XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemetching
基于法拉第笼式蚀刻技术的全钻石扫描探针的开发
我们提出了一种用于原子力显微镜（AFM）的单晶钻石扫描探针的新型制造方法，利用了法拉第笼式角度蚀刻（FCAE）。常见的，基于氧气的，电感耦合的血浆（ICP）钻石的干蚀刻过程相对于可实现的几何形状受到限制。因此，独立微型和纳米结构的制造是具有挑战性的。这是几个应用领域的主要缺点，例如，用于实现基于氮空位（NV）中心的扫描磁力测定探针，并且能够测量纳米级的磁场。与既定的机械钻石设备的既定制造技术相比，将平面设计与FCAE和最先进的电子束光刻（EBL）相比，过程复杂性和成本降低。在这里，我们报告了两种方法的直接比较，并在扫描探针应用程序中目前的第一个概念验证平面-FCAE-PROTOTYPES。
基于凹的微型阵列阵列制造技术，带有添加的预流湿蚀刻和退火
摘要：基于依赖的微型倒数阵列，除其他外，用于红外光估算器和焦平面阵列的键合。在本文中，研究了具有光滑表面形态的微米大小凹凸的制造技术的几个方面。已优化了乳化剂的热蒸发，以实现〜8 µm厚的层，其表面粗糙度为r a = 11 nm，表明原子的堆积密度很高。这确保了整个样品的凸起均匀性，并防止在重新流之前的列内氧化。描述了一系列优化优化inimumbump制造技术的实验，包括单列的剪切测试。在10％HCl溶液中预蚀刻im缩柱之前，开发了一种可靠，可重复，简单和快速的方法。
使用二氟化氙蚀刻绝缘体上的硅对芯片边缘硅微悬臂进行表面微加工
Thomas Lerond、Dmitri Yarekha、Vanessa Avramovic、Thierry Melin、S. Arscott。使用氙二氟化物蚀刻绝缘体上的硅，对芯片边缘硅微悬臂进行表面微加工。《微力学与微工程杂志》，2021 年，31 (8)，第 085001 页。�10.1088/1361- 6439/ac0807�。�hal-03411474�
使用残余气体分析仪进行 NF3 和 F3NO 等离子体的氧化硅蚀刻工艺
摘要：NF 3 的使用量每年都在显著增加。然而，NF 3 是一种温室气体，具有极高的全球变暖潜能值。因此，开发一种替代 NF 3 的材料是必需的。F 3 NO 被认为是 NF 3 的潜在替代品。在本研究中，研究了替代温室气体 NF 3 的 F 3 NO 等离子体的特性和清洁性能。对 SiO 2 薄膜进行了蚀刻，分析了两种气体（即 NF 3 和 F 3 NO）等离子体的直流偏移，并进行了残留气体分析。基于分析结果，研究了 F 3 NO 等离子体的特性，并比较了 NF 3 和 F 3 NO 等离子体的 SiO 2 蚀刻速率。结果表明，两种气体的蚀刻速率平均相差 95%，从而证明了 F 3 NO 等离子体的清洁性能，并证实了用 F 3 NO 替代 NF 3 的潜在益处。
单组分等离子体在光电探测器阵列周期性结构的 ICP-RIE 蚀刻工艺中的应用
红外 (IR) 探测技术的发展主要依赖于 InAs/GaSb SL 外延 [1] 和生长后处理 [2] 的改进。为了实现最佳性能，必须优化器件架构 [3] 以及台面结构，使其侧壁垂直且光滑，以防止像素间距较小的焦平面阵列 (FPA) 中的串扰，其中周长与表面积的纵横比很高 [2, 4]。表面台面的粗糙度、反应产物的存在以及电活性缺陷的表面密度（包括断裂的化学键）都会影响表面漏电流的大小 [5]。台面型结构可以通过湿法或干法蚀刻来创建。先前的研究表明，无机和有机酸性蚀刻剂都适用于 InAs/GaSb 超晶格 (SL) 的湿法蚀刻 [5, 6]。湿法蚀刻有许多优点，例如断裂的化学键数量少、自由载流子密度降低，因此漏电流低 [6, 7]。然而，也会产生不良反应产物并残留在侧壁表面上，导致漏电流的显著增加。湿法蚀刻也是各向异性的，导致台面侧壁几何形状不理想 [8]。另一方面，InAs 和 GaSb 材料的干法蚀刻经常使用气态氯与惰性气体（如氩气）的组合 [9, 10]。气态氯因其高挥发性和高蚀刻速率而受到青睐，而氩离子通过轰击蚀刻表面简化了反应产物的解吸。BCl 3 蚀刻具有较低的蚀刻速率，但使用它会产生更光滑的台面侧壁 [11]。BCl 3 /Ar 等离子体的使用已被证明在分立探测器中是有效的。尽管如此，当用于台面时，它表现出次优性能
Sk 蚀刻 www .te x as archites .org T ex as Architect 十一月...
