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实验室玻璃器皿清洗机中的玻璃器皿蚀刻：原因……
玻璃器皿清洗机是现代科学实验室必不可少的部件，由于其方便、高效和效果，简化了各种科学仪器的清洗过程。然而，实验室偶尔会遇到玻璃器皿蚀刻的问题，这会损害玻璃器皿的完整性和功能性。蚀刻是玻璃器皿腐蚀的一种形式，表现为玻璃表面暗淡和磨砂的外观。玻璃的物理和化学变化通常会造成不可逆转的损坏。这种退化不仅损害了美观，而且还危及涉及蚀刻玻璃器皿的实验程序的准确性和精确度。本文全面分析了实验室清洗机内玻璃器皿蚀刻的原因、后果和可能的缓解策略。
革命性的等离子体功率解决方案用于蚀刻和沉积
未来的设备肯定需要较小的临界维度（CD）并包含新材料和结构。虽然考虑到某些结构和材料的自组装，但在可预见的将来，干燥的蚀刻将仍然是不断变形光刻特征的模式转移的主要方法。在某些情况下，新材料将被纳入传统半导体材料中形成的腔体中。在其他材料中，这些材料将需要干蚀刻，因此需要开发新的蚀刻过程。选择结构和材料的选择将受到可用的干蚀刻工艺和设备功能的很大影响。
开发等离子蚀刻过程到模式子...
将基于多甲基丙烯酸酯/多甲基丙烯酸酯（PS/ PMMA）块共聚物组成的自组装形成的纳米骨的最佳策略投资到硅底物中。作者表明，特定问题与通过自组装获得的PS面膜的等离子体蚀刻有关。的确，由于亚15 nm接触孔的纳米尺寸及其固有的高纵横比（> 5），因此必须重新审视微电子工业中通常用于蚀刻SIO 2和硅的等离子体蚀刻过程。特别是，蚀刻各向异性依赖于特征侧壁上钝化层的形成的过程不适合纳米尺寸，因为这些层倾向于填充导致蚀刻停止问题的孔。同时，与在高方面比率纳米骨中克服差分充电效应的典型过程相比，必须增加离子轰击能。然而，通过将适当的过程（例如同步的脉冲等离子体）进行开发，作者表明，通过使用块共聚物和硬面膜策略，可以将70nm深的孔深孔进入硅。这些实验产生的另一个有趣的观察结果是，对于亚15 nm孔，几个nm的临界维度（CD）缩合会导致强大比率依赖性蚀刻速率。此外，在每个等离子体步骤之后，对孔的CD的分散体进行了仔细的分析表明，CD控制远非令人满意的高级CMOS技术要求。v C 2014美国真空学会。[http://dx.doi.org/10.1116/1.4895334]关键问题来自从PS/PMMA矩阵中的未完成的PMMA在我们的自组装过程中的去除：可变量的PMMA保留在PS孔中，从而导致蚀刻步骤中的微功能效应，从而产生CD控制损失。也许可以通过将紫外线释放酸处理与乙酸处理相结合，以在等离子体蚀刻之前提供不含PMMA残基的PS膜，以解决此问题。
掩模几何形状变化对等离子蚀刻轮廓的影响
1 维也纳技术大学微电子研究所 Christian Doppler 半导体器件和传感器多尺度过程建模实验室，Gußhausstraße 27-29/E360, 1040 Vienna, 奥地利；bobinac@iue.tuwien.ac.at (JB)；reiter@iue.tuwien.ac.at (TR) 2 维也纳技术大学微电子研究所，Gußhausstraße 27-29/E360, 1040 Vienna, 奥地利；piso@iue.tuwien.ac.at (JP)；klemenschits@iue.tuwien.ac.at (XK) 3 Global TCAD Solutions GmbH，Bösendorferstraße 1, Stiege 1, Top12, 1010 Vienna, 奥地利；o.baumgartner@globaltcad.com (OB)； z.stanojevic@globaltcad.com (ZS)；g.strof@globaltcad.com (GS)；m.karner@globaltcad.com (MK) * 通信地址：filipovic@iue.tuwien.ac.at；电话：+43-1-58801-36036 † 本文是我们发表在 2022 年 9 月 21 日至 23 日在希腊科孚岛举行的第四届微电子器件和技术国际会议 (MicDAT) 论文集上的论文的扩展版本。
EEEE 反应离子蚀刻 (RIE) 工艺的优化...
