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二氧化硅的各向异性气相 HF 蚀刻以释放 Si 微结构
制造微机电系统 (MEMS) 的两种主要方法是体微加工技术和表面微加工技术。在体微加工的情况下，可移动结构的制造是通过选择性蚀刻掉结构层下面的处理基板来完成的，而在表面微加工中，一系列薄膜沉积和对堆栈中特定层（称为牺牲层）的选择性蚀刻产生最终所需的悬浮微结构。这两种 MEMS 制造方法的关键步骤是控制释放区域，从而精确定义柔顺机械结构锚 [1]，如图 1 a 和 b 所示，显示了锚的底蚀。湿法或干法蚀刻工艺都可以去除牺牲层，使用前一种方法会遇到粘滞，而后一种方法会引入污染或残留物 [2]。选择牺牲层时需要考虑的重要设计因素包括：(i) 沉积膜的均匀性和厚度控制、(ii) 沉积的难易程度、(iii) 蚀刻和沉积速率、(iv) 沉积温度以及 (v) 蚀刻选择性。光刻胶由于易于蚀刻（使用氧等离子体或有机溶剂）且不会损害大多数结构材料而被用作牺牲层 [3–6]。然而，该工艺仅限于低温
使用二氟化氙蚀刻绝缘体上的硅对芯片边缘硅微悬臂进行表面微加工
Thomas Lerond、Dmitri Yarekha、Vanessa Avramovic、Thierry Melin、S. Arscott。使用氙二氟化物蚀刻绝缘体上的硅，对芯片边缘硅微悬臂进行表面微加工。《微力学与微工程杂志》，2021 年，31 (8)，第 085001 页。�10.1088/1361- 6439/ac0807�。�hal-03411474�
毕达氏症：数据预取的神经模型
机器学习越来越多地遍布RDBMS的所有组件，因此可以通过查询工作负载和数据分布中的杠杆相关性来实例化。到目前为止，它在基数估计和查询优化方面取得了重大成功，从而导致查询执行更快。但是，在优化RDBMS缓冲区管理模块方面的努力有限。准确预测页面访问会带来许多挑战。我们克服了这些挑战，并提出了Pythia，这是一种神经预测模型，可以准确预测复杂SQL查询的非序列页面访问。然后可以使用毕曲（Pythia）的输出来预取页页面，从而提高性能。此外，我们还将毕缩影集成到Postgres的缓冲区管理模块中。在不适合时，它可以明智地执行预测和预取，并在没有时默认为现有的缓冲区管理算法。我们进行了广泛的实验和示例，即毕曲霉达到了明显的准确性，并且在DSB OLAP基准测试中查询的速度高达6倍。
有用的Doggybot：使用腿部机器人和视觉模型
摘要 - 基于学习的方法已经实现了四足动力的强大性能。然而，一些挑战阻止了四足动物学习需要与环境和人类互动的有用室内技能：缺乏操纵的最终效果，仅使用模拟数据使用有限的语义介绍，以及在室内环境中的较低的遍历性和可及性。我们提出了一个在室内环境中进行四足动物移动操作的系统。它使用前式握把进行对象操纵，这是一种低级控制器，在模拟中培训了以egile的深度进行训练，以攀登和全身倾斜等敏捷技能，以及预先训练的视觉语言模型（VLMS），并具有第三人称Fisheye和Egentric RGB摄像头，以探索fishereye和Egincentric RGB摄像头，以进行儿子理解和指挥生成。我们在两个看不见的环境中评估了我们的系统，而没有任何现实数据收集或培训。我们的系统可以零射对这些环境并完成任务，例如遵循用户的命令在攀登女王大小的床上，成功率为60％。
通过改变北半球的大气遥相关来绘制热波趋势中的空间差异
在热浪趋势中明显的空间差异与大气信号的分歧结合，具有复杂的变化，包括不同的阶段和波数。但是，定量评估他们的关系仍然是一个具有挑战性的问题。在这里，我们使用一种网络搜索方法来识别与Heatwave相关的大气连接（AT）的优势，并使用ERA5重新分析数据。以这种方式，我们量化了热波强度和北半球之间的密切联系。大约解释了热浪际变化的一半，并且将近80％的区域不对称趋势迹象通过中纬度的AT变化正确估计。我们还发现，在2000年之后，AT增强的区域之后，极其热的人的可能性急剧增加了4.5倍，但在AT的区域中几乎保持不变。此外，在耦合模型对比项目的各种模型中重现东欧热浪趋势，第6阶段在很大程度上取决于模拟的欧亚人的变化，这突出了AT AT对热瓦的模拟和投影的潜在影响。
单晶 AlN 的干法和湿法蚀刻
氮化铝 (AlN) 的带隙能量为 6.28 eV，可以生长为直径最大 4 英寸的高质量块状晶体，并伴有约 15 MV cm − 1 的高击穿场。1 – 8 这些固有特性使 AlN 成为军用和民用电力及极端环境电子设备等各种应用的有希望的候选材料，包括高温、高辐射暴露、直流微电网、脉冲功率武器和在极端条件下运行的系统，以及高压直流 (HV-DC) 电网内的开关和传输。1、2、8 – 12与窄带隙半导体相比，AlN 在高温和高功率下表现出优异的性能。在功率开关应用中，这种超宽带隙 (UWBG) 半导体表现出减小的电阻能量损耗，有可能用单个器件取代复杂的堆叠配置。 2、5、6、8 此外，在射频应用中，它们有助于开发射程更远、功能更强大的雷达系统，并有望应用于定向能系统。1、2、8 目前的研究重点是控制掺杂和实现用于垂直功率整流器的厚（>10μm）轻掺杂外延结构。4、7、9、11、13-16 为了充分利用这种材料的优势，体相和外延技术的发展
用AI图像生成器绘制未来
