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nitride的六角硼的原子特性。
六角硼硝酸盐（H-BN）由于其令人难以置信的电气，热和机械性能而近期引起了很多关注。其化学成分导致其化学惰性和无毒性，这使其与石墨材料不同（1）。过去，H-BN由于其摩擦学特性，即摩擦，润滑，表面相互作用。例如，这些特性已被理论上有效为航天器上的涂层，因为其在高温下保持其结构的能力（2，3）。对H-BN的分析较小，因为六角硼氮化硼纳米片（BNNS）也很感兴趣。正如已经发现石墨材料具有广泛的应用程序一样，BNN也是如此。bnns可以用作癌症药物递送的一种方法，因为它比基于石墨烯的材料更具生物相容性和毒性，但保留了许多相同的特性（4）。还发现了在量子信息中使用H-BN的动机，将量子通信科学用作“单光子发射器”（5）。我们对H-BN的特定兴趣源于其在高温下用作紫外光探测器的理论上的使用（6）。
基于硅基氮化镓的微机电加速度计
1 G. Langfelder、M. Bestetti 和 M. Gadola，《微机械与微工程杂志》31 (8)，084002 (2021)。2 Chen Wang、Fang Chen、Yuan Wang、Sina Sadeghpour、Chenxi Wang、Mathieu Baijot、Rui Esteves、Chun Zhao、Jian Bai、Huafeng Liu 和 Michael Kraft，《传感器》20 (14)，4054 (2020)。3 V. Narasimhan、H. Li 和 M. Jianmin，《微机械与微工程杂志》25 (3)，033001 (2015)。4 DK Shaeffer，《IEEE 通信杂志》51 (4)，100 (2013)。5 LM Roylance 和 JB Angell，《IEEE 电子设备学报》26 (12)，1911 (1979)。 6 AA Barlian、W. Park、JR Mallon、AJ Rastegar 和 BL Pruitt，IEEE 97 论文集 (3)，513 (2009)。7 S. Tadigadapa 和 K. Mateti，测量科学与技术 20 (9)，092001 (2009)。8 O. Le Traon、J. Guérard、M. Pernice、C. Chartier、P. Lavenus、A. Andrieux 和 R. Levy，在 2018 年 IEEE/ION 位置、定位和导航研讨会 (PLANS) 上发表，2018 年（未发表）。9 O. Lefort、I. Thomas 和 S. Jaud，在 2017 年 DGON 惯性传感器和系统 (ISS) 上发表，2017 年（未发表）。
染料在氮化硼纳米管内的约束
有机染料在人们的生活中随处可见。尽管有机染料在我们的生活中无处不在，但它们在生理条件下本质上是光降解和反应性的。[1] 自十九世纪以来，人们就已发现[2] 染料的不稳定性部分源于激发态寿命期间发生的不同光激活物理和化学过程，其中包括通过系统间窜越形成暗态、[3,4] 分子构象变化、[5] 以及由于明暗态之间随机偏移而引起的光诱导充电和触发暂时性扰动（闪烁）。[6–8] 更重要的是，与染料接触的活性氧化物 (ROS) 会诱导不可逆的光致发光 (PL) 消光，称为光漂白或褪色。[9,10] 这些过程大大减少了进行实验的时间窗口，从而限制了生物成像应用和各种条件下的体内监测。例如，绿色荧光蛋白 (GFP) 在光漂白之前提供有限数量的吸收/发射循环，发射光子数在 10 4 到 10 5 之间。尽管如此，GFP 仍然非常受欢迎，作为荧光探针，尽管它们的使用在典型的成像条件下仅限于几分钟。[11,12]
回顾介电性：增加灵敏度，减少响应时间并抑制生物传感器中非特异性结合的方法？
摘要纳米钻阵列与光电探测器的组合可以成为SI平台上大规模制造微型和具有成本效益的折射率传感器的策略。然而，互补的金属 - 氧化物 - 血管导体（CMOS）制造过程尤其是在可用于制造结构的材料上的限制。在这里，我们专注于使用CMOS兼容的过渡金属氮化钛（TIN）来制造纳米孔阵列（NHAS）。我们研究了使用高精度工业工艺制造的锡NHA的光学性质（50 nm，100 nm和150 nm），用于在集成的等离子，等离子折射指标传感器中使用。反射率测量显示出明显的Fano形共振，共振长度在950至1200 nm之间，这可以归因于通过NHA的非凡光学传输（EOT）。使用测量的材料介电常数作为输入，测得的光谱是通过具有很高准确性的模拟来重现的：模拟和测量的共振波长偏离小于10 nm，平均在30°和40°°的发病角度下观察到的平均4 nm偏差为4 nm。我们的实验结果表明，锡层从50到150 nm的厚度增加导致灵敏度从614.5 nm/riU增加到765.4 nm/riU，我们将其归因于具有空间扩展SPPS的孔中的单个LSPR之间的强耦合。我们的结果可用于提高锡NHA在片上等离子折射率传感器中的应用。
六角硼硝化硼的深紫外光谱
