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地球极地电离层上的太空飓风
在地球低沉的大气中，飓风的大小巨大，螺旋风和巨大的雨水/降雨/降水，这是破坏性的。但是，在地球上层大气中尚未发现类似于赫里斯的干扰。在这里，我们报告了低太阳能和其他低地磁活性期间极地电离层和磁层中的持久空间飓风。该飓风显示出较强的圆形水平等离子体流，带有剪切，几乎零流动中心以及由强烈的电子沉淀引起的，由与强烈的向上磁性电流相关的电流相关的强烈电子沉淀引起的。在中心附近，沉淀电子被基本上加速至约10 keV。尽管条件极为安静，但飓风将大量的能量和动量沉积赋予电离层。观察结果和模拟表明，在北向北向磁场的几个小时内，太空飓风是由稳定的高纬度瓣磁重新连接和电流连续性产生的，太阳磁场和太阳风密度和速度非常低。
理论衍生和基准测试，用于黄金中低能电子传输的横截面
通过物质对电子传输的抽象模拟在许多应用中使用。其中一些需要在计算时间和在广泛的电子能量中准确的模型。对于某些应用，例如放射化学和放射疗法，金属纳米颗粒增强了，希望考虑相对较低的能量电子。，我们已经在固体金属介质中实施了一个物理模型，以符合上述两个要求的固体金属介质中的低能。本文的主要目标是介绍我们的蒙特卡洛模拟的理论框架，其应用于金属金属，并与电子束照射的金箔可用数据进行了广泛的比较，用于从几个EV到90 KEV的弹丸能量。尤其是我们计算了二级电子排放，以评估我们在50 eV以下的能量时代码的准确性。即使低能电子的向后发射产率被系统地低估，也与实验达成了密切的一致性。尽管如此，在存在金纳米颗粒的情况下，诸如纳米尺度法或放射化学等纳米级应用的质量和数值效率令人鼓舞。
对生物相容性的影响
在这项研究中，研究了低能（1 keV）AR +离子束照射对多晶Ti磁盘形态的影响。通过切割和机械抛光商业棒来制备目标。通过扫描电子显微镜（SEM）和机械辅助学来表征辐照前后的表面地形。使用各种入射角（αI）以10 18离子/cm 2的总剂量从正常到放牧的几何形状进行辐射。对辐照的Ti靶标的SEM分析揭示了明显的纹理，其表面形态具有各种可实现的表面形态，具体取决于αI。表面特征从具有指纹样图案（0≤αi≤60°）的斑块中的波纹变化到平行于离子束方向的定向结构，例如柱/尖端结构（65≤αi≤75°）和浅层波纹（αi至80°）。这种形态的选择性可以归因于竞争性扩散和侵蚀性方案，在这种情况下，形态的横向均匀性受到晶体晶粒尺寸有限的影响。最后，评估了特征性地形的润湿性和生物兼容性，与未经处理的表面相比，结果表明离子束纹理表面的性能提高了。
支持信息：用于集成量子技术的可调和可转移金刚石膜
标准 3 mm x 3 mm x 0.25 mm 单晶光学级金刚石基底（Element Six，≤ 1 ppm [N]）用于膜合成。首先将它们精抛光至表面 Rq ≤ 0.3 nm（Syntek LLC.），以尽量减少形态不一致（见图 S1 (a)）。接下来，用 150 keV 的 4 He + 离子（CuttingEdge Ions LLC.）注入样品，以在 ≈ 410 nm 深度处形成石墨化层。这是在 7 ° 的入射角下完成的，以避免离子沟道。剂量设置为 5 × 10 16 cm − 2，略高于石墨化阈值，以尽量减少晶体损伤（见第 1.5 节）。在本研究中，注入后采用了三步退火工艺：400 °C 浸泡 8 小时，然后在 800 °C 浸泡 8 小时，最后在 1200 °C 退火 2 小时。1 该过程在合成气体环境中完成（Ar:H 2 为 96:4）。注入和退火对表面粗糙度没有负面影响（见图 S1 (b)）。通过室温拉曼光谱研究了膜形成过程中碳键的相变（见第 2.2 节）。