研究人员旨在研究AI图像生成器上10位方便采样的视觉艺术家的观点，以推断人类和AI可以和平合作的未来。研究人员特别致力于了解视觉艺术家对AI图像发生器的看法。通过在菲律宾马尼拉大都会的Discord进行的，该研究利用有目的的抽样来确保各种艺术形式和艺术家背景的多样性。数据收集方法包括焦点小组讨论和创造性的输出会话，使参与者可以透明地表达他们的观点并将AI艺术整合到他们的工作中。主题分析（Robinson，2018）被用来确定参与者对AI图像发生器的情感中的共同主题和模式。结果表明，视觉艺术家对AI图像发生器的看法混杂。参与者对AI的剥削，道德问题和当前的效率低下表示担忧，以产生准确而深情的艺术品。尽管如此，他们承认了AI Image Generator的潜力加快创意过程，产生灵感和帮助技术方面。但是，参与者强调，由于不准确，其当前状态的AI作为可靠的参考工具不足。在高等教育的背景下，整合AI图像生成器提供了增强技术技能，培养创新并为学生做好数字艺术和相关领域职业的机会。
革命性的等离子体功率解决方案用于蚀刻和沉积
未来的设备肯定需要较小的临界维度（CD）并包含新材料和结构。虽然考虑到某些结构和材料的自组装，但在可预见的将来，干燥的蚀刻将仍然是不断变形光刻特征的模式转移的主要方法。在某些情况下，新材料将被纳入传统半导体材料中形成的腔体中。在其他材料中，这些材料将需要干蚀刻，因此需要开发新的蚀刻过程。选择结构和材料的选择将受到可用的干蚀刻工艺和设备功能的很大影响。
懒惰：使用智能手机上的安全元素
隐私增强技术不仅必须在传播中保护敏感的数据，而且还必须在本地限制。例如，匿名网络隐藏了网络对手的消息的发送者和/或收件人。但是，如果实际捕获了参与设备，则可以向其所有者施加压力以访问存储的对话。因此，客户端软件应允许用户合理地否认存在有意义的数据。由于可以在未经同意和基于服务器的身份验证泄漏元数据的情况下收集生物识别技术，因此实现通常依赖于令人难忘的通行单词进行本地身份验证。传统的基于密码的密钥拉伸缺乏严格的时间保证，因为攻击者的平行密码猜测便利。本文引入了懒惰，这是一种关键拉伸方法，利用现代智能手机中常见的安全元素（SE），以对密码猜测提供严格的速率限制。虽然这将很简单，但可以完全访问SE，但Android和iOS仅提供非常有限的API。懒惰利用现有的开发人员SE API和新颖的加密结构来建立有效的速率限制，以对最近的Android和iOS设备进行密码猜测。我们的方法还可以确保在短，随机生成的，六个字符的alpha数字密码中针对具有几乎无限计算资源的对手。我们的解决方案与大约96％的iPhone兼容，而45％的Android手机和懒惰无缝集成而没有设备或操作系统修改，从而使其立即由App Developers立即使用。我们正式定义了懒惰的安全性并评估其在各种设备上的性能。最后，我们提出了Hiddensloth，这是一种利用懒惰的可能性的加密方案。它为对手提供了多次击打的阻力，这些对手可以多次掩盖其磁盘含量。
微电子等离子蚀刻的未来：挑战与机遇
注：本文是专题集的一部分：CHIPS：半导体处理和设备的未来。 a) 电子邮件：oehrlein@umd.edu b) 电子邮件：stephan.brandstadter@arkema.com c) 电子邮件：rlbruce@us.ibm.com d) 电子邮件：jpchang@ucla.edu e) 电子邮件：jessica.demott@arkema.com f) 电子邮件：vmdonnel@Central.UH.EDU g) 电子邮件：remi.dussart@univ-orleans.fr h) 电子邮件：andreas.fischer@claryconresearch.com i) 电子邮件：Richard.Gottscho@lamresearch.com j) 电子邮件：hamaguch@ppl.eng.osaka-u.ac.jp k) 电子邮件：masanobu.honda@tel.com l) 电子邮件：hori@nuee.nagoya-u.ac.jp m) 电子邮件：ishikawa@plasma.engg.nagoya-u.ac.jp n)电子邮件：steven.g.jaloviar@intel.com o) 电子邮件：Keren.Kanarik@lamresearch.com p) 电子邮件：karahashi@ppl.eng.osaka-u.ac.jp q) 电子邮件：akiteru.ko@us.tel.com r) 电子邮件：hiten.kothari@intel.com s) 电子邮件：nobuyuki.kuboi@sony.com t) 电子邮件：mjkush@umich.edu u) 电子邮件：thlill@icloud.com v) 电子邮件：pingshan.luan@us.tel.com w) 电子邮件：mesbah@berkeley.edu x) 电子邮件：ermiller@us.ibm.com y) 电子邮件：shoubhanik_nath@berkeley.edu z) 电子邮件：yoshinobu.ohya@tel.com aa) 电子邮件： mitsuhiro.omura@kioxia.com bb) 电子邮件：ch1224.park@samsung.com cc) 电子邮件：John_Poulose@amat.com dd) 电子邮件：shahid_rauf@amat.com ee) 电子邮件：sekine@plasma.engg.nagoya-u.ac.jp