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低维ZnO的材料在过去的几十年中引起了很多关注，因为它们在光电设备中的独特电子和光学支持以及潜在的应用。在本教程中，我们将根据激子和相关的激光过程介绍ZnO薄膜和微型/纳米结构的过去和最新发展。首先，我们简要概述了ZnO的结构和频带特性以及线性光学和激子特性。第二，我们引入了一种以各种形式的ZnO激光的反馈机制，从纳米颗粒到纳米线，纳米丝和薄膜。至于反馈机制，对随机激光，Fabry - PérotLasing和耳语画廊模式激光进行了详细的描述。第三，我们讨论了可能的增益机制，即ZnO中的含量增益和电子血浆（EHP）增益。特殊的兴趣也用于Mott载体密度，这是区分激光和EHP对激光贡献的关键参数。最后，引入了基于ZnO微腔的激子激光的最新发展。
薄膜 - EPRINTS SOTON-南安普敦大学
用光滑表面上的Si底物上的含铅锆酸钛酸盐（Pb（Zr X Ti 1-X）O 3）（PZT）化合物会为硅光子设备提供关键技术。为了在Si基板上集成PB（Zr X Ti 1-X）O 3的质量至关重要。在这里，我们使用改良的分子束外延工具应用了物理蒸气沉积技术，以将钙钛矿Pb（Zr X Ti 1-X）O 3放置在SI和PT底物上。我们开发了一种在SI底物上种植无裂纹PZT膜的方法。制造程序需要将TIO 2用作缓冲层，并在氧气大气下退火后退火。横截面扫描电子显微镜图像使得鉴定了两个不同的层：PZT和TIO 2，这也通过光谱椭圆法证实。X射线衍射模式表明从菱形hed中心到四方相的过渡以及Pb的钙钛矿相的形成（Zr 0.44 Ti 0.56）O 3。
无定形二氧化物氧化锌膜的水辅助结晶
2在能源材料中表征运输现象的方法部，helmholtz-Zentrum柏林材料和Energie GmbH，Hahn-Meitner-Platz 1，14109柏林，德国柏林3席3席部薄膜设备的椅子技术，高效率和半教导机构技术研究所10587柏林，德国4部门能源材料的部门结构和动力学，赫尔姆霍尔茨 - 泽特鲁姆柏林材料和能源GMBH，Hahn-Meitner-Platz 1，14109柏林，德国5号，柏林5柏林5物理与天文学研究所柏林技术大学物理学，Hardenbergstraße，36，10623柏林，德国7 PVCOMB，Helmholtz-Zentrum柏林柏林材料和能量GmbH，Schwarzschildstraße3，12489 Berlin，
利用半导体薄膜中的反向掺杂不对称
† 富Zn条件下的μ Zn等于Zn金属每个原子的总能量，富O条件下的μ O对应于O 2 分子每个原子的总能量；平衡条件μ O + μ Zn = μ ZnO用于获得相同条件下的另一化学势，其中μ ZnO是ZnO块体的每个化学式的平均能量。
锑离子注入改性重氮醌-酚醛清漆光刻胶薄膜
引言目前，光刻是多种半导体器件和集成电路一般生产周期中的主要工艺之一。重氮喹诺酮酚醛 (DQN) 光刻胶广泛用作亚微米和纳米光刻的掩模 [1–4]。现代电子学中形成掺杂区的主要方法之一是离子注入 (II)。该方法可以精确控制掺杂剂浓度，且具有工艺多功能性和灵活性的特点。DQN 光刻胶与紫外线、X 射线和可见辐射的相互作用已得到充分详细研究，而离子辐照引起的过程仍然知之甚少，尽管它们会显著影响所创建器件的质量 [4–6]。在聚合物的 II 期间，辐射诱导过程先前已被证明会发生在离子路径区域内及其外部 [5, 7–9]。例如，在 [5] 中发现了 DQN 抗蚀剂膜在锑离子注入层后面的辐射硬化。然而，导致 II 层后面的 DQN 抗蚀剂的物理机械性能发生变化的辐射诱导过程的机制尚未确定。对于薄膜研究，受抑全内反射 (TIR) 的 FTIR 光谱可以定性和定量地获取固体中复杂有机化合物及其混合物的成分和结构