Val Glitsch，美国建筑师学会会员，休斯顿，会长；Michael Malone，美国建筑师学会会员，达拉斯，候任会长；Jennifer Workman，美国建筑师学会会员，达拉斯，副会长；Fernando Brave，美国建筑师学会会员，休斯顿，副会长；Paul Bielamowicz，美国建筑师学会会员，奥斯汀，副会长；Robert Lopez，美国建筑师学会会员，圣安东尼奥，副会长；Bibiana Dykema，美国建筑师学会会员，科珀斯克里斯蒂，秘书；James Williams II，美国建筑师学会会员，阿马里洛，财务主管；Adam Gates，美国建筑师学会副会员，奥斯汀，副会员董事；Barrie Scardino Bradley，公共会员董事；Jorge Vanegas，美国建筑师学会副会员，大学城，教育会员董事；Melina Cannon，美国建筑师学会副会员，米德兰，地区副会员董事；Daniel Hart，美国建筑师学会会员，米德兰，美国建筑师学会董事；James Nader，美国建筑师学会会员，沃斯堡，美国建筑师学会董事；John Nyfeler，美国建筑师学会会员，奥斯汀，美国建筑师学会董事； Robert S. Roadcap III，AIA，阿比林分会；Jay Bingham，AIA，阿马里洛分会；Richard Weiss，AIA，奥斯汀分会；Elizabeth Price，AIA，布拉索斯分会；Sheldon Schroeder，AIA，科珀斯克里斯蒂分会；Thomas Powell，AIA，达拉斯分会；Carl Daniel Jr.，AIA，艾尔帕索分会；Sandra Dennehy，AIA，沃斯堡分会；Perry Seeberger Jr.，AIA，休斯顿分会；Christopher Collins，AIA，LRGV 分会；Lenora Clardy，AIA，拉伯克分会；Alan Roberts，AIA，东北德克萨斯分会；Mike McGlone，AIA，圣安东尼奥分会；Philip Long，AIA，东南德克萨斯分会；Jane Kittner，AIA，韦科分会；Christopher Upton，AIA，西德克萨斯分会；Kenneth Dowdy，AIA，威奇托福尔斯分会
通过电感耦合的质量质等质子状态和食谱的目录对单晶钻石的反应离子蚀刻
在过去的十年中，单晶钻石（SCD）生长的显着技术进步导致了高质量SCD底物的商业产品，通常以尺寸的几个平方毫米的良好特定板的形式获得[1]。同时，此类板的成本已大大降低[2]，这引发了重要的研发工作，旨在利用SCD的特性[3]，热[4]和机械性能[5] [5]用于电子学中的各种应用[6]，光（光（光环）[7-10]，光学和光学技术[11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11]）[11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11]。高质量的SCD板是通过化学蒸气沉积（CVD）[13，14]或高压高温（HPHT）[15]技术生长的。记录示范最近产生的SCD底物直径为10 cm [16]，但如今更典型的尺寸为1 mm – 10 mm，厚度为50μm -1 mm。基板以不同的“等级”类别提供（例如电子[6，17]，光学[18]或机械[19]）根据其杂质的程度，这表明底物性质已被遗忘，特别适合特定的应用区域。SCD的精确成型主要是使用激光切割和烧蚀技术以毫米尺度的目标维度进行的，具有几微米的精确性要求，例如切片钻石板或制造切割工具，用于转弯，敷料或铣削。