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隧道的各种金属尖端的系统电化学蚀刻
a）应向信件解决的作者：jianwangphysics@pku.edu.cn抽象硬点接触光谱和扫描探针显微镜/光谱是研究具有强大可扩展性的材料的强大技术。为了支持这些研究，需要具有各种物理和化学特性的技巧。为了确保实验结果的可重复性，应标准化尖端的制造，并应设置可控且方便的系统。在这里，提出了一种用于制造各种技巧的系统方法，涉及电化学蚀刻反应。反应参数分为四类：解决方案，电源，浸入深度和中断。设计和构建了蚀刻系统，以便可以准确控制这些参数。使用该系统，探索和标准化了铜，银，金，铂/虹膜合金，钨，铅，铅，铁，铁，镍，钴和薄金的蚀刻参数。在这些技巧中，探索并标准化了白银和尼伯族的新食谱。进行光学和扫描电子显微镜，以表征尖锐的针头。用蚀刻的银色尖端进行了相关的点接触实验，以确认被制成尖端的适用性。I.引言是研究超导体的强大工具，点接触光谱（PC）技术已成功地应用于对具有各种特性的材料的研究。1-8在实验中，PC被归类为软点接触和硬点接触。7-13前者通常使用银色涂料形成点接触。硬点接触中的技巧用法使PC具有更多的可能性。传统上，通过PCS，可以方便地测量超导体的超导差距和配对对称性，以及通过PCS进行的有关准二粒激发（例如镁质和声子）的能量信息。1-5近年来，在硬点接触实验中发现了尖端诱导的或增强的超导性，其机制归因于局部掺杂效应，局部高压效应和对边界的界面效应。
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AYAN KUMAR BHUNIA ∗ ，SketchX，CVSSP，英国萨里大学 AYAN DAS ∗ ，SketchX，CVSSP，英国萨里大学，科大讯飞-萨里人工智能联合研究中心 UMAR RIAZ MUHAMMAD ∗ ，SketchX，CVSSP，英国萨里大学 YONGXIN YANG，SketchX，CVSSP，英国萨里大学，科大讯飞-萨里人工智能联合研究中心 TIMOTHY M. HOSPEDALES，爱丁堡大学，SketchX，CVSSP，英国萨里大学 TAO XIANG，SketchX，CVSSP，英国萨里大学，科大讯飞-萨里人工智能联合研究中心 YULIA GRYADITSKAYA，SketchX，CVSSP，英国萨里大学，科大讯飞-萨里人工智能联合研究中心 YI-ZHE宋先生，SketchX，CVSSP，萨里大学，科大讯飞-萨里人工智能联合研究中心，英国
通过电感耦合的质量质等质子状态和食谱的目录对单晶钻石的反应离子蚀刻
在过去的十年中，单晶钻石（SCD）生长的显着技术进步导致了高质量SCD底物的商业产品，通常以尺寸的几个平方毫米的良好特定板的形式获得[1]。同时，此类板的成本已大大降低[2]，这引发了重要的研发工作，旨在利用SCD的特性[3]，热[4]和机械性能[5] [5]用于电子学中的各种应用[6]，光（光（光环）[7-10]，光学和光学技术[11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11]）[11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11]。高质量的SCD板是通过化学蒸气沉积（CVD）[13，14]或高压高温（HPHT）[15]技术生长的。记录示范最近产生的SCD底物直径为10 cm [16]，但如今更典型的尺寸为1 mm – 10 mm，厚度为50μm -1 mm。基板以不同的“等级”类别提供（例如电子[6，17]，光学[18]或机械[19]）根据其杂质的程度，这表明底物性质已被遗忘，特别适合特定的应用区域。SCD的精确成型主要是使用激光切割和烧蚀技术以毫米尺度的目标维度进行的，具有几微米的精确性要求，例如切片钻石板或制造切割工具，用于转弯，敷料或铣削。微丝[41-47]和光栅[48，49]）和光子学（例如用于耦合器[50-54]和谐振器[52，55-59]）。激光处理也用于千分尺尺度的结构，例如复合折射率[20-23]，埋入的波导[24-26]和微通道[27，28]。离子束蚀刻（IBE）可以有效地平滑并抛光SCD板[29，30]，而聚焦的离子束（FIB）铣削已用于制造悬浮的结构[31-33]，砧[34，35]和固体膜片[36-38]。尽管这些图案技术对于一组特定形状和设备最有效，但基于反应性离子蚀刻（RIE）制造方法是最常用的方法，用于广泛的应用，需要亚微米精度[39，40]，例如微观典型（例如，与Rie相比
离子束蚀刻 Scia Systems Coat 200