PET-CT成像的进步
为511 KEV光子，衰减常数，光输出和能量分辨率的停止功率。停止功率被描述为在将能量沉积在晶体中之前通过光子传递的平均距离的倒数，并且与材料的密度和有效原子数成正比。较高的停止功率意味着电子将在材料中移动较短的距离，因为它会与材料中的原子更频繁地相互作用，因此间接地可以对入射光子进行更有效的检测。衰减常数取决于晶体中闪烁闪光灯的持续时间。较短的衰减常数意味着闪烁材料将能够在一定时间内产生更多的单个闪烁闪光灯，从而可以计算出更多的入射光子。光输出可以简单地描述为入射光子产生的闪烁光子的产率。较高的光输出意味着入射光子将触发更多闪烁光子的创建，从而增加空间和能量分辨率。最后，能量分辨率是准确确定相互作用光子能量的能力。这取决于能量方差，这是检测器确定的光子能量值的范围和
空间辐射分析实验（ESRA）
空间辐射分析实验 (ESRA) 是洛斯阿拉莫斯国家实验室建造的最新演示和验证任务，重点是测试下一代等离子体和高能粒子传感器。ESRA 有效载荷的主要动机是尽量减少尺寸、重量、功率和成本，同时仍提供必要的任务数据。ESRA 将通过测试和在轨操作来展示这些新仪器，以提高其技术就绪水平，从而支持技术和任务目标的发展。该项目将利用商用现成的 CubeSat 总线以及商用卫星地面网络来降低与传统 DemVal 任务相关的成本和时间表。该系统将与国防部空间测试计划共乘发射，插入地球同步转移轨道，并允许观测地球辐射带。 ESRA 任务由两个科学有效载荷和多个子系统组成：宽视场等离子体光谱仪、高能带电粒子望远镜、高压电源、有效载荷处理器、飞行软件架构和分布式处理器模块。ESRA CubeSat 将测量 GTO 环境中的等离子体和高能带电粒子群，其中离子的能量范围从 ~100 eV 到 ~1000 MeV，电子的能量范围从 100 keV 到 20 MeV。
现代网络访问安全性
网络安全和基础设施安全局（CISA）经常确定虚拟专用网络（VPN）解决方案，这些解决方案涉及许多最近与网络罪犯和民族国家参与者的近期备受瞩目的事件。CISA发现了与VPN妥协有关的22多个已知的被剥削漏洞（KEV），从而导致广泛访问受害者网络。这些事件和相关的漏洞正在促使一些人考虑使用现代网络访问解决方案替换其旧的VPN解决方案。将更多服务转移到云中还指向了安全访问服务边缘（SASE）的价值，而不是位于本地数据中心中的传统安全堆栈。虽然某些VPN解决方案本质上比其他解决方案更安全，而且并非总是发生重大网络事件的原因，但当前的混合网络需要采用现代网络访问安全解决方案来帮助组织保护公司资源。此外，这些网络访问解决方案提供了整合不传统VPN方法固有的粒状访问控制的机会。CISA仔细分析了鉴于云服务的使用增加并利用任何技术更新以进步您的零信任之旅中，您的安全需求如何改变。
中国地球同步卫星低能离子谱仪的首批结果
2020 年 6 月 23 日，中国地球同步卫星发射升空。它搭载了一个等离子体探测包，用于监测轨道周围的空间环境。本文报告了等离子体探测包中的主要仪器之一低能离子谱仪（LEIS）的飞行性能及其飞行中的初步观测结果。得益于与角扫描偏转器配合的顶帽静电分析仪的先进设计，实现了 360°×90° 大视野和 50 eV 至 25 keV/电荷能量范围的空间离子三维测量。轨道周围离子的差分能通量谱显示出明显的表面充电和风暴/亚暴离子注入特征。表面充电的发生可能是由于地球日食（接近午夜）时缺乏光发射或黎明时分风暴高能电子注入造成的。目前的结果表明，LEIS 有效载荷在飞行过程中对轨道周围的空间离子环境监测性能良好。LEIS 有效载荷的现场测量为我们提供了了解磁层离子动态和预测相关空间天气影响的机会。