微丝[41-47]和光栅[48，49]）和光子学（例如用于耦合器[50-54]和谐振器[52，55-59]）。激光处理也用于千分尺尺度的结构，例如复合折射率[20-23]，埋入的波导[24-26]和微通道[27，28]。离子束蚀刻（IBE）可以有效地平滑并抛光SCD板[29，30]，而聚焦的离子束（FIB）铣削已用于制造悬浮的结构[31-33]，砧[34，35]和固体膜片[36-38]。尽管这些图案技术对于一组特定形状和设备最有效，但基于反应性离子蚀刻（RIE）制造方法是最常用的方法，用于广泛的应用，需要亚微米精度[39，40]，例如微观典型（例如，与Rie相比
原子层沉积结合湿法刻蚀制备亚5nm纳米台阶高度参考材料的研究
摘要：纳米台阶作为经典的纳米几何参考材料，在半导体工业中用于校准测量，因此控制纳米台阶的高度是保证测量准确的关键。为此，本研究采用原子层沉积（ALD）结合湿法刻蚀制备了形貌良好的高度为1，2，3和4nm的纳米台阶。利用三维保形ALD工艺有效控制制备的纳米台阶的粗糙度。此外，使用基于仿真的分析研究了表面粗糙度与高度之间的关系。本质上，粗糙度控制是制备临界尺寸小于5nm的纳米台阶的关键。在本研究中，通过ALD和湿法刻蚀相结合成功实现的纳米台阶的最小高度为1nm。此外，基于1nm纳米台阶样品，分析了标准材料质量保证的前提条件和制备方法的影响因素。最后，利用制备的样品进行时间依赖性实验，验证了纳米台阶作为参考材料的最佳稳定性。这项研究对制备高度在5纳米以内的纳米几何参考材料具有指导意义，并且该方法可以方便地用于制备晶片尺寸台阶高度参考材料，从而实现其在集成电路生产线中大规模工业化在线校准应用。
通过活性纳米粒子辅助化学蚀刻和伪形的热热
许多生物材料表现出多尺寸孔隙度，其小，主要是纳米级孔以及大的宏观毛细管，可同时实现优化的大量传输能力和具有较大内表面的轻量级结构。意识到人工材料中这种层次的孔隙度需要经常进行复杂且昂贵的上部处理，从而限制了可扩展性。在这里，我们提出了一种方法，该方法将基于金属辅助化学蚀刻（MACE）与光刻诱导的宏观诱导的孔隙率结合在一起，以合成单晶硅与双峰孔径分布，即通过六边形的静脉内部脉冲分离，以六边形的孔隙分布，以至于六边形分布，该分离是六边形的脉络孔分布的。 穿过。MACE过程主要由金属催化的还原氧化反应引导，其中银纳米颗粒（AGNP）用作催化剂。在此过程中，AGNP充当自螺旋体的颗粒，它们沿着轨迹不断去除硅。高分辨率的X射线成像和电子断层扫描显示出较大的开放孔隙度和内部表面，可用于在高性能的储能，收获和转换中，或用于芯片传感器和精神分线。最后，层次多孔的硅膜可以通过热氧化为层次多孔的无定形二氧化硅来转化结构，该材料可能特别感兴趣，对于光流体和（生物 - ）光子应用而导致其多孔具有多种形式的人工血管化。
使用 Cl2/Ar/N2 电感耦合等离子体对 SiO2 纳米沟槽上的 TiN 纳米结构进行选择性干法蚀刻
介绍了一种用于在纳米表面结构上制造 TiN 纳米结构的电感耦合等离子蚀刻工艺。使用 Cl 2 /Ar/N 2 等离子体，在 SiO 2 上可实现 50 的选择性。研究了 N 2 流速对蚀刻速率和 TiN 侧壁上非挥发性残留物的影响。当 N 2 流速增加到 50 sccm 时，观察到 TiN 侧壁上非挥发性残留物的沉积发生变化。介绍了用 TiN 纳米结构侧壁制造的 TiN 器件的电流密度-电压特性。分别用低和高 N 2 流速蚀刻的两个不同样品的测量电流密度表明，仅在低 N 2 流速下，清洁后才会在侧壁上沉积一层绝缘层。VC 2015 美国真空学会。 [http://dx.doi.org/10.1116/1.4936885]