使用 SF 6 和 CHF 3 气体的工艺 Muhammad Hidayat Mohd Noor 1 , Nafarizal Nayan 1,2 * 1 电气和电子工程学院 (FKEE), Universiti Tun Hussein Onn Malaysia, 86400, Batu Pahat, Johor, MALAYSIA 2 微电子和纳米技术 - Shamsuddin 研究中心 (MiNT-SRC), Universiti Tun Hussein Onn Malaysia, 86400, Batu Pahat, Johor, MALAYSIA *通讯作者指定 DOI：https://doi.org/10.30880/eeee.2022.03.02.010 2022 年 6 月 27 日收稿； 2022 年 7 月 24 日接受； 2022 年 10 月 31 日在线提供摘要：反应离子刻蚀 (RIE) 是一种用于微加工的刻蚀技术，也是干法刻蚀的方法之一，与湿法刻蚀相比具有不同的特性。RIE 中的反应等离子体的化学过程用于去除晶圆上沉积的材料。RIE 蚀刻机有几个可变因素，例如射频功率、压力、气体流速和蚀刻时间，这些因素对应于其蚀刻深度和蚀刻速率的输出参数。需要进行大量实验才能找到 RIE 的最佳设置，从而为输出蚀刻速率建立理想的条件。在本研究中，使用供给 RIE 系统的 SF 6 和 CHF 3 工艺气体对 Si 和 SiO 2 晶圆进行蚀刻。使用 Dektak XT Bruker 表面轮廓仪研究了蚀刻深度和蚀刻速率，并使用 3D 映射模式表征了蚀刻后的 Si 和 SiO 2 的表面粗糙度。结果显示了不同射频功率、时间和流速对蚀刻深度和速率的影响，从而可以选择最佳参数。关键词：反应离子蚀刻、RIE、等离子蚀刻、硅、二氧化硅
HF/H2O中硅片减薄的刻蚀特性...
R. Ariff a,b , CK Sheng a,* a 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。b 马来西亚登嘉楼大学海洋工程技术与信息学学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿法蚀刻具有技术和基础意义，这对于生产用于微电子封装所需厚度的可靠硅芯片至关重要。在这项工作中，我们研究了湿法蚀刻对浸入 48% HF/水溶液中的硅晶片的厚度耗散、重量损失、蚀刻速率、表面形貌和晶体性质的影响。蚀刻速率是通过蚀刻重量损失和深度随时间的变化确定的。结果表明，随着蚀刻时间的增加，硅的厚度减少和重量损失增加。在高分辨率光学显微镜下可以在蚀刻后的硅晶片表面观察到粗糙的表面。从 XRD 分析可以看出，蚀刻后硅的结晶峰强度变弱，这意味着硅衬底上形成的非晶结构表面的光散射减少。毕竟，这一发现可以作为生产可靠的硅薄晶片的参考，这对于更薄的微电子器件制造和纳米封装至关重要，从而减少环境污染和能源消耗，实现未来的可持续发展。（2021 年 3 月 27 日收到；2021 年 7 月 7 日接受）关键词：湿法蚀刻、Si、蚀刻速率、HF、H 2 O
HF蚀刻时间和浓度对硅晶片的影响
摘要：为实现更薄的微电子封装，生产所需厚度的新型半导体硅片不仅需要高成本和能源，而且还会造成环境污染问题。然而，这一问题可以通过使用一步化学蚀刻来生产所需厚度的硅芯片以进行适当的封装，从而简单地解决。在本研究中，使用各向同性的湿化学蚀刻法，通过改变HF蚀刻剂浓度来研究蚀刻时间对HF/HNO 3 /CH 3 COOH混合溶液中的Si晶片的影响。研究的蚀刻时间为5分钟至30分钟，HF蚀刻剂浓度在（20-24）wt％范围内。从结果可以看出，随着蚀刻时间的延长，重量损失和蚀刻深度的变化单调增加。然后根据重量损失和蚀刻深度随时间的变化来确定蚀刻速率。结果表明，Si晶片的蚀刻速率随时间降低，在较高的HF浓度下增大。在光学显微镜下观察到蚀刻后Si晶片的表面变得光滑抛光。 X 射线衍射图表明，蚀刻硅的晶体峰强度高于纯硅，随着 HF 浓度的增加，与 Si 相关的峰略微向 2θ 方向移动。目前的发现表明，化学蚀刻硅晶片的所需厚度可以潜在地装入微电子设备制造的更薄的封装中，从而减少能源和成本浪费，实现未来的可持续发展。
使用热量和功率组合的可再生能源系统优化设计和调度
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隧道的各种金属尖端的系统电化学蚀刻
a）应向信件解决的作者：jianwangphysics@pku.edu.cn抽象硬点接触光谱和扫描探针显微镜/光谱是研究具有强大可扩展性的材料的强大技术。为了支持这些研究，需要具有各种物理和化学特性的技巧。为了确保实验结果的可重复性，应标准化尖端的制造，并应设置可控且方便的系统。在这里，提出了一种用于制造各种技巧的系统方法，涉及电化学蚀刻反应。反应参数分为四类：解决方案，电源，浸入深度和中断。设计和构建了蚀刻系统，以便可以准确控制这些参数。使用该系统，探索和标准化了铜，银，金，铂/虹膜合金，钨，铅，铅，铁，铁，镍，钴和薄金的蚀刻参数。在这些技巧中，探索并标准化了白银和尼伯族的新食谱。进行光学和扫描电子显微镜，以表征尖锐的针头。用蚀刻的银色尖端进行了相关的点接触实验，以确认被制成尖端的适用性。I.引言是研究超导体的强大工具，点接触光谱（PC）技术已成功地应用于对具有各种特性的材料的研究。1-8在实验中，PC被归类为软点接触和硬点接触。7-13前者通常使用银色涂料形成点接触。硬点接触中的技巧用法使PC具有更多的可能性。传统上，通过PCS，可以方便地测量超导体的超导差距和配对对称性，以及通过PCS进行的有关准二粒激发（例如镁质和声子）的能量信息。1-5近年来，在硬点接触实验中发现了尖端诱导的或增强的超导性，其机制归因于局部掺杂效应，局部高压效应和对边界的界面效应。