激光结构化微靶标在4 x10^16 W/cm^2
相对论温度电子高于0.5 MeV的温度电子通常以大约10 18 w/cm 2的激光内部产生。以非相关强度运行的高重复速率激光器（≃1016 w/cm 2）的产生是针对紧凑型，超短，台式电子源的基础主教。能够利用激光 - 血浆相互作用的不同方面的新策略对于降低所需的强度是必要的。我们在这里报告，一种新型的微螺旋体动态靶标结构技术，能够在蓬代尺度（10 18 w/cm 2）所需的强度的1/100中产生200 keV和1 meV电子温度，以产生相对论电子温度。将这种方法与“非理想的” Ultrashort（25 fs）脉冲以4×10 16 W/cm 2的形式结合了固定，优化的尺度长度和微观访问的概念，可实现两样式的衰减增强的电子加速度（25 fs）脉冲。具有KHz的射击可重复性，这种精确的原位靶向物可以通过毫升joule类激光器产生高达6 MeV的质量质量束状电子发射，这对于所有科学领域的时间分辨，微观研究都可以进行转化。
用于纳米制造的X射线光刻技术：有未来吗？
在X射线光刻（XRL）过程中，一些对X射线敏感并在特定溶剂中照射后改变溶解速率的材料（称为抗蚀剂）通过掩模暴露于X射线源并被图案化。掩模由重Z元素（Au，W等）组成，用作吸收区，而载体基板由低衰减元素（Si，Be，金刚石，SiC，SiNx等）组成（Tormen等人，2011年）。 XRL 的概念最早由 H. Smith 和 Spears 于 1972 年提出（Spears and Smith，1972；Smith 等，1973），由于其波长更短、穿透深度更大（比传统紫外光刻技术更短），引起了微纳米制造界的关注，为构建具有高深宽比、厚光刻胶和几乎垂直侧壁的微型器件提供了新的可能性（Maldonado 等，1975；Maydan 等，1975）。XRL 是 LIGA 工艺 [德语缩写 Lithographie Galvanoformung Abformung，意为光刻电沉积、成型（Becker 等，1986）] 的基本步骤，包括在显影的光刻胶结构中电沉积金属，以获得模具或电极，用于后续的复制工艺，如成型或电火花加工。 X 射线可分为软 X 射线和硬 X 射线（或深 X 射线），软 X 射线的能量范围为 150 eV 至约 2 keV，硬 X 射线（或深 X 射线）的能量则大于 5 keV。软 XRL 适用于光刻胶厚度有限的高分辨率结构（< 50 nm）。深 XRL（DXRL）通常用于 LIGA 工艺及照射厚光刻胶（数百微米）。目前，同步辐射设备中已有 XRL 技术。半导体行业对 XRL 的兴趣与技术节点的定义有关。该术语指的是特定的半导体制造工艺及其设计规则：最初，节点号定义了栅极长度或半节距（HP），而目前（22 nm 以下）它与采用特定技术制造的特定一代芯片有关。由于波长比紫外线更短，XRL 有可能确保所有技术节点的“分辨率储备”。此外，它不需要像紫外光刻那样在每个技术节点上都使用不同的设备。然而，该技术的潜力尚未得到充分发挥，因为人们首先关注的是紫外光刻，然后是极紫外光刻（Tormen 等人，2011 年）。最近，XRL 引起了 Next 2 节点（10 纳米技术节点以外）及以后的新关注，这主要是由于软 X 射线干涉光刻的潜力（Wu 等人，2020 年，Mojarad 等人，2015c 年）。