其中SOCL 2接受氧气产生SO 2并捐赠氯以产生MOO 2 Cl 2。Additional QCM experiments revealed that sequential exposures of O 3 and SO 2 Cl 2 (sulfuryl chloride) did not etch Mo at 250 ° C. Time-resolved QMS studies at 200 ° C also compared sequential O 3 and SOCl 2 or SO 2 Cl 2 exposures on Mo at 200 ° C. The volatile release of MoO 2 Cl 2 was observed only using the SOCl 2 deoxychlorination reactant.原子力显微镜（AFM）测量结果表明，MO表面的粗糙度与Mo Ale循环缓慢增加。