从散装到单层guillaume cassabois laboratoire查尔斯·库仑（UMR5221）CNRS-montpellier University，F-34095 Montpellier，法国guillaume.cassabois.cassabois@umontpellier.fr Hexagonal Boron Nitride（Hexagonal Boron Nitride（Hbbn）依靠其低介电常数，高导热率和化学惰性。2004年，高质量晶体的生长表明，HBN也是深层硫酸群域中发光设备的有前途的材料，如加速电子激发[1]在215 nm处的激光证明[1]，也证明了激光的表现[1]，也证明了LASITIOL ELLICTER ELLICTIOL [1]，也证明了LASITER IN-type-type-type-type-type-typepe inter-typepe intype intype-ultraviolet [1]。具有类似于石墨烯的蜂窝结构，大量HBN作为具有原子光滑表面的石墨烯的特殊底物获得了极大的关注，更普遍地是范德华异质结构的基本构建块[3]。我将在此处讨论我们的结果，以从批量到单层的HBN的光电特性。i将首先关注散装HBN，这是一个间接的带隙半导体，具有非凡的特性[4]。i将介绍我们最近的测量结果，揭示了散装HBN中巨大的光 - 物质相互作用[5]。然后，我将向单层HBN讲话。在通过高温MBE在石墨上生长的样品中，在与原子上薄的HBN发射的共鸣中发现了最小的反射率，从而证明了单层HBN的直接带隙[6]。最近通过从散装晶体中去除的单层HBN中的深度硫酸盐中的高光谱成像进一步证实了这些结果[7]。参考
六边形的氮化硼中量子发射器的变色
抽象相干量子发射器是高级量子技术的中心资源。六角硼硝酸盐（HBN）容纳了一系列量子发射器，可以使用诸如高温退火，光学掺杂和用电子或离子辐照等技术进行设计。在这里，我们证明了此类过程可以降低HBN中量子发射器的连贯性，从而降解功能。具体来说，我们表明，在HBN纳米化方案中常规使用的HBN退火和掺杂方法会导致B-中心量子发射器的脱谐。详细表征了Decerention，并归因于在SPE激发期间静电波动并诱导光谱扩散的电荷陷阱的缺陷。当发射器是通过HBN生长的原始薄片的电子束照射来设计的，在HBN的电子束辐射中，B-中心线宽接近涉及干扰和纠缠所需的量子应用所需的寿命极限。我们的工作强调了晶格质量对于在HBN中实现相干量子发射器的至关重要性，尽管人们普遍认为HBN晶格和HBN SPE非常稳定，并且对化学和热降解具有弹性。它强调了对纳米制作技术的需求，这些技术在工程HBN SPES和量子交联技术的设备上时避免了晶体损伤。
RF Power应用的氮化碳技术
问题陈述：能够高速和高功率处理的半导体设备平台是无数RF电源应用的关键组件级构建块，例如雷达（国防，航空航天和平民 - 汽车），通信（国防，航空航天，航空和平民 - 5G及以后），信号jamming和rf。迫切需要这些技术，尤其是印度的国防和航空航天机构，因为它们是敏感和控制的。
氮化钛作为近红外等离子体材料...
1 华沙理工大学微电子与光电子研究所，Koszykowa 75, 00-662 华沙，波兰 2 华沙大学物理学院，Pasteura 5, 02-093 华沙，波兰；piotr.wrobel@fuw.edu.pl 3 Łukasiewicz 研究网络 - 微电子与光子学研究所，Aleja Lotnikow 32/46, 02-668 华沙，波兰；pawel.michalowski@imif.lukasiewicz.gov.pl 4 波兰科学院物理研究所，Aleja Lotnik ó w 32/46, 02-668 华沙，波兰；ozga@ifpan.edu.pl（MO）；bwitkow@ifpan.edu.pl（BW）； aseweryn@ifpan.edu.pl (AS) 5 华沙理工大学物理学院，Koszykowa 75, 00-662 华沙，波兰；michal.struzik@pw.edu.pl (MS)；cezariusz.jastrzebski@pw.edu.pl (CJ)；krzysztof.zberecki@pw.edu.pl (KZ) * 通讯地址：jaroslaw.judek@pw.edu.pl
非线性光学元件的超低氮化硅波导
区域，从而增强了光学强度。然而，如此高的光学结构增加了纳米级不均匀性引起的散射损失的敏感性。氮化硅是一种介电材料，具有相对较大的非线性指数系数和一个从紫外线到中红外的宽带透明度窗口。其折射率与二氧化硅形成鲜明对比允许高分并控制波导几何形状的分散体。在过去几年中，这个材料平台作为依赖KERR效应的非线性光学应用程序的主力，从微型BOMB的生成到副标。在本文工作中，我们专注于开发高级制造技术，以实现氮化硅波导的实现。仪表长的高填充波导据报道，有1.4 db/m的阶段损失创纪录的低损失和分散工程的mi- croResonators，质量为1900万。基于这项技术，我们证明了带有光电检测的重复速率的八度跨度相干微膜和小鳄鱼的设备面积小于1毫米2，即比艺术的状态小的数量级。高产量和超损坏Si 3 N 4波导也使我们在整合波导中的第一次连续波参数放大器也可以实现，当以相位敏感的模式运行时，表现出9.5 dB的增益为9.5 dB，噪声效率为1.2 db。