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手性铁电列液晶作为多功能激光器
我们基于手性铁电列相（n f ∗）提出了液晶激光器装置。激光培养基是通过将铁电列材料与手性剂和一小部分荧光染料混合而获得的。值得注意的是，在N f ∗相中，非常低的电场垂直于螺旋轴能够重新定位分子，从而产生了一个周期性结构，其导演不是单个谐波，但包含各种傅立叶成分的贡献。此功能诱导了几个光子带盖的外观，这些光子带镜的光谱范围取决于磁场，可以利用该磁场来构建可调激光设备。在这里，我们报告了可以在低电场下进行调谐的自制n f ∗激光器的表征，并在材料的两个光子带中呈现激光作用。获得的结果为设计新的和更通用的液晶激光器设计开辟了有希望的途径。
手性铁电列液晶作为多功能激光器
我们基于手性铁电列相（n f ∗）提出了液晶激光器装置。激光培养基是通过将铁电列材料与手性剂和一小部分荧光染料混合而获得的。值得注意的是，在N f ∗相中，非常低的电场垂直于螺旋轴能够重新定位分子，从而产生了一个周期性结构，其导演不是单个谐波，但包含各种傅立叶成分的贡献。此功能诱导了几个光子带盖的外观，这些光子带镜的光谱范围取决于磁场，可以利用该磁场来构建可调激光设备。在这里，我们报告了可以在低电场下进行调谐的自制n f ∗激光器的表征，并在材料的两个光子带中呈现激光作用。获得的结果为设计新的和更通用的液晶激光器设计开辟了有希望的途径。
snte/pbte单层异质结构中的面向涡流的铁电域
valleytronic，光学，热，磁性和铁电性能在新型异质结构和设备中。它们的弱层间耦合可以通过机械堆叠2D材料来相对简单地制造垂直侵蚀。另一方面，侧面异质结构（LHSS）的层次是现代金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化导向器磁场晶体效应的基于微电极的基本结构，由于需要更多的复杂生长和兴奋剂技术，因此受到了探索的较少。受到可能从2D LHSS出现的潜在杰出性能和多功能调整自由的鼓励，在该领域进行了多项实验和理论研究。[1] The earliest experimentally realized 2D LHSs were those between graphene and hexagonal boron nitride (hBN) [2–6] grown by chemical vapor depo- sition (CVD), from which prototype field effect transistors (FETs) were demonstrated [2–5] Shortly later, a series of transition metal dichalcogenide (TMDC) mono layer (ML)通过一步或两步的CVD方法制备LHSS，包括MOS 2，MOSE 2，WS 2和WSE 2的组合。[7-12]所有这些TMDC LHSS都显示二极管样电流的整流效应。[26]同时，制造了具有高性能的原型设备，包括光电二极管和互补的金属 - 氧化物 - 半导体晶体管逆变器，[7,10–12]通过控制良好的气体流量切换技术或光刻辅助辅助阴离子的替代品，TMDC LHS的脱位量很清晰。 LHSS仅由一种材料组成，但具有不同的厚度，[16,17]或介电环境[18]在其界面上，产生了电子带隙，整流和光伏效应的修饰。将材料与不同空间对称性组合的2D LHS的其他形式，例如石墨烯-TMDC LHSS [19-22] HBN-TMDC LHSS，[19]石墨烯纳米替伯型LHSS与不同的兴奋剂[23]或宽度[23]或宽度[24] [24]单钙化剂 - 二甲基二苯二苯lhss [26]是通过各种增强的CVD方法创建的，例如机械 - 脱落的辅助CVD，[19]种子促进的CVD，[20]由等离子体蚀刻定义的模板生长，由等离子体蚀刻[21] [21] [21]和热层转化化学构图。
由氧空位再分配驱动的相变，作为铁电HF0.5ZR0.5O2疲劳的机理
作为非易失性记忆设备的有前途的候选人，基于Hafnia的铁电系统最近一直是一个热门研究主题。尽管在过去十年中取得了显着进步，但耐力问题仍然是其最终应用的障碍。在基于钙钛矿的铁电磁体中，例如研究良好的PB [Zr X Ti 1-X] O 3（PZT）家族，在电荷缺陷（例如氧气空位）与移动域的相互作用的框架内讨论了极化疲劳，尤其是在电极界面上，尤其是在转换过程中。武装在这种背景下，设定了一个假设，以检验类似的机制可以与基于Hafnia的铁电机一起发挥作用。导电钙钛矿LA-SR-MN-O用作建立LA 0.67 SR 0.33 MNO 3 / HF 0.5 Zr 0.5 O 2（HZO） / LA 0.67 SR 0.67 SR 0.67 SR 0.33 MNO 3 MNO 3式结构的接触电极。纳米级X射线差异在单个电容器上进行，并在双极切换过程中证明了从极性O期向非极性M期的结构相变。已在不同的氧空位浓度下计算了多相HZO的能量格局。基于理论和实验结果，发现在电循环过程中由氧空位再分配引起的极性到非极相变，这可能是HZO疲劳的一种解释。
铁电 Cd 基混合有机-无机钙钛矿中的化学和电可调自旋极化