离子束蚀刻 (IBE) 通过定向和精确控制的离子能量轰击蚀刻目标，去除材料。IBE 也称为“离子束铣削”。IBE 源从惰性气体（通常是氩气）产生等离子体。一组电偏置网格确定离子束能量和离子束内的离子角发散。离子束撞击基材，通过物理溅射去除材料。离子束蚀刻具有其他等离子体工艺所不具备的定向灵活性。虽然 IBE 的蚀刻速率通常低于反应离子蚀刻 (RIE)，但 IBE 可为需要精确轮廓控制的应用提供高精度（高各向异性）。此外，离子束蚀刻可用于去除 RIE 可能无法成功的材料。离子束可以蚀刻与 RIE 不兼容的合金和复合材料。离子束蚀刻有许多应用，包括磁传感器的纳米加工、MEMS 设备以及表面声波 (SAW) 和体声波 (BAW) 滤波器的修整。一种较新的应用是制造高性能非易失性存储器，特别是“自旋转移扭矩” MRAM（磁阻随机存取存储器）。
VRSketchIn：探索虚拟现实中 3D 素描的笔和平板电脑交互设计空间
摘要 虚拟现实 (VR) 中的素描可增强对 3D 体积的感知和理解，但目前是一项具有挑战性的任务，因为空间输入设备（例如跟踪控制器）不提供任何用于空中交互的支架或约束。我们介绍了 VRSketchIn，这是一款 VR 素描应用程序，使用 6DoF 跟踪笔和 6DoF 跟踪平板电脑作为输入设备，将不受约束的 3D 空中与受约束的 2D 基于表面的素描相结合。为了探索这种 2D（平板电脑上的笔）和 3D 输入（6DoF 笔）组合产生的可能性，我们提出了一组设计维度并定义了 VR 中 2D 和 3D 素描交互隐喻的设计空间。我们对设计空间内的现有技术进行分类，并在我们的原型中实现了笔和平板电脑素描的隐喻子集。为了更深入地了解哪些特定的
铝的反应性离子蚀刻
对于这个项目，这些挑战本来可以在各种蚀刻化学中遇到。当前用于等离子蚀刻铝的气体为BC13，SICL4，CC14，CL2，BBR3，HBR和BR2 [1,4]。这些气体都是剧毒或致癌的。四胆碱硅不被认为是致癌物，而是毒性。这是选择SICL4作为该项目的蚀刻气体的主要原因之一。SICL4的另一个优点是，它增加了铝对光抗抗命天的选择性。使用SICL4作为唯一的蚀刻气体时，血浆中的过量电弧可能以相对较低的功率发生（<100瓦）发生，因此需要稀释剂来防止这种弧形。这样的稀释剂不仅可以减少等离子体中的弧菌，而且还提高了光膜天固醇的选择性是氦气[2]。使用SICL4和高功率（300瓦）的SICL4和Argon的混合物来完成氧化铝的突破。氩气，是因为其离子很重，因此在溅射过程中对表面造成了更大的损害。SIC14通过减少血浆气氛中的水分来充当水清除剂，从而防止了氧化铝的进一步生长[1]。
深sio2用al和aln面具用于mems设备
摘要。氧化硅基材料（例如石英和二氧化硅）被广泛用于微机电系统（MEMS）。增强其深等离子体蚀刻能力的一种方法是通过使用硬面膜来提高选择性。尽管以前研究了这种方法，但有关在200 mM底物上使用硬面膜来蚀刻基于硅氧化物材料的信息很少。我们提出了使用Al和Aln掩模的无定形氧化硅蚀刻过程开发的结果，并展示了用于蚀刻二氧化硅和石英的结果。在具有两个血浆源的工业反应性离子蚀刻室（RIE）室中比较了三个气体化学（C 4 F 8 /O 2，CF 4和SF 6）及其混合物。已经确定，纯SF 6是最好的蚀刻剂，而ALN比Al更好地提供了较高的选择性和靠近垂直的侧壁角度。建立了无微量蚀刻的一系列蚀刻参数，并使用蚀刻速率为0.32-0.36m/min的工艺在21M-厚的氧化物中创建了高达4：1纵横比的蚀刻结构，并且对（38-49）的Aln Mask的选择性为0.32-0.36m/min。
WorkSmart 伸展计划
7. 颈部伸展（3 个位置 A、B 和 C）将您的左手放在您的右肩上，轻轻地向下拉并将您的头向左肩倾斜，同时直视前方，照片 A，保持 3 到 5 秒钟。重复另一侧。照片 B - 用左手向下握住右肩，轻轻地向下看向左肩并保持 3 到 5 秒钟。重复另一侧。照片 C - 用左手向下握住右肩，将头向左肩倾斜，然后轻轻地看向右肩和/或将头扭向右侧，保持 3 到 5 秒钟。重复另一侧。重复 __ 1 __ 次。这是一个很棒的伸展运动，可以在早上洗温水澡时做的第一件事就是做这个伸展运动，以减少颈部/肩部僵硬。这个伸展运动确实有助于降低肘部、腕部和手部 MSD/CTD 问题的风险（或治疗中的必需动作）！
蓝图阅读和草图
完成课程作业的说明 每项作业的开头都列出了您需要学习的文本页面。在尝试回答问题之前，请仔细学习这些页面。密切注意表格和插图，并阅读学习目标。学习目标说明学习材料后您应该能够做什么。正确回答问题有助于您实现目标。 选择您的答案 仔细阅读每个问题，然后选择最佳答案。您可以自由参考文本。答案必须是您自己工作和决定的结果。禁止引用或抄袭他人的答案，也禁止将答案提供给参加课程的任何其他人。 提交您的作业 要对您的作业进行评分，您必须在海军教育和培训专业发展和技术中心 (NETPDTC) 的非驻地培训课程管理处注册参加课程。注册后，有两种方式可以对作业进行评分：(1) 使用互联网提交您完成的作业，或 (2) 通过邮件一次性将所有作业发送到 NETPDTC。互联网评分：互联网评分的优势在于：• 您可以在完成作业后立即提交答案，并且 • 您可以更快地获得结果；通常在下一个工作日（大约 24 小时）。除了收到每项作业的成绩结果外，您还将