镁取代的氧化锌薄膜中的铁电性
我们证明了具有Wurtzite结构的MG取代的ZnO薄膜中的铁电性。Zn 1-x mg x o膜通过（111）-PT //（0001）-AL 2 O 3基板在温度下为26至200°C的组合物上的（111）-PT //（0001）-AL 2 O 3底物生长，用于从x = 0到x = 0.37。X射线衍射表示C -Lattice参数的减少，并且在此组合范围内，A -Lattice参数的增加，MG含量增加，导致C/A轴向比为1.595。透射电子显微镜研究表明Zn 1 -x mg X O膜与PT电极之间的突然接口。在P O 2 = 0.025处制备时，通过原子力显微镜测量的Mg浓度> 29％，膜表面被异常定向的晶粒填充。提高P O 2至0.25消除了不良的晶粒。光学测量结果显示，随着MG含量的增加，带隙值的增加。在200°C的亚晶地上制备时，膜显示出超过100μccm-2的远程极化，当Mg含量约为30％至〜37％时，较不超过100μccm-2且胁迫场。底物温度可以降低到环境条件下，当这样做时，电容器堆栈仅显示出较小的牺牲，而对晶体取向和几乎相同的remanent极化值。但是，强制场降至2 mV/cm以下。使用环境温度沉积，我们证明了直接与聚合物亚电体表面集成的铁电容堆栈。
在Sandia National Laboratories的Z机器上的磁惯性融合的概述D. A. Yager-Elorriaga，1 M. R. R. Gomez，1 D. E. Ruiz，1 S. A.
图2。使用0.03-30-0.015-30 s在50和75°C下的0.03-30-0.015-30 s在各种温度下对ALD ZRO 2进行测量，在50和75°C下，0.03-10-0.015-10 s在100 - 275°C的范围内，范围为100 - 275°C： 2胶与温度。
Au-Ag 薄膜中热载流子弛豫时间的控制...
S. Memarzadeh 马里兰大学电气与计算机工程系，美国马里兰州帕克城 20742 马里兰大学电子与应用物理研究所，美国马里兰州帕克城 20742 KJ Palm 马里兰大学物理系，美国马里兰州帕克城 20742 马里兰大学电子与应用物理研究所，美国马里兰州帕克城 20742 TE Murphy 教授 马里兰大学电气与计算机工程系，美国马里兰州帕克城 20742 马里兰大学电子与应用物理研究所，美国马里兰州帕克城 20742 MS Leite 教授 加利福尼亚大学材料科学与工程系，美国加利福尼亚州戴维斯 95616 JN Munday 教授 加利福尼亚大学电气与计算机工程系，美国加利福尼亚州戴维斯 95616 马里兰大学电气与计算机工程系，美国电子jnmunday@ucdavis.edu
优化绝缘体薄膜的双层剥离抗蚀剂工艺
利用 5G 延迟优势实现的 VCSEL 应用部署可以通过使用商业化技术来遵循行业发展时钟速度而受益。[1] 根据功率输出，VCSEL 器件可以根据沉积材料厚度和结构进行大致分类。[2] 本研究量化了与参考金属化膜铝最相关的双层结构特征，以便有效使用。它基于这些发现探索了成功使用常见金属氧化物绝缘体 (SiO 2 / Al 2 O 3 ) 双层处理所需的多元优化，各向同性溅射沉积厚度为 100nm 至 250nm。提出了一个表征关键变量的模型。此外，它还介绍了一种新的高温双层工艺，使用负像抗蚀剂，能够在高温绝缘体沉积期间保持稳定性。本研究确定了制造成功双层的尺寸目标，用于溅射绝缘体，适用于工艺优化，以促进不断发展的 III-V 应用。介绍