密度泛函理论计算用于预测 Cd 基混合有机-无机高 TC 铁电钙钛矿的电子结构，TMCM-CdCl 3 是其中一种代表。我们报告了这些非磁性化合物价带中的 Rashba-Dresselhaus 自旋分裂。有趣的是，我们在计算中发现分裂不一定对材料的极化敏感，而是对有机分子本身敏感，这为通过分子的选择实现其化学可调性开辟了道路。通过在 CdCl 3 链中替换 Cl，可以进一步实现自旋分裂的化学可调性，因为发现价带源自 Cl-Cl 周键合轨道。例如，在 TMCM-CdCl 3 中用 Br 替换 Cl 导致自旋分裂增加十倍。此外，这些材料中的自旋极化产生了与极化方向耦合的持久自旋纹理，因此可以通过电场进行控制。这对于自旋电子学应用来说很有前景。
单层 MoSe2 中激子复合物与二维铁电体 CuInP2S6 的非挥发性电控制
摘要：单层过渡金属二硫属化物 (TMD) 为研究二维 (2D) 极限下的激子态提供了平台。TMD 中激子的固有属性，例如光致发光量子产率、电荷态甚至结合能，可以通过静电门控、选择性载流子掺杂或基底电介质工程进行有效控制。本文，为了实现激子态的非挥发性电可调性，从而实现 TMD 的光学属性，我们展示了一种具有单层 MoSe 2 和超薄 CuInP 2 S 6 (CIPS) 的二维铁电异质结构。在异质结构中，CIPS 的电极化导致单层 MoSe 2 中出现连续、全局和大的电子调制。利用 CIPS 的饱和铁电极化，可以在单个器件中实现电子掺杂或空穴掺杂的 MoSe 2。异质结构中载流子密度可调性高达 5 × 10 12 cm − 2 。还表征了这些器件长达 3 个月的非挥发性行为。我们的研究结果为低功耗和长期可调的光电器件提供了一种新的实用策略。关键词：激子、MoSe 2 、CuInP 2 S 6 、铁电性、2D 铁电异质结构■引言
铁电畴壁工程实现 PMNPT 单晶的热调节
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一项关于自动驾驶占用感知的调查
抽象2D铁电/石墨烯异质结构是通过机械去角质制造的，横穿异质结构界面的载体动力学已通过拉曼，光致发光和瞬态吸收测量值进行了系统地研究。由于有效的界面照片激发电子传递和捕获孔的光吸收效果，异质结构设备显示出卓越的性能，最大响应性为2.12×10 4 A/W，在λ= 532 nm laseer Illumuminention下，探测率为1.73×10 14 jones和快速响应时间（241 µS）。此外，还研究了受铁电化场影响的照片反应。我们的工作确认铁电β-inse/石墨烯异质结构是敏感光电应用的出色材料平台。
使用电导方法
手稿于2020年7月26日收到；修订于2020年10月13日和2020年10月19日； 2020年10月22日接受。2020年11月16日出版日期；当前版本的日期，2020年11月24日。This work was supported in part by the Applications and Systems-driven Cen- ter for Energy-Efficient Integrated Nano Technologies (ASCENT), one of six Centers in the Joint University Microelectronics Program (JUMP), a Semiconductor Research Corporation (SRC) Program sponsored by DARPA, and in part by the Air Force Office of Scientific Research.本文最初在2020年VLSI技术的虚拟研讨会上发表。本文的评论由编辑M. Kobayashi安排。（通讯作者：Peide D.ye。）Yiming Qu和Junkang Li与Birck纳米技术中心，电气和计算机工程学院，普渡大学，西拉斐特的普渡大学，美国47907，以及电子工程与信息科学学院，Zhejiang University，Zhejiang University，Hangzhou 310027，中国。Mengwei Si，Xiao Lyu和Peide D. Ye在美国47907的Purdue University，Purdue University，Purdue University，Purdue University，美国47907的Birck Nanotech-Notech-Notech-Notech-Notech-Notech-Notech中心（电子邮件：yep@yep@purdue.edu）。本文中一个或多个数字的颜色版本可在https://doi.org/10.1109/ted.2020.3034564上找到。数字对象识别10.1109/ted.2020.3034564
氧空位对铁电氧化铪电场循环行为的影响
摘要 —基于密度泛函理论（DFT）计算，提出了一种关于HfO 2 基铁电器件中氧空位（Vo）的新机制。在该机制中，除了已知的o相HfO 2 之外，m相HfO 2 中的Vo不仅作为电子陷阱而且也表现出铁电性。而“唤醒”过程中剩余极化的增加主要归因于这部分Vo-m相HfO 2 铁电单元。基于新机制，开发了动力学蒙特卡罗（KMC）模拟器来量化在HfO 2 基铁电器件中观察到的典型电场循环行为，包括唤醒、疲劳、分裂和击穿效应。这种新的认识建立了Vo与循环行为之间的关系，并进一步揭示了掺杂剂与HfO 2 基铁电器件唤醒特性之间的联系。